의 InAs 웨이퍼

제품 설명

PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor InAs wafer – indium arsenide wafer which is grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111)(100) or (110). In addition, InAs single crystal has high electron mobility and is an ideal material for making Hall devices.

Indium arsenide, InAs, is a semiconductor composed of indium and arsenic. It has the appearance of grey cubic crystals with a melting point of 942 °C and lattice constant of 0.6058nm, and the indidum arsenide crystal structure is a zinc blende structure. Indium arsenide wafer is used for construction of infrared detectors, for the wavelength range of 1–3.8 µm. The detectors are usually photovoltaic photodiodes. Cryogenically cooled detectors have lower noise, but InAs detectors can be used in higher-power applications at room temperature as well. Because of the superior indium arsenide properties, indium arsenide thin films are also used for making of diode lasers.

Indium arsenide band gap is a direct transition, which is similar to gallium arsenide, and the forbidden band width is (300K)0.45eV. Indium arsenide is sometimes used together with indium phosphide. Alloyed with gallium arsenide, it forms indium gallium arsenide – a material with band gap dependent on In/Ga ratio, a method principally similar to alloying indium nitride with gallium nitride to yield indium gallium nitride.

다음은 세부 사양은 다음과 같습니다

2 "(이 50.8mm)의 InAs 웨이퍼 규격

3 "(76.2mm)의 InAs 웨이퍼 규격

4 "(100mm)의 InAs 웨이퍼 규격

2 "의 InAs 웨이퍼 규격

	명세서
도펀트	low doped	태늄	황	아연
전도 유형	N 형	N 형	N 형	P 형
웨이퍼 직경	2 "
웨이퍼 방향	(111)±0.5° , (110)±0.5°
웨이퍼 두께	500 ± 25um
기본 평면 길이	16 ± 2mm
차 평면 길이	8 ± 1mm
캐리어 농도	5×1016cm-3	(5-20)x1017cm-3	(1-10)x1017cm-3	(1-10)x1017cm-3
유동성	≥2×104cm2/V.s	7000-20000cm2/V.s	6000-20000cm2/V.s	100-400cm2/V.s
EPD	<5×104cm-2	<5×104cm-2	<3×104cm-2	<3×104cm-2
TTV	<10um
활	<10um
경사	<12um
레이저 마킹	요청에 따라
Suface 마무리	P / E, P / P
준비 에피	예
패키지	단일 웨이퍼 용기 또는 카세트

 

3″ InAs Wafer Specification

	명세서
도펀트	low doped	태늄	황	아연
전도 유형	N 형	N 형	N 형	P 형
웨이퍼 직경	삼"
웨이퍼 방향	(111)±0.5° , (110)±0.5°
웨이퍼 두께	600 ± 25um
기본 평면 길이	22 ± 2mm
차 평면 길이	11 ± 1mm
캐리어 농도	5×1016cm-3	(5-20)x1017cm-3	(1-10)x1017cm-3	(1-10)x1017cm-3
유동성	≥2×104cm2/V.s	7000-20000cm2/V.s	6000-20000cm2/V.s	100-400cm2/V.s
EPD	<5×104cm-2	<5×104cm-2	<3×104cm-2	<3×104cm-2
TTV	<12um
활	<12um
경사	<15um
레이저 마킹	요청에 따라
Suface 마무리	P / E, P / P
준비 에피	예
패키지	단일 웨이퍼 용기 또는 카세트

4″ InAs Wafer Specification

	명세서
도펀트	low doped	태늄	황	아연
전도 유형	N 형	N 형	N 형	P 형
웨이퍼 직경	4 "
웨이퍼 방향	(111)±0.5° , (110)±0.5°
웨이퍼 두께	900 ± 25um
기본 평면 길이	16 ± 2mm
차 평면 길이	8 ± 1mm
캐리어 농도	5×1016cm-3	(5-20)x1017cm-3	(1-10)x1017cm-3	(1-10)x1017cm-3
유동성	≥2×104cm2/V.s	7000-20000cm2/V.s	6000-20000cm2/V.s	100-400cm2/V.s
EPD	<5×104cm-2	<5×104cm-2	<3×104cm-2	<3×104cm-2
TTV	<15um
활	<15um
경사	<20um
레이저 마킹	요청에 따라
Suface 마무리	P / E, P / P
준비 에피	예
패키지	단일 웨이퍼 용기 또는 카세트

