4H 반절연 SiC

4H 반절연 SiC

PAM-XIAMEN은 바나듐 도핑 또는 비도핑 고순도, 반절연, 2"~6" 크기의 4H 반절연 SiC 웨이퍼를 제공합니다. 두께가 353um이고 양면이 연마된 4H 반절연 탄화규소의 전송 속도는 그림과 같습니다.

4H 반절연 SiC 웨이퍼의 전송 속도

4H 반절연 SiC 웨이퍼의 전송 속도

우리는 또한 SiC 기판의 투명한 데이터를 제공할 수 있습니다. 자세한 내용은 다음 연락처로 문의하십시오.victorchan@powerwaywafer.com.

1. 가격:

PAM-XIAMEN은 고품질 SiC 웨이퍼 및 SiC 크리스탈 기판을 시장에서 가장 좋은 가격으로 제공합니다. 당사의 가격 매칭 정책은 귀하가 비슷한 사양의 SiC 크리스탈 제품에 대해 최상의 가격을 얻을 수 있도록 보장합니다.

2. 관례:

SiC 크리스탈 제품은 고객의 특별한 요구 사항과 사양을 충족하도록 맞춤화될 수 있습니다. 예를 들어, 우리는 10mm x 10mm 슬라이스에 대한 절단 서비스를 제공합니다. 아래 예를 참조하십시오.

4H 세미단열SiC, 5mm*5mm, 10mm*10mm, 330μm 두께;

4H 세미단열SiC, 15mm*15mm, 20mm*20mm 330μm 두께;

C축(0001)의 4H SiC 기판, 180um+/-25um 두께.

3. 4H 반절연 SiC 기판 사양:

1번:2” 4H 반절연 SiC 웨이퍼, C 등급
4H-SI 2″ 직경,
유형/ 도펀트: 반절연/V 또는 도핑되지 않음
방향: <0001>+/-0.5도
두께 : 330 ± 25um
C등급,MPD<50 cm-2
C 등급, RT:≥1E5 Ω•cm
CMP를 사용한 양면 연마/Si 표면 에피 준비, 표면 거칠기: <0.5 nm

2호:2” 4H 반절연 SiC 웨이퍼, B 등급
4H-SI 2″ 직경,
유형/ 도펀트: 반절연/V 또는 도핑되지 않음
방향: <0001>+/-0.5도
두께 : 330 ± 25um
B등급,MPD<15cm-2
B 등급, RT:≥1E7 Ω•cm
CMP를 사용한 양면 연마/Si 표면 에피 준비, 표면 거칠기: <0.5 nm

3번:3" 4H 반절연 SiC 웨이퍼, C 등급
4H-SI 3″ 직경,
유형/ 도펀트: 반절연/V 또는 도핑되지 않음
방향: <0001>+/-0.5도
두께 : 350 ± 25um
C등급,MPD<50 cm-2
C 등급, RT:≥1E5 Ω•cm
CMP를 사용한 양면 연마/Si 표면 에피 준비, 표면 거칠기: <0.5 nm

4번:3” 4H 반절연 SiC 웨이퍼, B 등급
4H-SI 3″ 직경,
유형/ 도펀트: 반절연/V 또는 도핑되지 않음
방향: <0001>+/-0.5도
두께 : 350 ± 25um
C등급,MPD<15 cm-2
C 등급, RT:≥1E7 Ω•cm
CMP를 사용한 양면 연마/Si 표면 에피 준비, 표면 거칠기: <0.5 nm

5호:4" 4H 반절연 SiC 웨이퍼, C 등급
4H-SI 4″ 직경,
유형/ 도펀트: 반절연/V 또는 도핑되지 않음
방향: <0001>+/-0.5도
두께 : 350 또는 500 ± 25 um
C등급,MPD<50 cm-2
C 등급, RT:≥1E5 Ω•cm
CMP를 사용한 양면 연마/Si 표면 에피 준비, 표면 거칠기: <0.5 nm

6호: 4” 4H 반절연 SiC 웨이퍼, B등급
4H-SI 4″ 직경,
유형/ 도펀트: 반절연/V 또는 도핑되지 않음
방향: <0001>+/-0.5도
두께 : 350 또는 500 ± 25 um
C등급,MPD<15 cm-2
C 등급, RT:≥1E7 Ω•cm
CMP를 사용한 양면 연마/Si 표면 에피 준비, 표면 거칠기: <0.5 nm

7호: 6” 4H 반절연 SiC 웨이퍼, C등급
4H-SI 6″ 직경,
종류/ 도펀트 : 반절연 / V
방향: <0001>+/-0.5도
두께 : 500 ± 25um
C등급,MPD<50 cm-2
C 등급, RT:≥1E5 Ω•cm
CMP를 사용한 양면 연마/Si 표면 에피 준비, 표면 거칠기: <0.5 nm

8호:6인치 4H 반절연 SiC 웨이퍼, B 등급
4H-SI 6″ 직경,
유형/ 도펀트: 반절연/V 또는 도핑되지 않음
방향: <0001>+/-0.5도
두께 : 500 ± 25um
C등급,MPD<15 cm-2
C 등급, RT:≥1E7 Ω•cm
CMP를 사용한 양면 연마/Si 표면 에피 준비, 표면 거칠기: <0.5 nm

4. 4H 반절연 SiC 결정 기판 및 웨이퍼 적용

실리콘 카바이드(SiC) 결정은 독특한 물리적, 전자적 특성을 가지고 있습니다. SiC 기반 장치는 단파장 광전, 고온, 방사선 방지 응용 분야에 사용되었습니다. 반절연 탄화 규소 기판으로 만든 고전력 및 고주파 전자 장치는 Si 및 GaAs 기반의 전자 장치보다 우수하며 4H 반절연 SiC 웨이퍼는 주로 전력 장치 및 RF 장치에 사용됩니다. 또한 임시 접착용 캐리어로도 사용할 수 있습니다. 투명한 반절연 SiC 기판의 경우 약 70%의 투명도를 가지며 방열광학에 적합합니다.

5. SiC 웨이퍼 FAQ

질문 1:우리는 170um 두께의 반절연 SiC를 원합니다. 가능할까요?

:현재 기술로 170um 두께의 4H-SiC 반절연을 성장시키는 것은 문제가 되지 않습니다.

질문 2:N타입과 반절연 4H SiC 웨이퍼의 차이점을 알려주세요.

:차이점은 N형 SiC 웨이퍼의 저항률은 <1ohm.cm인 반면, 반절연형 SiC 웨이퍼의 저항률은 >1E5ohm.cm입니다.

파워웨이웨이퍼

자세한 내용은 이메일로 문의해 주세요.victorchan@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com.

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