5-1 소개
5-1 소개 실리콘 카바이드 (SiC) 계 반도체 디바이스 및 전자 회로는 현재 고온, 고출력, 종래의 반도체 적절히 수행 할 수있는 아래에 고 방사선 환경에서 사용하기 위해 개발되고있다. 같은 극한의 상황에서도 작동하는 실리콘 카바이드의 능력은 애플리케이션과 시스템의 멀리에 이르기까지 다양한 상당한 개선을 가능하게 할 것으로 예상된다. 이 범위 [...]
5-2-1의 SiC 재료 특성
실리콘 카바이드 (SiC) 소재는 현재 시장 중심의 생산 제품에 대한 연구 및 개발에서 metamorphosing된다. 의 SiC 기판은, 현재, 녹색, 청색, 자외선 발광 다이오드 (LED)의 세계 생산의 큰 부분에 대한 기본으로 사용된다. SiC를 호모 에피 택시를위한 신흥 시장 고전력 스위칭 포함 ...]
5-2-1-1 SiC를 결정학
5-2-1-1 SiC를 결정학 탄화 규소는 여러 가지 결정 구조라는 폴리 타입에 발생합니다. 모든 폴리 타입의 SiC는 화학적으로 공유 결합으로 50 %의 실리콘 원자와 결합 된 50 %의 탄소 원자로 구성되어 있음에도 불구하고, 각각의 폴리 타입의 SiC 전기적 반도체 특성 자체의 고유 세트를 갖는다. 공지 100 이상이 있지만 [...]
5-2-1-2 전기적 특성
SiC 서 결정 격자 내의 Si 및 C 원자의 상이한 이로써 5-2-1-2 전기적 특성은, 각각의 SiC는 폴리 타입 고유 기본적인 전기 광학 특성을 나타낸다. 3C, 4H 및 6H 폴리 타입의 SiC의 중요한 반도체 전기적 특성의 일부를 표 5.1에 나와있다. 더 상세한 전기 [...]
5-2-2-1 SiC를 결정학 : 중요 폴리 타입 및 정의
5-2-2-1 SiC를 결정학 : 중요 폴리 타입 및 정의 실리콘 카바이드는 여러 가지 결정 구조라는 폴리 타입에 발생합니다. SiC를 결정학 polytypism하는보다 포괄적 인 개요는 모두 SiC를 폴리 타입은 화학적으로 공유 결합으로 50 %의 실리콘 원자와 결합 된 50 %의 탄소 원자로 구성되어 있음에도 불구하고 참조 9에서 발견 될 수 있고, 각각의 SiC [...]
5-2-2-2의 SiC 반도체 전기적 특성
SiC 서 결정 격자 내의 Si 및 C 원자의 상이한 이로써 5-2-2-2의 SiC 반도체 전기적 특성은, 각각의 SiC는 폴리 타입 고유 기본적인 전기 광학 특성을 나타낸다. 3C, 4H 및 6H 폴리 타입의 SiC의 중요한 반도체 전기적 특성의 일부를 표 5.1에 나와있다. 많은 [...]
5-3 응용 프로그램 및 SiC를 전자의 장점
5-3 응용 프로그램 및 SiC를 기반 전자가 제공하는 가장 유리한 장점 SiC를 전자 두의 장점은 높은 온도와 높은 전원 장치 작동의 영역에 있습니다. 고온 및 전력 기능을 가능하게하는 특정의 SiC 디바이스 물리 혁신적인 시스템 레벨 성능 향상의 몇 가지 예에서, 첫 번째 조사한다 이러한 향상된 기능 [...]
5-3-1 고온 장치 작동
5-3-1 고온 디바이스 동작 넓은 밴드 갭 에너지와 SiC로 낮은 진성 캐리어 농도의 SiC가 훨씬 차례로 실리콘보다 훨씬 높은 온도의 SiC 반도체 장치의 기능을 허용하는 실리콘보다 높은 온도, 반도체 동작을 유지 할 수있다. 기본적인 반도체 전자 디바이스 물리 교과서에서 논의 된 바와 같이, 반도체 전자 [...]
5-3-2 높은 전원 장치 작동
5-3-2 고전력 소자 동작 높은 파괴 전계 및 높은 동작 접합 온도 결합의 SiC의 높은 열 전도성은 이론적으로 높은 전력 밀도와 매우 효율이 SiC를 장치로 실현되도록 허용한다. 규소 SiC를 상대의 높은 파괴 전계가되도록 전원 장치의 전압 차단 영역을 가능하게 [...]
고전력 고온의 SiC 디바이스의 5-3-3 시스템의 장점
높은 온도와 높은 전력의 SiC 전자의 고전력 고온의 SiC 디바이스 비 냉각 작업의 5-3-3 시스템의 장점은 항공 우주 시스템에 혁신적인 개선을 가능하게한다. 유압 제어 실질적인 제트 항공기 중량 절감을 가능하게 가혹한 작동 온도 분산 가능한 "스마트"전기 제어, 감소 유지, 감소 된 오염 보조 전원 유닛의 교체를 높은 연료 ...]