 

Stitched Flatness Map of InAs Wafer

 

 

Wafer Spec(example):

1) 2 '(이 50.8mm)의 InAs
Type/Dopant:N/S
Orientation：[111B]±0.5°
Thickness：500±25um
Epi-Ready
SSP

2) 2 '(이 50.8mm)의 InAs
Type/Dopant:N/low doped
Orientation : (111)B
Thickness：500um±25um
SSP

3) 2 '(이 50.8mm)의 InAs
Type/Dopant:N / low doped
Orientation : <111>A ±0.5°
Thickness：500um±25um
epi-ready
Ra<=0.5nm
Carrier Concentration(cm-3):1E16~3E16
Mobility(cm -2 ):>20000
EPD（cm -2 ）:<15000
SSP

4) 2 '(이 50.8mm)의 InAs
Type/Dopant:N/low doped
Orientation : <100> with [001]O.F.
Thickness：2mm
AS cut

5) 2 '(이 50.8mm)의 InAs
Type/Dopant:N/P
Orientation ：(100),
Carrier Concentration(cm-3)：(5-10)E17,
Thickness：500 um
SSP

6)Indium Arsenide wafers,
2″Ø×500±25µm,
p-type InAs:Zn
(110)±0.5°,
Nc=(1-3)E18/cc ,
Both-sides-polished,
Sealed under nitrogen in single wafer cassette.

 

모든 웨이퍼는 높은 품질의 에피 택시 준비가 마무리로 제공됩니다. 표면을 Surfscan 헤이즈 입자 모니터링, 분광 엘립 소메 방목 입사 간섭계를 포함 실내 고급 광학 메트 롤로 지 기술에 의해 특징 지어진다

n 형 (1 0 0)의 InAs 웨이퍼 표면에서의 전자의 축적 층의 광학 특성에 소둔 온도의 영향은 라만 분광법에 의해 조사되었다. 인한 차폐 LO 포논 산란에 의한 라만 피크의 InAs 표면에 전자 축적 층이 어닐링에 의해 제거되는 것을 나타낸다 승온, 사라 것을 나타낸다. 침범기구는 X 선 광전자 분광법, X 선 회절 및 고해상도 투과 전자 현미경에 의해 분석 하였다. 이 결과는 비정질의 In2O3 및 As2O3를 단계 어닐링 중에 InAs를 표면에 형성되고, 한편, 산화 층과 웨이퍼 사이의 계면에서의 층으로하는 박막 결정은 또한 생성되는 것을 보여준다 표면 전자 축적의 두께가 감소되는 리드 으로의 adatoms 이후 층 수용체 타입의 표면 상태를 소개합니다.

The emission wavelength of InAs is 3.34μm, and lattice-matched In-GaAsSb, InAsPSb and InAsSb multi-epitaxial materials can be grown on the indium arsenide substrates, which can manufacture lasers and detectors for optical fiber communication in the 2～4μm band.

We also offer InAs wafer epi service, take below as an example:

2”size InAs epi wafer(PAM190730-INAS):
Epi layer: Thikness 0.5 um, InAs epi layer(undoped, n type),
Substrate:2” semi-insulating GaAs

More details about InAs epi wafer, please refer to:

InAs Heteroepitaxy

상대 제품 :
의 InAs 웨이퍼
InSb를 웨이퍼
InP의 웨이퍼
갈륨 비소 웨이퍼
GaSb 및 웨이퍼
갭 웨이퍼

Indium Arsenide Ingot with Zinc Blende Structure Grown By VGF