5-2-1의 SiC 재료 특성

5-2-1의 SiC 재료 특성

실리콘 카바이드 (SiC) 재료는 현재 연구 개발에서 시장 주도형 제조 제품으로 변모하고 있습니다. SiC 기판은 현재 세계의 녹색, 청색 및 자외선 발광 다이오드 (LED) 생산의 상당 부분을위한 기반으로 사용되고 있습니다. SiC 호모 에피 택시의 신흥 시장에는 고전력 스위칭 장치와 S 및 X 대역 용 마이크로파 장치가 포함됩니다. SiC 기판에서 헤테로 에피 택셜 GaN 기반 구조를위한 애플리케이션에는 LED 및 마이크로파 장치가 포함됩니다. 이러한 흥미로운 장치 결과는 주로 Si 및 GaAs와 비교하여 SiC가 제공하는 고유 한 전기 및 열 물리적 특성을 활용 한 결과입니다. 그 중에는 고온 작동 및 방사 저항을위한 큰 밴드 갭; 고전력 출력을위한 높은 임계 항복 장; 고주파 작동을위한 높은 포화 전자 속도; 고전력 장치의 열 관리를위한 훨씬 더 높은 열전도율.

2018-06-28

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