가스브 웨이퍼
PAM-XIAMEN은 LEC(Liquid Encapsulated Czochralski)에 의해 성장한 n형, p형 또는 반절연의 다른 방향(111) 또는 (100)을 갖춘 epi-ready 또는 기계적 등급으로 성장한 화합물 반도체 GaSb 웨이퍼(갈륨 안티모나이드)를 제공합니다.
- 설명
설명
PAM-XIAMEN은 화합물 반도체 GaSb 웨이퍼를 제공합니다 –갈륨 안티몬화물갈륨 안티몬화물의 결함을 줄일 수 있는 LEC(Liquid Encapsulated Czochralski)로 성장했습니다. GaSb 웨이퍼는 n 유형, p 유형 또는 다양한 방향(111) 또는 (100)의 반절연을 갖춘 Epi-Ready 또는 기계적 등급입니다.
갈륨 안티몬화물(GaSb)은 III-V족 갈륨과 안티몬의 반도체 화합물입니다. 격자 상수는 약 0.61 nm입니다. GaSb 웨이퍼는 적외선 감지기, 적외선 LED, 레이저 및 트랜지스터, 열광발전 시스템에 사용할 수 있습니다.
웨이퍼의 세부 사양은 다음과 같습니다.
2″(50.8mm)GaSb 웨이퍼 사양
3″(50.8mm)GaSb 웨이퍼 사양
4″(100mm) GaSb 웨이퍼 사양
2″ GaSb 웨이퍼 사양
| 편 | 명세서 | ||
| 도펀트 | 저농도 도핑 | 아연 | 텔루르 |
| 전도 유형 | P 형 | P 형 | N 형 |
| 웨이퍼 직경 | 2 " | ||
| 웨이퍼 오리엔테이션 | (100)는, ± 0.5 ° | ||
| 웨이퍼 두께 | 500 ± 25um | ||
| 1차 플랫 길이 | 16 ± 2mm | ||
| 2차 플랫 길이 | 8 ± 1mm | ||
| 캐리어 농도 | (1-2)x1017cm-3 | (5-100)x1017cm-3 | (1-20)x1017cm-3 |
| 유동성 | 600-700cm2/대 | 200-500cm2/대 | 2000-3500cm2/대 |
| EPD | <2×103cm-2 | ||
| TTV | <10um | ||
| 활 | <10um | ||
| 경사 | <12um | ||
| 레이저 마킹 | 요청에 따라 | ||
| 표면 마감 | P / E, P / P | ||
| 에피 준비 | 예 | ||
| 패키지 | 단일 웨이퍼 컨테이너 또는 카세트 | ||
3″ GaSb 웨이퍼 사양
| 편 | 명세서 | ||
| 전도 유형 | P 형 | P 형 | N 형 |
| 도펀트 | 저농도 도핑 | 아연 | 텔루르 |
| 웨이퍼 직경 | 삼" | ||
| 웨이퍼 오리엔테이션 | (100)는, ± 0.5 ° | ||
| 웨이퍼 두께 | 600 ± 25um | ||
| 1차 플랫 길이 | 22 ± 2mm | ||
| 2차 플랫 길이 | 11 ± 1mm | ||
| 캐리어 농도 | (1-2)x1017cm-3 | (5-100)x1017cm-3 | (1-20)x1017cm-3 |
| 유동성 | 600-700cm2/대 | 200-500cm2/대 | 2000-3500cm2/대 |
| EPD | <2×103cm-2 | ||
| TTV | <12um | ||
| 활 | <12um | ||
| 경사 | <15um | ||
| 레이저 마킹 | 요청에 따라 | ||
| 표면 마무리 | P / E, P / P | ||
| 준비 에피 | 예 | ||
| 패키지 | 단일 웨이퍼 컨테이너 또는 카세트 | ||
4″ GaSb 웨이퍼 사양
| 편 | 명세서 | ||
| 도펀트 | 저농도 도핑 | 아연 | 텔루르 |
| 전도 유형 | P 형 | P 형 | N 형 |
| 웨이퍼 직경 | 4 " | ||
| 웨이퍼 오리엔테이션 | (100)는, ± 0.5 ° | ||
| 웨이퍼 두께 | 800 ± 25um | ||
| 1차 플랫 길이 | 32.5 ± 2.5mm | ||
| 2차 플랫 길이 | 18 ± 1mm | ||
| 캐리어 농도 | (1-2)x1017cm-3 | (5-100)x1017cm-3 | (1-20)x1017cm-3 |
| 유동성 | 600-700cm2/대 | 200-500cm2/대 | 2000-3500cm2/대 |
