Ga2O3-β 결정 기판
산화갈륨(Ga2O3)은 상대적으로 복잡한 구조를 갖는 직접 초광대역 밴드갭 반도체입니다. Ga2O3에는 5개의 이성질체, 즉 α, β, γ, ε 및 δ가 있습니다. 이들 5개 결정상은 특정 조건 하에서 상변태와 상호변태를 겪을 수 있으며, 그 중 β-Ga2O3가 가장 안정하고 일반적인 상입니다. 베타갈륨산화물 소재는 현재 반도체 산업에서 가장 많이 연구되고 응용에 가장 가까운 소재로, 그 산업화는 주로 β상 Ga2O3에 집중되어 있다.PAM-하문다음 사양을 참고로 N형 및 반절연 베타 Ga2O3 기판을 제공할 수 있습니다.
1. 베타 Ga2O3 결정 기판의 사양
1.1 반절연 베타 Ga2O3 크리스탈 웨이퍼
No. 1 (-201) 방향의 50.8mm Ga2O3-β 웨이퍼
PAM210730 - βGAO
| 2인치 베타 Ga2O3 기판 | ||
| 정위 | (-201) | |
| 도펀트 | 철 | |
| 전도도 | 반절연(>1010Ω.cm) | |
| 치수 | AB(mm) | 50.8 ± 0.3 |
| CD(mm) | 49.5 ± 0.3 | |
| 두께(mm) | 0.68 ± 0.02 | |
| 오프셋 각도(도) | [010] : 0 ± 1 | |
| [100] : -0.7 ± 1 | ||
| FWHM (ARCSEC) | [010] : 150 이하 | |
| [102] : 150 이하 | ||
| 표면 | 앞 | CMP |
| 백 | 연마 | |
2번 50.8mm 반절연 β-Ga2O3 (100) 또는 (010) 기판
| 2inch β-Ga2O3 기판 | ||
| 크리스탈 방향 | (100) | (010) |
| 도핑 | 마그네슘/Fe | |
| 비저항 | ≥1010Ω · cm | ≥108Ω · cm |
| 이중 크리스탈 흔들림 곡선 절반 너비는 최대 절반입니다 | ≤150 아크 Sec | ≤250 아크초 |
| 전위 밀도 | <1 × 105센티미터-2 | |
| 크기 | 직경 | 두께 |
| 50.8±0.5mm | 0.50 ± 0.02mm | |
| 오리엔테이션 플랫 | [010] 방향 | 방향 |
| 표면 | SSP / DSP | |
| 라<0.5nm | ||
| 결정 평면 편차 <± 1 ° | ||
3번 100mm 반절연 베타 Ga2O3 기판
| 4인치 β-Ga2O3 기판 | ||
| 크리스탈 방향 | (100) | |
| 도핑 | 마그네슘/Fe | |
| 비저항 | ≥1010Ω · cm | |
| 이중 크리스탈 흔들림 곡선 절반 너비는 최대 절반입니다 | ≤150 아크 Sec | |
| 전위 밀도 | <1 × 105센티미터-2 | |
| 크기 | 직경 | 두께 |
| 100.0±0.5mm | 0.50 ± 0.02mm | |
| 오리엔테이션 플랫 | [010] 방향 | |
| 표면 | SSP / DSP | |
| 라<0.5nm | ||
| 결정 평면 편차 <± 1 ° | ||
No.4 (100) & (001) 배향 정사각형 β-Ga2O3 기판, 반절연형
| 사각형 β-GA2O3 기질 | |||
| 크리스탈 방향 | (100) | (001) | |
| 도핑 | 마그네슘/Fe | ||
| 비저항 | ≥1010Ω · cm | ≥108Ω · cm | |
| 이중 크리스탈 흔들림 곡선 절반 너비는 최대 절반입니다 | ≤150 아크 Sec | ≤250 아크초 | |
| 전위 밀도 | <1 × 105센티미터-2 | ||
| 크기 | AB | CD | 두께 |
| 10.0 ± 0.2mm | 10.5 ± 0.2mm | 0.5 (± 0.02) mm | |
| 플랫 | 긴면은 [010] 방향입니다 | ||
| 표면 | SSP / DSP | ||
| 라<0.5nm | |||
| 결정 평면 편차 <± 1 ° | |||
5호 정사각형 β-Ga2O3(010) 반절연 기판
| 사각형 β-GA2O3 기질 | |||
| 크리스탈 방향 | （010） | ||
| 도핑 | 마그네슘/Fe | ||
| 비저항 | ≥108Ω · cm | ||
| 이중 크리스탈 흔들림 곡선 절반 너비는 최대 절반입니다 | ≤150 아크 Sec | ||
| 전위 밀도 | <1 × 105센티미터-2 | ||
| 크기 | AB | CD | 두께 |
| 20.0±0.2mm | 21.0±0.2mm | 0.5 (± 0.02) mm | |
| 오리엔테이션 플랫 | 긴면은 [001] 방향입니다 | ||
| 표면 | SSP / DSP | ||
| 라<0.5nm | |||
| 결정 평면 편차 <± 1 ° | |||
No. 6 Ga2O3-β 단결정 기판, <010>+/-1° ori, 1″x0.35mm, 2SP, 연구 등급 “Twin”
기판 사양 :
화학: β-Ga2O3
구조 : 모노 클리닉
격자 상수 : a = 12.23a, b = 3.04a, c = 5.80a, ß = 103.7 °
방향: <010> +/-1°
크기: 1″ 직경. x 0.35mm
전도 유형: 반절연, Fe 도핑
도핑 밀도(Fe): SIMS 기준 ~5E17.
