PAM 하문은 구리 코팅 실리콘을 제공합니다.

실리콘 웨이퍼 (4)에 구리 막 ", 400 nm 두께 -에서의 Cu-TI의 Si-4-400nm
따 / 실리콘 웨이퍼, 4 구리 필름 ", 100 nm 두께 - 구리 - 따 -시 - 4-100nm
타행에 구리 막 / 열 산화막 / 실리콘 웨이퍼, 4 ", 400 nm 두께 - 구리 따의 SiO2 / SI-4-400nm
티타늄 / 실리콘 웨이퍼 (4)에 구리 막 "의 Cu = 100 nm의 티 ,, = 20nm의 실리콘 (100) B-도핑 4"x0.525mm, R : 1-20 ohm.cm, 1SP
CU-의 SiO2-시 - 4-100n - 구리 필름은 따 /의 SiO2 / Si 웨이퍼 4 ", 100 nm 두께에 코팅
타행 / 실리콘 웨이퍼, 10mm X 5mm, 두께 100 nm의 구리 막,
타행 / 실리콘 웨이퍼, 10x10mm에 구리 막, 두께 100 nm - 구리 - 실리콘-TA-1010
타행 / 실리콘 웨이퍼를 5mm × 5 mm의 두께 100 nm의 구리 막,
타행 /의 SiO2 / Si 웨이퍼의 10x10x0.5mm 코팅 구리 막, 두께 100 nm - 구리 - 실리콘의 SiO2-1010
따 /의 SiO2 / Si 웨이퍼의 10x10x0.5mm에 코팅 된 구리 필름, 400 nm 두께 - 잘라 내기-TA-의 SiO2-시-1010-400 나노
따 /의 SiO2 / 실리콘 웨이퍼 5x5x0.5mm에 코팅 된 구리 필름, 400 nm 두께 - 잘라 내기-TA-의 SiO2-시-1010-400 나노

자세한 내용은 저희 웹 사이트를 방문하십시오 : https://www.powerwaywafer.com,
에서 우리에게 이메일을 보내 sales@powerwaywafer.com 과 powerwaymaterial@gmail.com

1990 년에 발견 하문 Powerway 고급 재료 유한 공사 (PAM-하문)는 중국에서 반도체 재료의 선도적 인 제조 업체입니다. PAM-XIAMEN 고급 크리스탈 성장 에피 택시 기술, 제조 공정 설계의 기판 및 반도체 장치를 개발하고있다. PAM-XIAMEN의 기술은 높은 성능 및 반도체 웨이퍼의 제조 비용 절감을 가능하게한다.

우리의 목표는 상관없이, 당신의 모든 요구 사항을 충족하지 얼마나 작은 주문 및 그들이 얼마나 어려운 질문이 될 수있다,
우리의 자격을 갖춘 제품과 만족스러운 서비스를 통해 모든 고객에 대한 지속적이고 수익성있는 성장을 유지합니다.