비도핑, N 유형 또는 반절연을 포함한 프라임 또는 테스트 등급의 InP(인화인듐) 웨이퍼

InP wafer

PAM-XIAMEN은 낮은 도핑, N 유형 또는 반절연을 포함한 프라임 또는 테스트 등급의 VGF InP(인화인듐) 웨이퍼를 제공합니다. InP 웨이퍼의 이동도는 유형에 따라 다릅니다. 저도핑된 것>=3000cm2/Vs, N 유형>1000 또는 2000cm2V.s(다른 도핑 농도에 따라 다름), P 유형: 60+/-10 또는 80+/-10cm2 /Vs(다른 Zn 도핑 농도에 따라 다름) 및 반모욕적인 것>2000cm2/Vs, 인듐의 EPD 인화물은 일반적으로 500/cm2 미만입니다.

Description

설명

InP의 웨이퍼

선도적인 InP 웨이퍼 공급업체인 PAM-XIAMEN은 화합물 반도체 InP 웨이퍼를 제공합니다.Indium PhosphideLEC(Liquid Encapsulated Czochralski) 또는 VGF(Vertical Gradient Freeze)에 의해 n형, p형 또는 반절연형의 epi-ready 또는 기계적 등급으로 재배됩니다. InP 웨이퍼 방향(111) 또는 (100)을 사용할 수 있습니다. 그리고 도펀트는 황, Sn(주석), 아연 또는 관습이 될 수 있습니다. 기본 평면과 함께 InP 웨이퍼 뒷면에 지정된 레이저 마크입니다. [110]]±0.025° 방향으로 (100)0.075°와 같이 약간의 편향 각도가 있는 방향을 사용할 수 있습니다.

인듐인화물(InP)은 인듐과 인으로 구성된 이원 반도체입니다. 이는 GaAs 및 대부분의 III-V 반도체와 동일한 면심 입방체("아연 혼합") 결정 구조를 가지고 있습니다. 인화인듐은 400°C에서 백린과 요오드화인듐의 반응(설명 필요)으로부터 제조할 수 있으며, 또한 고온 및 고압에서 정제된 원소를 직접 결합하거나 트리알킬 인듐 화합물의 혼합물을 열분해하여 제조할 수 있습니다. 그리고 인화물. 인화인듐 웨이퍼는 보다 일반적인 반도체인 실리콘 및 갈륨 비소에 비해 전자 속도가 우수하기 때문에 고전력 및 고주파 전자 장치[인용 필요]에 사용됩니다. 당사가 제공할 수 있는 InP 웨이퍼 크기는 2”, 3”, 4”이며, InP 웨이퍼 두께는 350~625um입니다.

세부 사양은 다음과 같습니다.

2″ InP 웨이퍼 사양

	명세서
도펀트	N 형	N 형	P 형	SI형
전도 유형	저농도 도핑	황	아연	철
웨이퍼 직경	2 "
웨이퍼 오리엔테이션	(100)는, ± 0.5 °
웨이퍼 두께	최소：325 최대：375
1차 플랫 길이	16 ± 2mm
2차 플랫 길이	8 ± 1mm
캐리어 농도	3×1016cm-3	(0.8-6)x1018cm-3	(0.6-6)x1018cm-3	N / A
유동성	(3.5-4)x103cm2/대	(1.5-3.5)x103cm2/Vs	50-70×103cm2/대	>1000cm2/대
비저항	N / A	N / A	N / A	N / A
EPD	<1000cm-2	<500cm-2	<1×103cm-2	<5×103cm-2
TTV	<10um
활	<10um
경사	<12um
레이저 마킹	요청에 따라
표면 마무리	P / E, P / P
준비 에피	예
패키지	단일 웨이퍼 컨테이너 또는 카세트

2″ P형 InP 웨이퍼 사양

	매개 변수	UOM
자료	InP를
전도 유형/도펀트	SCP/Zn
학년	초기
직경:	50.5±0.4	MM
정위:	(100)는, ± 0.5 °
방향 각도:	/
두께:	최소：325 최대：375	음
캐리어 농도:	최소：0.6E18 최대：3E18	센티미터^-3
저항력:	최소：/ 최대：/	ohm.cm
유동성:	최소：/ 최대：/	센티미터^-2/V.초
EPD :	Ave<:최대 1000<:/	센티미터^-2
TTV :	최대：10	음
TIR :	최대：10	음
활:	최대：10	음
경사:	최대：15	음
플랫 옵션:	EJ
기본 평면 방향:	(0-1-1)
기본 평면 길이:	16 ± 1	MM
보조 평면 방향:	(0-11)
보조 평면 길이:	7±1	MM
표면:	측면 1:광택 측면 2:에칭
모서리 라운딩	0.25(SEMI 규격 준수)	mmR
입자 수:	/
패키지	N으로 채워진 개별 용기₂
에피 준비	예
레이저 마킹	뒷면 메이저 플랫
말:	특별 사양은 별도로 논의됩니다.