| EPD | <2×103cm-2 | ||
| TTV | <15um | ||
| 활 | <15um | ||
| 경사 | <20um | ||
| 레이저 마킹 | 요청에 따라 | ||
| 표면 마무리 | P / E, P / P | ||
| 준비 에피 | 예 | ||
| 패키지 | 단일 웨이퍼 컨테이너 또는 카세트 | ||
1)2″(50.8mm),3″(76.2mm)GaSb 웨이퍼
방향:(100)±0.5°
두께(μm):500±25;600±25
유형/도펀트:P/낮은 도핑;P/Si;P/Zn
Nc(cm-3):(1~2)E17
이동성(cm2/V·s):600~700
성장 방법:CZ
폴란드어:SSP
2)2″(50.8mm)GaSb 웨이퍼
방향:(100)±0.5°
두께(μm):500±25;600±25
유형/도펀트:N/낮은 도핑;P/Te
Nc(cm-3):(1~5)E17
이동성(cm2/V·s):2500~3500
성장 방법:LEC
폴란드어:SSP
3)2″(50.8mm)GaSb 웨이퍼
방향:(111)A±0.5°
두께(μm):500±25
유형/도펀트:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
이동성(cm2/V·s):2500~3500;200~500
성장 방법:LEC
폴란드어:SSP
4)2″(50.8mm)GaSb 웨이퍼
방향:(111)B±0.5°
두께(μm):500±25;450±25
유형/도펀트:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
이동성(cm2/V·s):2500~3500;200~500
성장 방법:LEC
폴란드어:SSP
5)2″(50.8mm)GaSb 웨이퍼
방향:(111)B 2deg.off
두께(μm):500±25
유형/도펀트:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
이동성(cm2/V·s):2500~3500;200~500
성장 방법:LEC
폴란드어:SSP
상대 제품:
의 InAs 웨이퍼
InSb를 웨이퍼
InP의 웨이퍼
갈륨 비소 웨이퍼
GaSb 및 웨이퍼
갭 웨이퍼
안티몬화갈륨(GaSb)은 절단된 상태, 에칭된 상태 또는 광택 처리된 마감 처리된 웨이퍼로 공급될 수 있으며 다양한 캐리어 농도, 직경 및 두께로 제공됩니다.
GaSb 재료는 단일 접합 열광발전(TPV) 장치에 대한 흥미로운 안티몬화 갈륨 특성을 나타냅니다. GaSb: Cz(Cz) 또는 수정된 Czochralski(Mo-Cz) 방법으로 성장한 Te 단결정이 제시되고 Te 균질성의 문제가 논의됩니다. 캐리어 이동도는 갈륨 안티몬화물 결정의 핵심 포인트 중 하나이므로 홀 측정이 수행됩니다. 여기서는 재료 가공 관점에 기초한 몇 가지 보완적인 개발을 제시합니다: 벌크 안티몬화 갈륨 결정 성장, 안티몬화 갈륨 웨이퍼 준비 및 안티몬화 갈륨 웨이퍼 에칭. 이후의 후속 단계는 p/no rn/p 접합 정교화와 관련이 있습니다. 다양한 박층 정교화 접근법에 대해 얻은 일부 결과가 제시됩니다. 따라서 간단한 기상 확산 공정이나 액상 에피택시 공정부터 금속 유기 화학 기상 증착 공정까지, 우리는 몇 가지 재료 특이성을 보고합니다.
우리는 또한 갈륨 안티모나이드 웨이퍼 에피 서비스를 제공합니다. 예를 들면 다음과 같습니다.
2인치 크기의 GaSb 에피 웨이퍼:
에피층: 두께 0.5um, 도핑되지 않은/p 유형 GaSb 에피층(도핑되지 않은 InP 에피층도 사용 가능),
기판:2” 반절연 GaAs
주목:
중국 정부는 갈륨 재료(GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, GaSb 등)와 반도체 칩 제조에 사용되는 게르마늄 재료의 수출에 대한 새로운 제한을 발표했습니다. 2023년 8월 1일부터 이러한 자재의 수출은 중국 상무부로부터 허가를 받은 경우에만 허용됩니다. 여러분의 이해와 협력을 바랍니다!
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