InAs 전자 눈사태 포토다이오드(e-APD) 에피웨이퍼 *S

인듐 비화물(InAs)적외선 애벌런치 포토다이오드(APD)를 제조하기 위한 반도체 재료 중 하나입니다. 단파 적외선 파장에서 InAs 기반 APD는 실온에서 약 3.55μm의 차단 파장에 해당하는 0.34eV의 눈에 띄는 직접 밴드갭으로 인해 높은 감지 효율을 제공합니다. 또한 강력한 스펙트럼 반응으로 인해 InAs APD는 1.67μm 및 3.4μm의 메탄과 2μm의 이산화탄소와 같은 일반적인 대기 가스의 원격 감지를 위한 유망한 검출기로 만들어졌습니다. InAs 전자 사태 광다이오드(e-APD) 에피택셜 웨이퍼는 참조용으로 다음 구조로 제공됩니다.

1. InAs 기반 전자 사태 포토다이오드 에피택셜 구조

No.1 핀 유형 눈사태 전자 포토다이오드 구조

No.2 nip Type 전자 눈사태 포토다이오드 구조

2. 전자 눈사태 포토다이오드 정보

전자 사태 광다이오드(e-APD)는 이론적으로 이상적인 APD의 많은 특성을 구현하며 새로운 유형의 사태 광다이오드를 나타냅니다. 이상적인 APD는 한 가지 유형의 캐리어에 의한 충격 이온화를 통해서만 이득을 달성해야 합니다. 이 상황에서 전자(α)와 정공(β)의 이온화 계수 비율(k)은 0에 가까워야 합니다. α = 0 또는 β = 0 조건은 모두 이론적으로 k = 0을 제공하지만 지금까지 β = 0인 APD만 시연되었습니다. 따라서 이러한 APD는 전자 충격 이온화로 인해 눈사태 증가가 발생하므로 e-APD라고 합니다. e-APD의 최대 펄스 응답 기간(증배 영역을 통한 전자와 정공의 이동 시간의 합과 동일)은 작동 이득에 관계없이 일정하게 유지됩니다. 이는 e-APD가 기존 APD와 달리 이득 대역폭 곱의 제약을 받지 않음을 의미합니다.

모든 기존 애벌런치 포토다이오드와 비교하여 e-APD는 고유한 피드백 없는 애벌런치 증폭 프로세스로 인해 세 가지 주요 이점을 제공합니다.

첫째, 핀 e-APD 및 닙 e-APD의 이득은 고전적인 갑작스러운 항복을 겪는 대신 전기장에 따라 기하급수적으로 증가하기 때문에 더 높은 선형 모드 이득을 더 쉽게 달성할 수 있습니다.

둘째, 고효율 전자 사태 포토다이오드의 과도한 잡음 계수(F)는 최소화되어 광전자 증배관의 잡음 계수와 매우 유사하며 지속적으로 2 미만으로 유지됩니다. 실제로 이온화 데드 스페이스가 평균 이온화 경로 길이에 비해 커지면, α−1, F는 1의 극한에 접근할 수 있습니다.

셋째, e-APD의 최대 펄스 응답 기간은 작동 이득과 관계없이 일정하게 유지되며, 이는 곱셈 영역의 전자 및 정공 이동 시간의 합과 동일합니다. 따라서 다른 모든 애벌런치 포토다이오드와 달리 고급 전자 애벌런치 포토다이오드 설계에는 이득 대역폭 곱 제한이 적용되지 않습니다.

InAs 전자 사태 포토다이오드 애플리케이션의 경우 InAs e-APD는 낮은 작동 전압이 유리하기 때문에 적외선 초점면 배열 이미징 애플리케이션에 관심을 가질 수 있습니다. 게다가, InAs 전자 개시 애벌런치 포토다이오드는 이득 대역폭 곱이나 단일 광자 검출 없이 광통신에 적용될 수 있습니다.

연구용 또는 산업 응용 분야용 InAs 에피웨이퍼가 필요한 경우 다음 주소로 이메일을 보내 문의해 주세요.[email protected] 과 [email protected].