GaAs 기판 및 에피 택셜 웨이퍼 용 EPD
Q : 기판 및 에피 아래에 대해 보장 된 EPD를 조언 해 주시겠습니까? 갈륨 비소 웨이퍼, P / E 2 ″ Ø × 380 ± 25µm, LEC SI 도핑되지 않은 GaAs :-[100] ± 0.5 °, n 형 Ro = (0.8E8-0.9E8) Ohmcm, 단면 연마, 후면 사이드 매트 에칭, 2 개의 플랫, LT-GaAs EPI : 1-2µm, 비저항> 1E7 Ohm-cm, 캐리어 수명 <1ps, 단일 웨이퍼 카세트에서 질소로 밀봉. A : 전위 밀도 <1 × 10 ^ 6cm-2