PAM-XIAMEN은 균일한 도핑 농도와 균일한 방사 저항 분포로 FZ 중성자 변환 도핑(NTD) 실리콘 웨이퍼를 제공할 수 있습니다. 현재 실리콘 재료는 여전히 전자 정보 산업에서 가장 중요한 기초 재료입니다. 반도체 장치의 95% 이상과 집적 회로의 99% 이상이 실리콘 재료로 만들어집니다. 앞으로 수십 년 동안,고급 실리콘 단결정 재료전자정보산업 발전의 중요한 초석이 될 것입니다. FZ NTD 실리콘 웨이퍼에 대한 추가 정보는 다음과 같습니다.
1. FZ NTD 실리콘 웨이퍼(PAM-20210514 FZNTD) 사양
항목 1 :
| FZ NTD 실리콘 웨이퍼 | |
| 크기 | 4” |
| 두께 | 100.0±0.5mm |
| 직경 | 460±15μm |
| 성장 방법 | FZ |
| 종류 / 도펀트 | N형/Si:P |
| 정위 | [111-4°]±0.5° |
| 저항 | (55-75)옴*cm |
| TTV | <5μm |
| 활 | <20μm |
| 경사 | <30μm |
| TIR | <5μm |
| MCC 평생 | >1,000µs |
| 표면 마감 | 한면 광택, 뒷면 에칭 |
| 가장자리 | 반올림 |
| 패키지 | Empak 또는 이에 상응하는 카세트로 밀봉 |
| 논평 | SEMI 프라임당, SEMI 플랫 |
항목 2 :
| FZ NTD 실리콘 웨이퍼 | |
| 크기 | 4” |
| 두께 | 100.0±0.5mm |
| 직경 | 460±15μm |
| 종류 / 도펀트 | N형/Si:P |
| 정위 | [111-4°]±0.5° |
| 저항 | (55-75)옴*cm |
| 산소 | <1E16 |
| TTV | <5μm |
| 활 | <20μm |
| 경사 | <30μm |
| TIR | <5μm |
| MCC 평생 | >1,000µs |
| 표면 마감 | 한면 광택, 뒷면 에칭 |
| 가장자리 | 반올림 |
| 패키지 | Empak 또는 이에 상응하는 카세트로 밀봉 |
| 논평 | SEMI 프라임당, SEMI 플랫 |
2. FZ 중성자 변환 도핑 실리콘 웨이퍼 목록
| 웨이퍼 번호 | 웨이퍼 크기 | 우아한 | 유형 / 방향 | 웨이퍼 두께 (um) | 저항(Ohm.cm) | 수량 (Pcs) |
| PAM-XIAMEN-WAFER-#F74 | 4 " | SSP, FZNTD | N100 | 280 ± 10 | 1001-1200 | 5 |
| PAM-XIAMEN-WAFER-#F150 | 6 " | FZNTD | N100 | 625 ± 15 | 65±15% | 2575 |
| PAM-XIAMEN-WAFER-#F155 | 6 " | SSP, FZNTD | N100 | 625 ± 15 | 60-70 | 6 |
| PAM-XIAMEN-WAFER-#F169 | 4 " | SSP, FZNTD | N100 | 450 ± 10 | 400-440 | 25 |
| PAM-XIAMEN-WAFER-#F172 | 5 " | SSP, FZNTD | N111 | 390-410 | 300-500 | 75 |
| PAM-XIAMEN-WAFER-#F304 | 4 " | SSP, FZNTD | N100 | 525 ± 25 | 450-550 | 87 |
3. NTD 프로세스란 무엇입니까?
NTD는 중성자 조사를 사용하여 재료를 도핑하는 기술입니다. 가장 큰 장점은 도핑된 불순물의 농도가 매우 균일하다는 것입니다. 도펀트가 완전히 균일하게 분포되어 있으며 최대 및 최소 도펀트 농도의 차이가 없으므로 장치가 완벽한 성능에 도달합니다.
반도체 물질은 중성자로 갇힌 원자의 일부를 만들기 위해 중성자로 조사된 다음 도핑 프로세스를 달성하기 위해 필요한 다른 원자(도펀트)로 붕괴됩니다. 순수한 P형 단결정 실리콘 소재는 열중성자 조사하에서 핵반응을 일으키고, 붕괴생성물(31P)의 출현으로 인해 원래의 단결정 실리콘에 인이 도핑되어 고저항 N형 단결정 실리콘을 얻는다. 재료. 저항률 균일성(단면의 균일성 포함)이 양호하고 불균일성이 5% 미만일 수 있기 때문에 FZ NTD 실리콘 웨이퍼는 기존 FZ 단결정 실리콘 재료보다 훨씬 우수합니다. 따라서 FZ NTD 실리콘 웨이퍼는 반도체 검출기의 성능을 향상시키는 데 매우 유용합니다.
4. FZ NTD 실리콘 웨이퍼 응용
FZ NTD 실리콘 단결정은 주로 발전소, 신 에너지 차량, 변압기 변환기 부품 및 기타 분야에서 사용됩니다. 예를 들어 대상 카메라 튜브의 응용을 예로 들면 FZ 중성자 변환 도핑 실리콘 웨이퍼의 응용은 실리콘 대상 카메라 튜브의 준비입니다. 실리콘 타겟은 800,000개 이상의 다이오드로 구성된 다중 다이오드 어레이입니다. 실리콘 재료의 균일성은 매우 엄격해야 하며 미세한 도핑 변동이 없을 것입니다. 일반적인 경우 수익률이 매우 낮습니다.FZ 실리콘 웨이퍼FZ NTD 실리콘 단결정이 사용되는 동안 수율을 크게 높일 수 있습니다.
요컨대, FZ NTD 실리콘 웨이퍼는 매우 유망합니다. 기존의 실리콘 단결정 제조 방식을 깨고 실리콘 소재 공정에 새로운 활력을 불어넣습니다. 가까운 장래에 FZ NTD 실리콘 웨이퍼 시장 점유율이 급격히 증가할 것으로 믿어집니다.
자세한 내용은 다음 주소로 이메일을 보내주십시오. victorchan@powerwaywafer.com 과 powerwaymaterial@gmail.com.