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기사 제목 :특성화 및 시판의 탄화 규소의 비교 (SIC)의 전원 스위치

에 의해 출판 됨:

K. Haehre; M. Meisser; F. DENK; R. 클링

기술의 카를 스루에 Instiute (KIT), 조명 기술 연구소 (LTI), 독일, Engesserstr. 13, D-76131 카를 스루

SiC를 웨이퍼의 사진 :

추상

이 논문에서 노멀 시판의 SiC 디바이스의 전기적 및 열적 특성과 -off JFETs뿐만 아니라, 높은 전압의 Si- MOSFET의 MOSFET이 제공된다. 언급 된 특성을 비교하고 SiC를 전원 스위치들에 기초하여 전력 전자 장치를 설계 할 때 제한 요소가되는 특성을 나타낸다.

Subjuect (들) :SiC를, JFET, MOSFET, 스위칭 손실, 열 분석

하문 Powerway 고급 재료 유한 회사 (PAM-하문) 또는 Powerway 웨이퍼 유한 제한에서 웨이퍼를 사용하기위한 기술 추상적

"... [9] J. 루츠, H. Schlangenotto, U. Scheuermann 및 R. 드 Doncker, 반도체 전원 장치, 하이델베르크 :. 출판사 (Springer-Verlag), 2011 년 [10] 하문 POWERWAY 신소재 CO, ISilicon 카바이드 기판 - 제품 사양 "샤먼, 중국, 2011 ..."

출처 :https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/6242017/authors

하문 Powerway 고급 재료 유한 공사 소개

PAM-하문은 연구원과 산업 제조업체의 다른 품질 등급으로 반도체 실리콘 카바이드 웨이퍼, 6H의 SiC 및 4H SiC를 웨이퍼를 제공합니다. 우리는 SiC를 결정 성장 기술과의 SiC 웨이퍼 가공 기술을 개발했다. 우리는 사용자 박막 (실리콘 카바이드), 실리콘 카바이드 장치의 개발 6H 또는 4H SiC를 기판 상에 에피 택시를 제공한다. SiC를 에피 웨이퍼는 주로 쇼트 키 다이오드, 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터, 접합 전계 효과에 이용된다.

PAM-XIAMEN은 에피 택셜 성장을 웨이퍼 기판에서의 GaAs / InP의 GaN로 물질을 제공한다.

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