삼중접합 태양전지
우리는 MOCVD 기술로 제조되고 상당히 높은 효율을 제공하는 고품질 III-V 화합물 재료로 제작된 GaInP/GaAs/Ge 삼중 접합 셀을 실행하고 있습니다. 기존 태양전지와 비교하여 다중접합 태양전지는 더 효율적이지만 제조 비용도 더 비쌉니다. 삼중 접합 셀이 더 비용 효율적입니다. 그들은 우주 응용 분야에 사용됩니다. 이제 우리는 다음과 같은 GaInP/GaAs/Ge 에피 웨이퍼 구조를 제공합니다.
1. GaInP/GaAs/Ge Epi 웨이퍼 사양
| 두께(음) | ||||||
| 층 | 자료 | 몰 | 몰 | 유형 | 이력서 수준(cm-3) | |
| 분수(x) | 분수(y) | |||||
| 15 | GaIn (x) As | 0.016 | 0.2 | NS | > 5.00e18 | |
| 14 | Al (x) InP | 0.04 | NS | 5.00E+17 | ||
| 13 | GaIn (x) P | 0.1 | NS | 2.00E+18 | ||
| 12 | GaIn (x) P | 0.5 | 피 | |||
| 11 | AlIn (x) P | 0.1 | 피 | |||
| 10 | Al (x) GaAs | 0.015 | 피 | |||
| 9 | 갈륨 비소 | 0.015 | NS | |||
| 8 | GaIn (x) P | 0.554 | 0.1 | NS | ||
| 7 | GaIn (x) As | 0.016 | 0.1 | NS | ||
| 6 | GaIn (x) As | 0.016 | 3 | 피 | 1-2e17 | |
| 5 | GaIn (x) P | 0.554 | 0.1 | 피 | 1-2e18 | |
| 4 | Al (x) GaAs | 0.4 | 0.03 | 피 | 5.00E+19 | |
| 3 | 갈륨 비소 | 0.03 | NS | 2.00E+19 | ||
| 2 | GaIn (x) As | 0.016 | 0.5 | NS | 2.00E+18 | |
| 1 | GaIn (x) P | 0.554 | 0.06 | NS |
우리는 또한 단일 접합 및 이중 접합 InGaP/GaAs 태양 전지의 에피 웨이퍼를 제공하며, 태양 전지 응용을 위해 GaAs에서 성장한 에피택셜 층(AlGaAs,InGaP)의 다양한 구조를 갖추고 있습니다. 클릭하십시오.태양전지용 InGaP/GaAs Epi 웨이퍼
2. GaInP/GaAs/Ge 웨이퍼의 XRD
그림 a, b는 GaInP/GaAs/Ge 웨이퍼의 결정 품질에 대한 XRD를 보여줍니다.
에이.
비.
출처:PAM-XIAMEN
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