6″FZ 프라임 실리콘 웨이퍼-2
PAM XIAMEN은 6″FZ Prime Silicon Wafer-2를 제공합니다.
6″ Si 웨이퍼, 직경 150mm, FZ 가스 도프, DSP, N(111), 저항률 5000-10,000Ωcm
| PARAMETER | 사양 | |
| 일반적인 특성 | ||
| 1 | 성장 방법 | FZ 가스 도프 |
| 2 | 결정 방향 | (111) |
| 3 | 전도도 유형 | 엔 |
| 4 | 도펀트 | 인. |
| 5 | 공칭 모서리 제외 | 6mm |
| 전기적 특성 | ||
| 6 | 비저항 | 5000 – 10,000Wcm |
| 7 | 생활 시간 | >1500μ초 |
| 화학적 특성 | ||
| 8 | 산소 농도 | < 2xE16/cm3 |
| 9 | 탄소 농도 | < 2xE16/cm3 |
| 웨이퍼 준비 특성 | ||
| 10 | 전면상태 | 광택, DSP |
| 11 | 가장자리 표면 상태 | 지정되지 않음 |
| 치수 특성 | ||
| 12 | 직경 | 150 ± 0.2mm |
| 13 | 1차 플랫 길이 | 57.5±2.5mm |
| 14 | 기본 평면 방향 | {110} ± 1° |
| 15 | 2차 플랫 길이 | 없음 |
| 16 | 엣지 프로필 | SEMI M1 표준에 따르면 |
| 17 | 두께, 중심점 | 320±15μm |
| 18 | 총 두께 변화, 최대 | 10μm |
| 19 | 활, 맥스 | 40μm |
| 20 | 워프, 맥스 | 40μm |
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