PAM-XIAMEN은 공급할 수 있습니다갈륨 비소 웨이퍼EPD가 5000/cm 미만인 경우2.
Q: 아래 기판 및 에피에 대해 보장된 EPD에 대해 조언해 주시겠습니까?
갈륨 비소 웨이퍼, P/E 2″Ø×380±25μm,
LEC SI c doped GaAs:-[100]±0.5°, n-type Ro=(0.8E8-0.9E8)Ohmcm,
한쪽은 광택 처리, 뒷면은 무광택 에칭, 플랫 2개,
LT-GaAs EPI: 1-2μm, 저항률 >1E7 Ohm-cm, 캐리어 수명 <1ps,
단일 웨이퍼 카세트에 질소로 밀봉되어 있습니다.
A: 전위 밀도<1×10^6cm-2
EPD(Etch Pit Density)는 반도체 웨이퍼의 품질을 나타내는 척도입니다. 갈륨비소(GaAs) 산업에서는 기판의 EPD 수준이 소수 캐리어 장치의 신뢰성과 제조된 장치의 수율에 매우 중요하다는 것이 잘 알려져 있습니다. 이종 접합 바이폴라 트랜지스터(HBT) 및 유사 고전자 이동도 트랜지스터(pHEMT)와 같은 GaAs 전자 장치 생산에서 GaAs 기판의 EPD는 장치 수율을 결정하는 한 가지 요소입니다.
그렇다면 GaAs 기판의 EPD를 측정하는 방법은 무엇입니까? 저전위 밀도 GaAs 연마 웨이퍼의 에칭 피트 밀도를 테스트하기 위한 표준 방법은 다음과 같이 제안됩니다.
이 방법은 직경이 2인치와 3인치이고 EPD가 5000/cm 미만인 원형 GaAs 웨이퍼의 EPD 측정에 적용됩니다.2.
1. 연마된 GaAs 기판의 EPD 측정을 위한 방법 원리
GaAs 웨이퍼를 용융된 수산화칼륨으로 에칭한 후 부식 구멍의 수를 현미경으로 관찰하고 기록합니다.
2. EPD 결정 도구
현미경: 측정 시야 영역은 0.01 cm 여야 합니다.2또는 더 큰.
3. 화학 시약
# 황산(p=1.84 g/mL), 농도 95%~98%, 우수한 등급 순수;
# 과산화수소(p=1.00g/mL), 농도>=30%, 우수 등급;
# 수산화칼륨, 농도 >=85%, 우수한 등급 순수.
4. EPD 측정 단계
1) 직경 2인치 GaAs 웨이퍼와 3인치 웨이퍼의 계수 위치는 각각 그림 1과 2에 나와 있습니다. 계산점은 각 그리드의 중앙에 있습니다. 2인치 직경 웨이퍼의 경우 그리드 측면 길이는 5mm이고 총 계산 지점 수는 69개이며 35번째 지점은 웨이퍼 중앙에 위치합니다. 3인치 직경의 웨이퍼의 경우 그리드 측면 길이는 10mm이고 총 계산 지점 수는 37개이며 19번째 지점은 웨이퍼 중앙에 위치합니다.
2) 중심이 측정 시야 내에 있는 부식 피트의 수를 세고 기록합니다. 구덩이의 밀도가 너무 높아 셀 수 없을 경우 배율을 높입니다. 그런 다음 부식 구멍의 수를 세고 현미경 배율과 함께 결과를 기록합니다.
3) 다른 모든 계수점, 즉 2인치 갈륨 비소 웨이퍼의 경우 2~69점, 3인치 웨이퍼의 경우 2~37점에 대해 2)에 설명된 작업을 반복합니다.
그림 1 2″ 직경 GaAs 웨이퍼의 카운팅 위치
그림 2 3″ 직경 GaAs 웨이퍼의 카운팅 위치
5. 에칭 피트 밀도 계산
각 측정 필드의 EPD는 해당 필드의 부식 피트 수를 필드 면적으로 나눈 값과 같습니다. 즉,
EPD=W/S.......................................... (1)
공식에서:
W — 에칭 피트의 수, 수;
S — 시야 영역(cm)2.
예: 측정 필드 크기가 0.1cmx0.1cm이고 시야 영역이 0.01cm입니다.2.
자세한 내용은 이메일로 문의해 주세요.victorchan@powerwaywafer.com 과 powerwaymaterial@gmail.com.