PAM-XIAMEN은 바나듐 도핑 또는 비도핑 고순도, 반절연, 2"~6" 크기의 4H 반절연 SiC 웨이퍼를 제공합니다. 두께가 353um이고 양면이 연마된 4H 반절연 탄화규소의 전송 속도는 그림과 같습니다.
4H 반절연 SiC 웨이퍼의 전송 속도
우리는 또한 SiC 기판의 투명한 데이터를 제공할 수 있습니다. 자세한 내용은 다음 연락처로 문의하십시오.victorchan@powerwaywafer.com.
1. 가격:
PAM-XIAMEN은 고품질 SiC 웨이퍼 및 SiC 크리스탈 기판을 시장에서 가장 좋은 가격으로 제공합니다. 당사의 가격 매칭 정책은 귀하가 비슷한 사양의 SiC 크리스탈 제품에 대해 최상의 가격을 얻을 수 있도록 보장합니다.
2. 관례:
SiC 크리스탈 제품은 고객의 특별한 요구 사항과 사양을 충족하도록 맞춤화될 수 있습니다. 예를 들어, 우리는 10mm x 10mm 슬라이스에 대한 절단 서비스를 제공합니다. 아래 예를 참조하십시오.
4H 세미–단열SiC, 5mm*5mm, 10mm*10mm, 330μm 두께;
4H 세미단열SiC, 15mm*15mm, 20mm*20mm 330μm 두께;
C축(0001)의 4H SiC 기판, 180um+/-25um 두께.
3. 4H 반절연 SiC 기판 사양:
1번:2” 4H 반절연 SiC 웨이퍼, C 등급
4H-SI 2″ 직경,
유형/ 도펀트: 반절연/V 또는 도핑되지 않음
방향: <0001>+/-0.5도
두께 : 330 ± 25um
C등급,MPD<50 cm-2
C 등급, RT:≥1E5 Ω•cm
CMP를 사용한 양면 연마/Si 표면 에피 준비, 표면 거칠기: <0.5 nm
2호:2” 4H 반절연 SiC 웨이퍼, B 등급
4H-SI 2″ 직경,
유형/ 도펀트: 반절연/V 또는 도핑되지 않음
방향: <0001>+/-0.5도
두께 : 330 ± 25um
B등급,MPD<15cm-2
B 등급, RT:≥1E7 Ω•cm
CMP를 사용한 양면 연마/Si 표면 에피 준비, 표면 거칠기: <0.5 nm
3번:3" 4H 반절연 SiC 웨이퍼, C 등급
4H-SI 3″ 직경,
유형/ 도펀트: 반절연/V 또는 도핑되지 않음
방향: <0001>+/-0.5도
두께 : 350 ± 25um
C등급,MPD<50 cm-2
C 등급, RT:≥1E5 Ω•cm
CMP를 사용한 양면 연마/Si 표면 에피 준비, 표면 거칠기: <0.5 nm
4번:3” 4H 반절연 SiC 웨이퍼, B 등급
4H-SI 3″ 직경,
유형/ 도펀트: 반절연/V 또는 도핑되지 않음
방향: <0001>+/-0.5도
두께 : 350 ± 25um
C등급,MPD<15 cm-2
C 등급, RT:≥1E7 Ω•cm
CMP를 사용한 양면 연마/Si 표면 에피 준비, 표면 거칠기: <0.5 nm
5호:4" 4H 반절연 SiC 웨이퍼, C 등급
4H-SI 4″ 직경,
유형/ 도펀트: 반절연/V 또는 도핑되지 않음
방향: <0001>+/-0.5도
두께 : 350 또는 500 ± 25 um
C등급,MPD<50 cm-2
C 등급, RT:≥1E5 Ω•cm
CMP를 사용한 양면 연마/Si 표면 에피 준비, 표면 거칠기: <0.5 nm
6호: 4” 4H 반절연 SiC 웨이퍼, B등급
4H-SI 4″ 직경,
유형/ 도펀트: 반절연/V 또는 도핑되지 않음
방향: <0001>+/-0.5도
두께 : 350 또는 500 ± 25 um
C등급,MPD<15 cm-2
C 등급, RT:≥1E7 Ω•cm
CMP를 사용한 양면 연마/Si 표면 에피 준비, 표면 거칠기: <0.5 nm
7호: 6” 4H 반절연 SiC 웨이퍼, C등급
4H-SI 6″ 직경,
종류/ 도펀트 : 반절연 / V
방향: <0001>+/-0.5도
두께 : 500 ± 25um
C등급,MPD<50 cm-2
C 등급, RT:≥1E5 Ω•cm
CMP를 사용한 양면 연마/Si 표면 에피 준비, 표면 거칠기: <0.5 nm
8호:6인치 4H 반절연 SiC 웨이퍼, B 등급
4H-SI 6″ 직경,
유형/ 도펀트: 반절연/V 또는 도핑되지 않음
방향: <0001>+/-0.5도
두께 : 500 ± 25um
C등급,MPD<15 cm-2
C 등급, RT:≥1E7 Ω•cm
CMP를 사용한 양면 연마/Si 표면 에피 준비, 표면 거칠기: <0.5 nm
4. 4H 반절연 SiC 결정 기판 및 웨이퍼 적용
실리콘 카바이드(SiC) 결정은 독특한 물리적, 전자적 특성을 가지고 있습니다. SiC 기반 장치는 단파장 광전, 고온, 방사선 방지 응용 분야에 사용되었습니다. 반절연 탄화 규소 기판으로 만든 고전력 및 고주파 전자 장치는 Si 및 GaAs 기반의 전자 장치보다 우수하며 4H 반절연 SiC 웨이퍼는 주로 전력 장치 및 RF 장치에 사용됩니다. 또한 임시 접착용 캐리어로도 사용할 수 있습니다. 투명한 반절연 SiC 기판의 경우 약 70%의 투명도를 가지며 방열광학에 적합합니다.
5. SiC 웨이퍼 FAQ
질문 1:우리는 170um 두께의 반절연 SiC를 원합니다. 가능할까요?
:현재 기술로 170um 두께의 4H-SiC 반절연을 성장시키는 것은 문제가 되지 않습니다.
질문 2:N타입과 반절연 4H SiC 웨이퍼의 차이점을 알려주세요.
:차이점은 N형 SiC 웨이퍼의 저항률은 <1ohm.cm인 반면, 반절연형 SiC 웨이퍼의 저항률은 >1E5ohm.cm입니다.
자세한 내용은 이메일로 문의해 주세요.victorchan@powerwaywafer.com 과 powerwaymaterial@gmail.com.