GaSb 웨이퍼

PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor GaSb wafer – gallium antimonide which are grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111) or (100).

  • 기술

제품 설명

PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor GaSb wafer – 갈륨 안티몬 grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski), which can reduce the defects of gallium antimonide. The GaSb wafer is epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111) or (100).

Gallium antimonide (GaSb) is a semiconducting compound of gallium and antimony of the III-V family. It has a lattice constant of about 0.61 nm. GaSb wafers can be used for Infrared detectors,infrared LEDs and lasers and transistors, and thermophotovoltaic systems.

Here is the detail specification of wafer:

2 ″ (50.8mm) GaSb 웨이퍼 사양

3 ″ (50.8mm) GaSb 웨이퍼 사양

4 ″ (100mm) GaSb 웨이퍼 사양

 

2 ″ GaSb 웨이퍼 사양

명세서
도펀트 도핑 아연 텔루르
전도 유형 P 형 P 형 N 형
웨이퍼 직경 2 "
웨이퍼 방향 (100)는, ± 0.5 °
웨이퍼 두께 500 ± 25um
기본 평면 길이 16 ± 2mm
차 평면 길이 8 ± 1mm
캐리어 농도 (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
유동성 600-700cm2/V.s 200-500cm2/V.s 2000-3500cm2/V.s
EPD <2×103cm-2
TTV <10um
<10um
경사 <12um
레이저 마킹 요청에 따라
표면 마감 P / E, P / P
에피 준비
패키지 단일 웨이퍼 용기 또는 카세트

 

3 ″ GaSb 웨이퍼 사양

명세서
전도 유형 P 형 P 형 N 형
도펀트 도핑 아연 텔루르
웨이퍼 직경 삼"
웨이퍼 방향 (100)는, ± 0.5 °
웨이퍼 두께 600 ± 25um
기본 평면 길이 22 ± 2mm
차 평면 길이 11 ± 1mm
캐리어 농도 (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
유동성 600-700cm2/V.s 200-500cm2/V.s 2000-3500cm2/V.s
EPD <2×103cm-2
TTV <12um
<12um
경사 <15um
레이저 마킹 요청에 따라
Suface 마무리 P / E, P / P
준비 에피
패키지 단일 웨이퍼 용기 또는 카세트

 

4 ″ GaSb 웨이퍼 사양

명세서
도펀트 도핑 아연 텔루르
전도 유형 P 형 P 형 N 형
웨이퍼 직경 4 "
웨이퍼 방향 (100)는, ± 0.5 °
웨이퍼 두께 800 ± 25um
기본 평면 길이 32.5 ± 2.5mm
차 평면 길이 18 ± 1mm
캐리어 농도 (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
유동성 600-700cm2/V.s 200-500cm2/V.s 2000-3500cm2/V.s
EPD <2×103cm-2
TTV <15um
<15um
경사 <20um
레이저 마킹 요청에 따라
Suface 마무리 P / E, P / P
준비 에피
패키지 단일 웨이퍼 용기 또는 카세트

 

1) 2 ″ (50.8mm), 3 ″ (76.2mm) GaSb 웨이퍼

오리엔테이션 : (100) ± 0.5 °
두께 (μm) : 500 ± 25; 600 ± 25
타입 / 도펀트 : P / 언 도핑; P / Si; P / Zn
Nc (cm-3) :( 1 ~ 2) E17
기동성 (cm2 / V · s) : 600 ~ 700
성장 방법 : CZ
폴란드어 : SSP

2) 2 ″ (50.8mm) GaSb 웨이퍼
오리엔테이션 : (100) ± 0.5 °
두께 (μm) : 500 ± 25; 600 ± 25
타입 / 도펀트 : N / 언 도핑; P / Te
Nc (cm-3) :( 1 ~ 5) E17
기동성 (cm2 / V · s) : 2500 ~ 3500
성장 방법 : LEC
폴란드어 : SSP

3) 2 ″ (50.8mm) GaSb 웨이퍼
오리엔테이션 : (111) A ± 0.5 °
두께 (μm) : 500 ± 25
유형 / 도펀트 : N / Te; P / Zn
Nc (cm-3) :( 1 ~ 5) E17
기동성 (cm2 / V · s) : 2500 ~ 3500; 200 ~ 500
성장 방법 : LEC
폴란드어 : SSP

4) 2 ″ (50.8mm) GaSb 웨이퍼
오리엔테이션 : (111) B ± 0.5 °
두께 (μm) : 500 ± 25; 450 ± 25
유형 / 도펀트 : N / Te; P / Zn
Nc (cm-3) :( 1 ~ 5) E17
기동성 (cm2 / V · s) : 2500 ~ 3500; 200 ~ 500
성장 방법 : LEC
폴란드어 : SSP

5) 2 ″ (50.8mm) GaSb 웨이퍼
오리엔테이션 : (111) B 2deg.off
두께 (μm) : 500 ± 25
유형 / 도펀트 : N / Te; P / Zn
Nc (cm-3) :( 1 ~ 5) E17
기동성 (cm2 / V · s) : 2500 ~ 3500; 200 ~ 500
성장 방법 : LEC
폴란드어 : SSP

상대 제품 :
의 InAs 웨이퍼
InSb를 웨이퍼
InP의 웨이퍼
갈륨 비소 웨이퍼
GaSb 및 웨이퍼
갭 웨이퍼

갈륨 안티몬화물 (GaSb)은 절단, 에칭 또는 광택 마감 처리 된 웨이퍼로 공급할 수 있으며 광범위한 캐리어 농도, 직경 및 두께로 제공됩니다.

GaSb material presents interesting gallium antimonide properties for single junction thermophotovoltaic (TPV) devices. GaSb: Te single crystal grown with Czochralski (Cz) or modified Czo- chralski (Mo-Cz) methods are presented and the problem of Te homogeneity discussed. As the carrier mobility is one of the key points for the gallium antimonide crystals, Hall measurements are carried out. We present here some complementary developments based on the material processing point of view: the bulk gallium antimonide crystal growth, the gallium antimonide wafer preparation, and the gallium antimonide wafer etching. Subsequent steps after these are related to the p / no r n/p junction elaboration. Some results obtained for different thin-layer elaboration approaches are presented. So from the simple vapor phase diffusion process or the liquid phase epitaxy process up to the metal organic chemical vapor deposition process, we report some material specificity.

We also offer gallium antimonide wafer epi service, take below as an example:

2”크기 GaSb 에피 웨이퍼 :
Epi layer: Thikness 0.5 um, undoped/p type GaSb epi layer (undoped InP epi layer also available),
Substrate:2” semi-insulating GaAs

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