150mm 4H n형 SiC EPI 웨이퍼

150mm 4H n형 SiC EPI 웨이퍼

균일성이 우수하고 결함 밀도가 매우 낮은 150mm 4H n형 SiC 에피 웨이퍼를 사용할 수 있습니다. SiC 에피택셜 웨이퍼는 탄화규소 기판 위에 기판과 동일한 결정을 갖고 일정한 요건을 갖춘 단결정막(에피택셜층)을 성장시킨 탄화규소 웨이퍼를 말한다. 이제 아래를 참조하십시오SiC 기판 위의 SiC 에피층예:

1. 150mm 4H N-type SiC Epi Wafer 사양

1.1 항목: PAM-191014-SIC-EPI
SiC 웨이퍼(연구/생산 등급)
기판 두께(평균) [μm] 350 ± 25
지름 [mm] 150 ± 0.25
편평한 길이 [mm] 47.5±2.0
폴리형/전도도 4H/n형
전면 마감 CMP
에피페이스/오리엔테이션 Si/(0001) 4± 0.5° 오프
기판 저항률 [Ω.cm] ≤ 0.025
마이크로파이프 밀도(MPD) [cm-2] ≤ 1.00
기저면 결함(BPD) [cm-2] ≤ 미정
총 적층 결함(TSD) [cm-2] ≤ 미정
1차 EPI 두께 [μm] 1
1st EPI 캐리어 콘. [E18cm-3] 1
2nd EPI 두께 9 포인트 평균 [μm] 5~10.00 ± 10%
2nd EPI 캐리어 콘. 9점 평균 [E16 cm-3] 1.000 ± 0.20
TTV [GBIR] [μm] ≤ 15.00
날실(3p) [μm] ≤ 60.00
보우(3p) [μm] ±40.00
에지 제외 1mm
EPI 표면 결함(PDD) [cm-2] ≤ 2.00
EPI 표면 거칠기 [nm] ≤ 2.00
확산 조명에 의한 에지 칩(최대) 없음
고강도 빛에 의한 크랙 없음
비주얼 카본 내포물 누적면적 ≤ 0.05%
고강도 빛에 의한 스크래치 없음
고강도 빛에 의한 오염 없음

 

1.2 항목: PAM-190919-SIC-EPI
SiC 웨이퍼(연구/생산 등급)
기판 두께(평균) [μm] 150 ± 0.25
지름 [mm] 350 ± 25
편평한 길이 [mm] 47.5±2.0
폴리형/전도도 4H/n형
전면 마감 CMP
에피페이스/오리엔테이션 축외 4도
기판 저항률 [Ω.cm] 0.015-0.028
마이크로파이프 밀도(MPD) [cm-2] <0.5
기저면 결함(BPD) [cm-2] ≤ 미정
총 적층 결함(TSD) [cm-2] ≤ 미정
1차 EPI 두께 [μm] 0.5
1st EPI 캐리어 콘. [E18cm-3] 1.00E+18
2nd EPI 두께 9 포인트 평균 [μm] 14
두께균일도(%) <3 %
2nd EPI 캐리어 콘. 9점 평균 [E15 cm-3] 5.50E+15
두께균일도(%) <5 %
TTV [GBIR] [μm]
날실(3p) [μm] ≤ 35
보우(3p) [μm]
에지 제외 1mm
EPI 표면 결함(PDD) [cm-2]
EPI 표면 거칠기 [nm] ≤ 2.00
확산 조명에 의한 에지 칩(최대) 없음
고강도 빛에 의한 크랙 없음
비주얼 카본 내포물 누적면적
고강도 빛에 의한 스크래치 없음
고강도 빛에 의한 오염 없음

 

2. 150mm 4H N-type SiC Epi 웨이퍼 현황

실리콘 카바이드 재료를 기판으로 사용하는 산업 체인에는 주로 실리콘 카바이드 기판 재료 준비, SiC 에피택시 성장, 장치 제조 및 다운스트림 애플리케이션 시장이 포함됩니다. SiC 기판에서 화학기상증착법(CVD법)은 주로 기판 표면에 요구되는 얇은 sic 에피택셜막을 생성하여 에피택셜 웨이퍼를 형성하고 추가로 디바이스를 만드는 데 사용됩니다.

실제 응용 분야에서 SiC 에피택셜 레이어의 품질에 대한 요구 사항은 매우 높습니다. 압력 저항의 지속적인 개선으로 필요한 SiC 에피 성장의 두께가 더 두꺼워질 것이며 그에 따라 SiC 에피택시 공정 비용이 조정될 것입니다. 150mm 4H N형 SiC 에피 웨이퍼는 전압 레벨이 3.3kV 이하인 SiC 전력 전자 장치의 개발을 충족할 수 있습니다. 그러나 여전히 10kV 이상의 전압 레벨 장치 개발 및 바이폴라 장치 개발에 대한 요구를 충족시키지 못하고 있습니다.

파워웨이웨이퍼

자세한 내용은 다음 이메일로 문의하십시오.victorchan@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com.

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