Q : 기판 및 에피 아래에 대해 보장 된 EPD를 조언 해 주시겠습니까? 갈륨 비소 웨이퍼, P / E 2 ″ Ø × 380 ± 25µm, LEC SI 도핑되지 않은 GaAs :-[100] ± 0.5 °, n 형 Ro = (0.8E8-0.9E8) Ohmcm, 단면 연마, 후면 사이드 매트 에칭, 2 개의 플랫, LT-GaAs EPI : 1-2µm, 비저항> 1E7 Ohm-cm, 캐리어 수명 <1ps, 단일 웨이퍼 카세트에서 질소로 밀봉. A : 전위 밀도 <1 × 10 ^ 6cm-2
The InGaAsP material epitaxially grown on the InP substrate is an important material for the fabrication of optoelectronic and microwave devices. The emission wavelength of InGaAsP / InP laser structure covers 1.0-1.7μm, covering two low-loss windows of 1.3μm and 1.55μm for silica fiber communication. Therefore, InGaAsP is widely used [...]
Q : IR LED에 4 ″ AlGaAs epi 웨이퍼를 공급할 수 있습니까? : 예, 우리는 850nm 또는 620nm 4 "크기.
Q : 청색 LED 웨이퍼의 테스트 보고서에는 Vf 및 IV (mcd)가 표시됩니다. 웨이퍼를 장치로 실제로 처리하지 않고이 mcd를 어떻게 측정합니까? A : 프로브 장비를 사용하고 양극과 음극에 접촉하고 전류를 연결 한 다음 전압과 IV를 얻습니다.
Q : 사파이어의 GaN의 경우 어느 쪽이 epi-ready인지 알려주세요. A : Ga-face, Epi-ready 및 N face는 사파이어에 연결됩니다.
Q : 빨간색 LED 에피 웨이퍼와 관련하여 에피 웨이퍼 구조의 상단 레이어 또는 캡 레이어는 어떻습니까? A : 이전과 마찬가지로 최상위 계층에는 p + GaAs (여러 나노 미터 만 해당)가 있지만 기술 혁신으로 인해이 2 년 동안 모든 파운드리에서이 계층과 GaP를 [...]
Q : 가격에 p 및 n 금속 접점 제조가 포함됩니까? 그렇지 않은 경우 내 설계에 따라 p 및 n 접점과 SiO2 패시베이션을 제작할 수 있습니까? 이것은 더 큰 프로젝트로 바뀔 수 있습니다. A : 죄송합니다, 우리는 p와 n 금속 접촉의 제작을 제공 할 수 없습니다, 또한 우리는 할 수 있습니다 ...]
Q : 평면 사파이어 기판에 어떤 웨이퍼 크기를 제공합니까? A : 현재 우리는 평평한 사파이어 기판에 2 인치 웨이퍼를 제공 할 수 있습니다.
Q: After MOCVD, do you anneal the wafer for p-GaN activation? A:Yes! We will anneal the wafer for p-GaN activation
Q:For pss wafer, the light comes out from the p-GaN side not from sapphire, so I can’t do flipchip packaging. Also I don’t know whether laser liftoff is possible for pss wafer. A:LED light is sourcing from mqw light, emitting in all directions, p-GaN is positive(front side), it will naturally [...]
