결정 성장로
Bridgman 결정 성장로는 반도체의 텔 루륨 카드뮴 아연, 카드뮴 텔루 라이드, hgcdte 결정 성장에 적용 할 수있는 회사 독립적 인 연구 개발 장비의 새로운 유형의 결정 성장입니다. 이 장치는 고정밀, 높은 안정성, 간단한 작동의 특성을 가지고 있습니다.
자세한 내용은 이메일을 보내주십시오victorchan@powerwaywafer.com
결정 성장로
Bridgman 결정 성장로는 반도체의 텔 루륨 카드뮴 아연, 카드뮴 텔루 라이드, hgcdte 결정 성장에 적용 할 수있는 회사 독립적 인 연구 개발 장비의 새로운 유형의 결정 성장입니다. 이 장치는 고정밀, 높은 안정성, 간단한 작동의 특성을 가지고 있습니다.
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Single crystal germanium wafer with orientation (110) miscut toward <111> with 4 deg. or 12 deg. is provided without dopant. Due to the similar chemical properties with silicon, single crystal germanium has similar applications. While hall effect germanium wafer has higher sensitivity to gamma [...]
PAM XIAMEN offers 3″ Silicon Wafer. Material Orient. Diam. Thck (μm) Surf. Resistivity Ωcm Comment p-type Si:B [111] 3″ 300 P/P 0.3-0.4 SEMI Prime p-type Si:B [111] 3″ 250 P/E 0.10-0.12 SEMI Prime p-type Si:B [111] 3″ 300 P/E 0.03-0.04 SEMI Prime p-type Si:B [111] 3″ 380 P/E 0.014-0.015 SEMI Prime p-type Si:B [111-1°] 3″ 1000 P/E 0.014-0.016 SEMI Prime p-type Si:B [111] 3″ 600 P/P 0.005-0.020 SEMI Prime p-type Si:B [111-3.5°] 3″ 380 P/E 0.004-0.005 SEMI Prime n-type Si:P [510] 3″ 1000 P/E/P 5-10 Prime, NO Flatst n-type Si:P [100] 3″ 9500 P/E 15-22 SEMI Prime, Individual cst n-type Si:P [100] 3″ 300 P/E 10-20 SEMI Prime n-type Si:P [100] 3″ 380 P/E 10-20 SEMI Prime n-type Si:P [100] 3″ 3000 P/E/P 10-12 Prime, NO Flats, Individual cst n-type Si:P [100] 3″ 1000 P/E 6-10 Prime, NO Flatst n-type Si:P [100] 3″ 1500 P/E 5-7 SEMI Prime n-type Si:P [100] 3″ 300 P/P 1-20 SEMI Prime n-type Si:P [100] 3″ 345 P/P 1-100 SEMI n-type Si:P [100] 3″ 350 P/P 1-25 SEMI Prime, TTV<1μm, Empak cst n-type [...]
Sapphire ingot can be offered by PAM-XIAMEN, one of sapphire ingot manufacturers. The chemical composition is alumina and is composed of three oxygen atoms and two aluminum atoms covalently bonded together. Sapphire crystal structure is a hexagonal lattice structure, and the commonly used section [...]
Light–Output Enhancement of Nano-Roughened GaN Laser Lift-Off Light-Emitting Diodes Formed by ICP Dry Etching In this paper, we report the fabrication and characteristics of nano-roughened GaN laser lift-off (LLO) light-emitting diodes (LEDs) with different scale surface roughness. The surface roughness of devices was controlled by [...]
PAM XIAMEN offers 1″ Silicon Wafer. Material Orient. Diam. Thck (μm) Surf. Resistivity Ωcm Comment p-type Si:B [111] ±0.5° 1″ 50 ±10 P/P 1-100 n-type Si:P [100] 1″ 50 ±10 P/P >20 SEMI Prime, TTV<5μm, in single wafer trays between clean-room sheets, MOQ 4 wafers n-type Si:P [100] 1″ 280 P/P 1-20 SEMI Prime n-type Si:P [100] 1″ 280 P/E 1-5 SEMI n-type Si:P [100] 1″ 1500 P/E 1-20 Prime, n-type Si:P [100] 1″ 525 P/E 0.05-0.15 SEMI n-type Si:P [111] 1″ 330 P/E FZ >90 Prime p-type Si:B [100] 1″ 775 P/E 8-12 SEMI Prime p-type Si:B [100] 24mm 300 P/E 1-100 Prime, p-type Si:B [100] 1″ 300 P/E 1-10 Prime, p-type Si:B [100] 1″ 500 P/E 1-10 p-type Si:B [100] 1″ 380 P/E 0.003-0.005 SEMI Prime p-type Si:B [100] 1″ 275 P/E 0.002-0.005 Prime n-type Si:P [100] 1″ 50 ±10 P/P >20 SEMI Prime, TTV<5μm, in single wafer trays [...]
PAM XIAMEN offers Mica disk. Pure Mica Sheet Highest Grade Mica Disks, 9.9mm diameter 10/pkg Highest Grade Mica Disks, 20mm diameter 10/pkg Highest Grade Mica Sheets, 15mm x 15mm (0.59” x 0.59″), 0.15 to 0.177mm (0.006-0.007″) thick, 10/pkg Hi-Grade Mica Sheets, 15mm x 15mm [...]
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