빠른 충전을위한 650V GAN FETS 칩
Pam-Xiamen은 650V GAN FETS 칩을 빠른 충전으로 제공합니다. 현재 시장에서질화물 고속 충전 공급원주로 650V GAN 칩 (GAN FETS)을 전원 스위치로 사용하며 질화 갈륨의 고주파 특성은 크기가 작고 효율이 더 높은 터미널 빠른 충전 제품을 만드는 데 사용됩니다.
PAM65D150DNBI-TS 시리즈 650V, 150mΩ 질화물 (GAN) FETS는 일반적으로 온 장치입니다. Pam-Xiamen Gan Chip은 낮은 게이트 충전, 더 빠른 스위칭 속도 및 작은 역 복구 전하를 통해 더 나은 효율성을 제공하여 전통적인 실리콘 (SI) 장치에 비해 상당한 이점을 제공합니다. Pam-Xiamen은 세계적 수준의 혁신을 가진 최첨단 간 칩 제조업체 중 하나입니다.
1. 650V GAN FETS 칩의 매개 변수
| 상징 | 매개 변수 | 한계값 | 단위 |
| RθJC | 접합-케이스 | 1.3 | °C/W |
1.1 절대 최고 650V GaN 정격 FETS 칩 (달리 명시되지 않는 한 TC = 25 ° C)
| 상징 | 매개 변수 | 한계값 | 단위 | |
| VDSS | 소스 전압에 대한 드레인 | 650 | V | |
| VDSS | 게이트-소스 전압 | 一25~+2 | ||
| 신분증 | 연속 드레인 전류 @tc = 25 ° C | 15 | ㅏ | |
| 연속 드레인 전류 @tc = 100 ° C | 10 | |||
| IDM | 펄스 드레인 전류 | 65 | ㅏ | |
| PD | 최대 전력 소실 @ TC = 25 ° C | 65 | 여 | |
| TC | 작동 온도 | 케이스 | 一55~150 | ° C |
| TJ | 접합 | 一55~175 | ° C | |
| TS | 보관온도 | 一55~150 | ° C | |
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1.2 650V의 전기 매개 변수질화 갈륨 칩세트 (달리 명시되지 않는 한 TJ = 25 ° C)
| 상징 | 매개 변수 | 최소 | 일반 | 최대 | 단위 | 시험 조건 |
| 순방향 장치 특성 | ||||||
| V(BL)DS | 드레인 소스 전압 | — | 650 | — | V | Vcs=-25V |
| 광대) | 게이트 임계값 전압 | — | -18 | — | V | VD=Vas,ID=luA |
| RDS(켜기) | 드레인 소스 온저항 | — | 150 | 180 | MQ | Vcs=OV,ID-10A |
| — | — | — | VG=OV, ID-10A,T제이=150'C | |||
| LDss | 드레인-소스 누출 현재 |
— | — | 3 | UA | VD=650V,VG=-25V |
| — | — | 30 | VD=400V,VG=-25V, T=150'c |
|||
| 젊은 여자 | 게이트-소스 전달 누설 전류 |
— | 3.7 | 100 | nA의 | V지=2V |
| 게이트-소스 역방향 누설 전류 |
— | -3.5 | -100 | VGS=-25V | ||
| CIs | 입력 커패시턴스 | — | 650 | — | pF의 | vGs=-25V,VDS=300V,f=1MHz |
| 코스 | 출력 용량 | — | 40 | — | ||
| 씨RSS | 역 용량 | — | 10 | — | ||
| 큐지 | 총 게이트 요금 | — | 9 | — | 체크 안함 | VDS=200V,VGS=-25V ~ ov, INS=10A |
| 큐GS | 게이트 소스 전하 | — | 2 | — | ||
| 큐GD | 게이트-드레인 요금 | — | 7 | — | ||
| 텐 | 역회복 시간 | — | 4 | — | NS | =0A ~ 11A,VDD=400V di/dt=1000A/uS |
| 큐. | 역회복비 | — | 17 | — | 체크 안함 | — |
| TIX(온) | 켜기 지연 | — | 0.5 | — | — | VDs=200VVG=-25V ~ ov, 아이디=10A |
| tR | 상승 시간 | — | 9 | — | ||
| tD(꺼짐) | 끄기 지연 | — | 0.5 | — | ||
| TF | 가을 시간 | — | 10 | — | ||
| 역방향 장치 특성 | ||||||
| VSD | 역 전압 | — | 7 | — | V | VGS=-25V,Is=10A,Tc=25′C |
1.3 650V 간의 전형적인 특성충전기 칩 (달리 명시되지 않는 한 TJ = 25 ° C)
1.4 Test Circuit and Waveforms of 650V GaN Power 칩
1.5 PACKAGE DIMENSIONS of 650V GaN Chip
| ITEM | I.ow 1imit (mm) |
Center (mm) |
Upper 1imit (mm) |
| ㅏ | 0.80 | — | 1.00 |
| A1 | 0 | — | 0.05 |
| A2 | 0.15 | 0.25 | 0.35 |
| b | 0.9 | 1 | 1.1 |
| NS | 7.9 | 8 | 8.1 |
| D1 | 6.9 | 7 | 7.1 |
| D2 | 0.4 | 0.5 | 0.6 |
| D3 | 7.1 | 7.2 | 7.3 |
| D4 | 0.3 | 0.4 | 0.5 |
| E | 7.9 | 8 | 8.1 |
| E1 | 0.3 | 0.4 | 0.5 |
| E2 | 4.25 | 4.35 | 4.45 |
| E3 | 2.65 | 2.75 | 2.85 |
| e | 1.9 | — | 2.1 |
| L | 0.4 | 0.5 | 0.6 |
2. General Features of 650V GaN Power FETs
Easy to drive—compatible with standard gate drivers
Low conduction and switching losses
Low Qrr of 17nC—no free-wheeling diode
required
RoHS compliant and Halogen-free
3. Automotive of 650V GaN FETs Chip
Fast charger
Renewable energy
Telecom and data-com
Servo motors
Industrial
Automotive
4. Benefits of 650V GaN Chip
Increased efficiency through fast switching
Increased power density
Reduced system size and weight
As a representative of the third generation of semiconductor materials, when gallium nitride is used in fast charging devices, the output power of GaN chip devices is three times that of traditional materials in the case of the same size. GaN FET technology is redefining the standard for fast charging of mobile phones. The third-generation semiconductor industry is also ushering in new developments due to the application of gallium nitride.
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