의 GaN HEMT 에피 택셜 웨이퍼

의 GaN HEMT 에피 택셜 웨이퍼

질화 갈륨 (GaN, Gallium Nitride) HEMT의가 (높은 전자 이동도 트랜지스터)의 GaN 기술 RF 전력 트랜지스터 technology.Thanks의 다음 세대, PAM-하문 이제 사파이어 템플릿의 AlGaN /의 GaN HEMT 에피 사파이어 웨이퍼 또는 실리콘, 또는 AlGaN / GaN으로 제공 .

  • 기술

제품 설명

4.1 GaN HEMT Material: Available size:2”,4”,6”,8”:

GaN on Si for Power, D-mode

GaN on Si for Power, E-mode

GaN on Si for RF

GaN on Sapphire for Power

GaN on Sapphire for RF

GaN on SiC for RF

GaN on GaN

 

4.2 Now we show you an example as follows:

2 '(이 50.8mm)의 GaN HEMT 에피 택셜 웨이퍼

우리는 2 "(이 50.8mm)의 GaN HEMT 웨이퍼를 제공하는 다음과 같이 구조는 다음과 같습니다

(위에서 아래로) 구조 :

* 도핑 GaN으로 캡 (2 ~ 3 ㎚)

는 AlxGa1-XN (18 ~ 40 나노)

AlN으로 (버퍼층)

(2 ~ 3um) 질화 갈륨을 도핑되지 않은

사파이어 기판

* 우리 위에 질화 갈륨을 대체 Si3N을 사용하여, 밀착성이 스퍼터링 또는 PECVD에 의해 코팅되고, 강하다.

사파이어 / 질화 갈륨에서의 AlGaN / GaN으로 HEMT 에피 웨이퍼

레이어 ID 레이어 이름 자료 알 함량 (%) 도펀트 두께 (㎚)
0 기판 질화 갈륨 또는 사파이어
1 핵 생성 층 다양한, AlN을 100 DID
2 버퍼층 질화 갈륨 0 NID 1800
3 스페이서 AlN으로 100 NID 1
4 쇼트 키 배리어 AlGaN으로 20 또는 23 또는 26 NID 21

실리콘 2 "(이 50.8mm), 4"(100mm)의 AlGaN / GaN으로 HEMT 에피 웨이퍼

알루미늄 갈륨 질화물 (AlGaN으로) / 질화 갈륨 1.1Specifications (질화 갈륨) 높은 전자 이동도 트랜지스터 실리콘 기판 (HEMT).

요구 사항 명세서
실리콘에서의 AlGaN / GaN으로 HEMT 에피 웨이퍼
의 AlGaN / GaN으로 된 HEMT 구조 1.2을 참조하십시오
기판 재료 규소
정위 <111>
성장 방법 존 플로트
전도 유형 P 또는 N
크기 (인치) 2 ', 4 "
두께 (μm의) 625
뒷면 거칠게
저항 (Ω-cm) >6000
보우 (μm의) ≤ 35 ±

1.2.Epistructure : 균열이없는 에피 층

레이어 # 구성 두께 X 도펀트 캐리어 농도
5 질화 갈륨 2 나노
4 x조지아1-XN 8nm 0.26
3 AlN으로 1 ㎚ 유엔 도핑
2 질화 갈륨 ≥1000 nm의 유엔 도핑
1 버퍼 / 전이 층
기판 규소 350μm / 625μm

AlGaN 막 / 된 GaN HEMT 구조의 특성 1.3.Electrical

2DEG 이동성 (300 K) : ≥1,800 cm2 / 대

2DEG 시트 캐리어 밀도 (300 K) : ≥0.9 × 1,013cm-2

RMS 조도 (AFM) : 0.5 나노 미터 (μm의 5.0 × 5.0 ㎛의 스캔 영역) ≤

사파이어 2 "(이 50.8mm) 또는 AlGaN / GaN으로

sales@powerwaywafer.com : 사파이어 템플릿의 AlGaN / 질화 갈륨의 사양, 당사의 영업 부서에 문의하시기 바랍니다.

청색 레이저 다이오드에 사용되는 (250 nm의 아래) 자외선 LED 및의 AlGaN / GaN으로 HEMT의 장치에 적용.

AlGaN으로 / 알 /의 GaN HEMT의 설명 :

질화물 HEMT들 집중적 고주파 증폭 및 전력 스위칭 애플리케이션 고출력 전자 개발되고있다. 게이트 신호가 펄스되는 경우, 예를 들면 온 - 전류 붕괴 - 종종 DC 동작 고성능 HEMT는 절환시 소실된다. 그러한 효과 트래핑 충전 관련된 것으로 생각되는 마스크 전류의 게이트의 효과. 소스 및 게이트 전극 상에 필드 플레이트는 같은 전류 붕괴 현상을 완화 장치에 전계를 조작하는 데 사용되어왔다.

GaN으로 EpitaxialTechnology -의 SiC, Si 및 HEMT들, LED 용 사파이어 기판 상에 GaN으로 받아서 에피 택시 :

관련 분류 :

의 AlGaN / GaN으로 된 HEMT,의 AlGaN / GaN으로 HEMT 밴드 다이어그램의 AlGaN / GaN으로 된 HEMT 기반 바이오 센서의 AlGaN의 GaN HEMT의 박사 학위 논문, AlGaN으로 / 된 GaN HEMT 기반 액체 센서의 AlGaN / GaN으로 된 HEMT 신뢰성의 AlGaN / 300 기가 헤르쯔와의 GaN HEMT, AlGaN으로 질화 갈륨 HEMT들 InGaN과 기반 백 장벽의 AlN / 된 GaN HEMT,의 AlGaN / AlN으로 / 된 GaN HEMT, inaln /의 AlN / 된 GaN HEMT, AlN으로 패시베이션의 GaN HEMT와 장치의 AlGaN의 GaN HEMT 특성화의 AlGaN / 된 GaN HEMT의 개요.

GAN HEMT 에피 택셜 웨이퍼 (GAN EPI-웨이퍼)

 

4.3 GaN Device:

GaN SBD

GaN HEMT

 

4.4 Test Characterization Equipment:

Contactless Sheet Resistance

Laser Thin Film Thickness Mapping

High Temp/High Humidity Reverse Bias

Thermal Shock

DIC Nomarski Microscope

Atomic Force Microscope (AFM)

Surface Defectivity Scan

High Temp Reverse Bias

4PP Sheet Resistance

Contactless Hall Mobility

Temperature Cycle

X-ray Diffraction (XRD)/Reflectance (XRR)

Ellipsometer Thickness

Profilometer

CV Tester

 

4.5 Foundry Fabrication: we also offer foundry fabrication in the following process as follows:

MOCVD Epitaxy

Metal Sputtering/E-Beam

Dry/Wet Metal/Dielectric Etch

Thin Film PECVD/LPCVD/Sputtering

RTA/Furnace Annealing

Photolithography (0.35um min. CD)

Ion Implantation

당신은 또한 같은 수 있습니다 ...