InSb wafer

PAM-XIAMEN은 화합물 반도체 InSb 웨이퍼 - LEC(Liquid Encapsulated Czochralski)에 의해 n 유형, p 유형 또는 다른 방향(111) 또는 (100)의 반절연을 갖춘 Epi-Ready 또는 기계적 등급으로 성장한 안티몬화 인듐 웨이퍼를 제공합니다. 등전자로 도핑된 안티몬화인듐(예: N 도핑)은 안티몬화인듐 박막 제조 공정 중 결함 밀도를 줄일 수 있습니다.

  • Description

제품 설명

PAM-XIAMEN은 화합물 반도체 InSb 웨이퍼를 제공합니다 –Indium antimonideLEC(Liquid Encapsulated Czochralski)에 의해 n 유형, p 유형 또는 다른 방향(111) 또는 (100)의 반절연을 갖춘 epi-ready 또는 기계적 등급으로 성장된 웨이퍼입니다. 등전자로 도핑된 안티몬화인듐(예: N 도핑)은 안티몬화인듐 박막 제조 공정 중 결함 밀도를 줄일 수 있습니다.

안티몬화인듐(InSb)은 인듐(In)과 안티몬(Sb) 원소로 만들어진 결정성 화합물입니다. 열화상 카메라, FLIR 시스템, 적외선 유도 미사일 유도 시스템 및 적외선 천문학을 포함한 적외선 탐지기에 사용되는 III-V 그룹의 좁은 간격 반도체 소재입니다. 안티몬화인듐 검출기는 1~5μm 파장 사이에서 민감합니다. 안티몬화인듐은 기계적으로 스캔되는 오래된 단일 감지기 열화상 시스템에서 매우 일반적인 감지기였습니다. 또 다른 응용 분야는 강력한 광-Dember 방출기인 테라헤르츠 방사선 소스입니다.

 
Wafer Specification
Specifications
Wafer Diameter 2″50.5±0.5mm
3″76.2±0.4mm
4″1000.0±0.5mm
Crystal Orientation 2″(111)AorB±0.1°
3″(111)A또는B±0.1°
4″(111)AorB±0.1°
Thickness 2″625±25um
3″ 800or900±25um
4″1000±25um
Primary flat length 2″16±2mm
3″22±2mm
4″32.5±2.5mm
보조 평면 길이 2″8±1mm
3″11±1mm
4″18±1mm
Surface Finish P/E, P/P
Package Epi-Ready,Single wafer container or CF cassette
Electrical and Doping Specification
Conduction Type n-type n-type n-type n-type p-type
Dopant 저농도 도핑 Tellurium Low tellurium High tellurium Genmanium
EPDcm-2 2″3″4″≤50 2″≤100
이동성 cm² V-1s-1 ≥4*105 ≥2.5*104 ≥2.5*105 Not Specified 8000-4000
캐리어 농도 cm-3 5*1013-3*1014 (1-7)*1017 4*1014-2*1015 ≥1*1018 5*1014-3*1015

 

 

1)2″(50.8mm)InSb 웨이퍼
오리엔테이션 :(100)
유형/도펀트:N/저 도핑
직경: 50.8mm
두께:300±25μm;500um
NC:<2E14a/cm3
폴란드어:SSP

2)2″(50.8mm)InSb 웨이퍼
오리엔테이션 :(100)
유형/도펀트:N/Te
직경: 50.8mm
캐리어 농도: 0.8 – 2.1 x 1015 cm-3
두께:450+/- 25um;525±25μm
EPD < 200cm-2
폴란드어:SSP

3)2″(50.8mm)InSb 기판
방향:(111) + 0.5°
두께:450+/- 50 음
유형/도펀트:N/저 도핑
캐리어 농도: < 5 x 10^14 cm-3
EPD < 5 x 103cm-2
표면 거칠기: < 15A
보우/워프: < 30um
폴란드어:SSP

4)2″(50.8mm)InSb 기판
방향:(111) + 0.5°
유형/도펀트:P/Ge
폴란드어:SSP

5)2″(50.8mm)안티몬화 인듐 웨이퍼
두께:525±25μm,
방향: [111A]±0.5°
유형/도펀트:N/Te
Ro=(0.020-0.028)옴cm,
Nc=(4-8)E14cm-3/cc,
u=(4.05E5-4.33E5)cm²/Vs,
EPD<100/cm²,
유동성:> 1E4cm2 / Vs
한쪽 가장자리;
(A) 면: 0.1μm까지 화학적으로 기계적 최종 연마(최종 연마),
Sb(B) 면: <5μm까지 화학적으로 기계적으로 최종 연마됨(Lasermark),
참고: Nc와 이동성은 77°K입니다.
폴란드어:SSP;DSP

6)2″(50.8mm) GaSb
두께:525±25μm,
방향: [111B]±0.5°,
유형/도펀트:P/낮게 도핑됨;N/낮게 도핑됨
폴란드어:SSP;DSP

Surface Condition and other Specification
안티몬화 인듐 웨이퍼는 광범위한 도핑 농도와 두께를 갖춘 그대로, 에칭 또는 광택 마감 처리된 웨이퍼로 제공될 수 있습니다. InSb 웨이퍼는 고품질의 Epi-Ready 마감 처리가 가능합니다.

Orientation Specification

Indium antimonide surface orientations are supplied to an accuracy of +/- 0.5 degrees using a triple axis X-Ray diffractometer system. Indium antimonide substrates can also be supplied with very precise misorientations in any direction from the growth plane. The available InSb wafer orientation could be (100),(111), (110) or other orientation or mis degree.

Packaging condition

Polished wafer: individually sealed in two outer bags in inert atmosphere. Cassette shipments are available if required.
As-cut Wafer: Cassette shipment. (Glassine bag available on request).

Indium Antimonide Properties and Uses

The indium antimonide crystal structure is silver, brittle, and zinc blende structure. The indium antimonide lattice constant is 6.48 Å, and indium antimonide is a direct bandgap material with a narrow band gap of 0.18 eV. The indium antimonide conduction electron mobility is as high as 7800 cm2/V·s , which can be used to make infrared detectors, photomagnetic detectors and Hall devices.

Relative products:
의 InAs 웨이퍼
InSb를 웨이퍼
InP의 웨이퍼
갈륨 비소 웨이퍼
GaSb wafer
GaP wafer

InSb Epi Wafer

Differential Magnetoresistive Sensor

InSb Magnetoresistance (MR) Sensor

InSb Detector 

Uncooled Infrared Detector

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