6″ 프라임 EPI 웨이퍼
PAM XIAMEN은 6인치 Prime EPI 웨이퍼를 제공합니다.
6″ EPI 웨이퍼
직경: 6″ (150 +-0,5mm)
방향: <100>
기본 플랫 길이: 57.5mm+/-2.5mm
1차 플랫: <110> +/- 1
보조 아파트 없음
전체 두께 280-325μm
TTV <10um
날실/활 <50um
TIR <3um
EPI 레이어:
-유형: n
-도펀트: P(인)
– 저항률: 10-16ohm cm
– 두께: 10-15 미크론
기질:
-유형: n
-도펀트: Sb(안티몬)
– 저항률: 0.008-0.025ohm·cm
– 두께: 290±20 um (백래핑 도입 없음)
1. 에피택셜 층의 중심 저항률 값의 편차 ≤±5%
2. 에피택셜 층의 저항률 균일성은 ≤±3%입니다.
3. 에피택셜 층의 두께 중심 값의 편차는 ≤±5%입니다.
4. 에피택셜 층의 두께 균일성 ≤±3%
5. 적층전위밀도 10/cm2
6. 슬립 라인 5, 전체 길이는 웨이퍼 반경을 초과하지 않습니다.
7. 안개, 긁힘, 구덩이, 오렌지 껍질, 균열, 가장자리 파손/조각, 불순물,
뒷면 얼룩 없음
8. 관상면 마진, 표면 높이가 에피택셜 두께의 1/3을 초과하지 않음
9. 점 결함 SEMI 표준: Particle@>0.3μm, <20개
자세한 내용은 당사 웹사이트를 방문하십시오:https://www.powerwaywafer.com,
우리에게 이메일을 보내[email protected] 과 [email protected]
1990년에 설립된 Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd(PAM-XIAMEN)는 중국 최고의 반도체 재료 제조업체입니다.PAM-XIAMEN은 고급 결정 성장 및 에피택시 기술, 제조 공정, 엔지니어링 기판 및 반도체 장치를 개발합니다.PAM-XIAMEN의 기술은 반도체 웨이퍼의 더 높은 성능과 더 낮은 비용의 제조를 가능하게 합니다.
PAM-XIAMEN은 1세대 게르마늄 웨이퍼, MBE 또는 MOCVD로 성장한 Ga, Al, In, As 및 P 기반 III-V 실리콘 도핑 n형 반도체 재료에 기판 성장 및 에피택시를 적용한 2세대 비소화 갈륨부터 LED 및 전력 장치 응용 분야를 위한 3세대 탄화 규소 및 질화 갈륨에 이르기까지 고급 결정 성장 및 에피택시 기술을 개발합니다.