3″ InP 웨이퍼 사양

	명세서
도펀트	N 형	N 형	P 형	SI형
전도 유형	저농도 도핑	황	아연	철
웨이퍼 직경	삼"
웨이퍼 오리엔테이션	(100)는, ± 0.5 °
웨이퍼 두께	600 ± 25um
1차 플랫 길이	16 ± 2mm
2차 플랫 길이	8 ± 1mm
캐리어 농도	≤3×1016cm-3	(0.8-6)x1018cm-3	(0.6-6)x1018cm-3	N / A
유동성	(3.5-4)x103cm2/대	(1.5-3.5)x103cm2/Vs	50-70×103cm2/대	>1000cm2/대
비저항	N / A	N / A	N / A	N / A
EPD	<1000cm-2	<500cm-2	<1×103cm-2	<5×103cm-2
TTV	<12um
활	<12um
경사	<15um
레이저 마킹	요청에 따라
표면 마무리	P / E, P / P
준비 에피	예
패키지	단일 웨이퍼 컨테이너 또는 카세트

4″ InP 웨이퍼 사양

	명세서
도펀트	N 형	N 형	P 형	SI형
전도 유형	저농도 도핑	황	아연	철
웨이퍼 직경	4 "
웨이퍼 오리엔테이션	(100)는, ± 0.5 °
웨이퍼 두께	600 ± 25um
1차 플랫 길이	16 ± 2mm
2차 플랫 길이	8 ± 1mm
캐리어 농도	≤3×1016cm-3	(0.8-6)x1018cm-3	(0.6-6)x1018cm-3	N / A
유동성	(3.5-4)x103cm2/대	(1.5-3.5)x103cm2/Vs	50-70×103cm2/대	>1000cm2/대
비저항	N / A	N / A	N / A	N / A
EPD	<1000cm-2	<500cm-2	<1×103cm-2	<5×103cm-2
TTV	<15um
활	<15um
경사	<15um
레이저 마킹	요청에 따라
표면 마무리	P / E, P / P
준비 에피	예
패키지	단일 웨이퍼 컨테이너 또는 카세트

6″ S-도핑된 InP 웨이퍼 사양

6인치(150mm) InP 단결정 웨이퍼(PAM07282026)
매개 변수	값
직경	150±0.3mm
두께	675±25um
성장 방법	VGF
학년	프라임 등급(Epi 지원)
도펀트	에스
정위	<110>±0.05° 방향으로 (100)0.075°off
방향 각도	225
노치	± 2°
노치 깊이	1.00-1.25mm
노치 각도	89°-95°
CC	(2-8)E18/cm³
비저항	N / A
유동성	≥1000cm²/v·s
EPD-AVE	≤2000/cm²
TTV	≤10um
TIR	≤10um
활	≤15um
경사	≤15um
레이저 마킹	노치 근처의 전면
전면	우아한
뒷면	우아한
입자 수	N / A

PL(Photoluminescent) 테스트인듐 인화물웨이퍼

우리는 Peak Lambda, Peak int 및 FWHM로 InP 웨이퍼를 측정하며 스펙트럼 매핑은 다음과 같습니다.

InP 웨이퍼의 스펙트럼 매핑

InP 웨이퍼 애플리케이션 정보

InP 웨이퍼는 새로운 형태의 화합물 반도체 소재로 시장점유율이 점차 높아지고 있다. 뛰어난 인화인듐 특성으로 인해 InP 재료로 제작된 마이크로파 전원 장치, 마이크로파 증폭기 및 게이트 FET의 성능은 기존 갈륨 비소 재료로 제작된 것보다 우수합니다. 인듐 인화물 이종접합 레이저는 또한 광섬유 통신에서 매우 유망한 광원입니다.

성장하는 밀리미터파 마이크로 전자 장치 및 광섬유 통신용 광전자 장치 재료와 같은 장치용 InP 웨이퍼 제조가 널리 사용됩니다. 장치 성능이 지속적으로 개선되고 장치 크기가 감소함에 따라 인듐 인화물 웨이퍼에 대한 품질 요구 사항이 점점 더 높아지고 있습니다. 따라서 InP 웨이퍼 공정은 점차 최적화되고 있다.

일반적인 값은 아래 데이터를 참조하십시오.