전면 마감: Epi-ready, RMS <0.5nm
뒷면 마감: 광학 광택 처리
1.2N형 β-Ga2O3 웨이퍼
1호 50.8mm N형 β-Ga2O3 기판, (100) 방향
| 2inch β-Ga2O3 기판 | ||
| 크리스탈 방향 | (100) | |
| 도핑 | 주석 | |
| 비저항 | 0.01 ~ 0.07Ω · cm | |
| 이중 크리스탈 흔들림 곡선 절반 너비는 최대 절반입니다 | ≤150 아크 Sec | |
| 전위 밀도 | <1 × 105센티미터-2 | |
| 크기 | 직경 | 두께 |
| 50.8±0.5mm | 0.50 ± 0.02mm | |
| 오리엔테이션 플랫 | [010] 방향 | |
| 표면 | SSP / DSP | |
| 라<0.5nm | ||
| 결정 평면 편차 <± 1 ° | ||
2호 100mm N형 β-Ga2O3(100) 기판
| 4인치 β-Ga2O3 기판 | ||
| 크리스탈 방향 | (100) | |
| 도핑 | 주석 | |
| 비저항 | 0.01 ~ 0.07Ω · cm | |
| 이중 크리스탈 흔들림 곡선 절반 너비는 최대 절반입니다 | ≤150 아크 Sec | |
| 전위 밀도 | <1 × 105센티미터-2 | |
| 크기 | 직경 | 두께 |
| 100.0±0.5mm | 0.50 ± 0.02mm | |
| 오리엔테이션 플랫 | [010] 방향 | |
| 표면 | SSP / DSP | |
| 라<0.5nm | ||
| 결정 평면 편차 <± 1 ° | ||
No. 3 150mm N 유형 전도성 베타 단계 GA2O3 (100) 웨이퍼
| 6 인치 β-GA2O3 기질 | ||
| 크리스탈 방향 | (100) | |
| 도핑 | 주석 | |
| 비저항 | 0.01 ~ 0.07Ω · cm | |
| 이중 크리스탈 흔들림 곡선 절반 너비는 최대 절반입니다 | ≤200 아크 Sec | |
| 전위 밀도 | <1 × 105센티미터-2 | |
| 크기 | 직경 | 두께 |
| 150.0 ± 0.5mm | 0.80 ± 0.02mm | |
| 오리엔테이션 플랫 | [010] 방향 | |
| 표면 | SSP / DSP | |
| 라<0.5nm | ||
| 결정 평면 편차 <± 1 ° | ||
No. 4 10 × 10.5 × 0.5mm N 유형 β-GA2O3 단결정 기판
| 사각형 β-GA2O3 기질 | |||
| 크리스탈 방향 | + (100)/(010) | ||
| 도핑 | 주석 | ||
| 비저항 | 0.01 ~ 0.07Ω · cm | ||
| 이중 크리스탈 흔들림 곡선 절반 너비는 최대 절반입니다 | (100) 방향에 대한 ≤150 아크 SEC / ≤250 ARC SEC (010) 방향. | ||
| 전위 밀도 | <1 × 105센티미터-2 | ||
| 크기 | AB | CD | 두께 |
| 10.0 ± 0.2mm | 10.5 ± 0.2mm | 0.5 (± 0.02) mm | |
| 오리엔테이션 플랫 | 긴면은 [010] 방향입니다 | ||
| 표면 | SSP 또는 DSP | ||
| 라<0.5nm | |||
| 결정 평면 편차 <± 1 ° | |||
No. 5 N 유형 사각형 β-GA2O3 (010) 웨이퍼
| 사각형 β-GA2O3 기질 | |||
| 크리스탈 방향 | （010） | ||
| 도핑 | 주석 | ||
| 비저항 | 0.01 ~ 0.07Ω · cm | ||
| 이중 크리스탈 흔들림 곡선 절반 너비는 최대 절반입니다 | ≤150 아크 Sec | ||
| 전위 밀도 | <1 × 105센티미터-2 | ||
| 크기 | AB | CD | 두께 |
| 10.0 ± 0.2mm | 10.5 ± 0.2mm | 0.5 (± 0.02) mm | |
| 오리엔테이션 플랫 | 긴면은 [001] 방향입니다 | ||
| 표면 | SSP / DSP | ||
| 라<0.5nm | |||
| 결정 평면 편차 <± 1 ° | |||
No. 6 GA2O3-β 단일 결정 기판, <-201> ORI, 10x10x0.6mm, 1sp
기판 사양 :
chmistry : β-ga2o3 (중국에서 만들어짐)
구조 : 모노 클리닉
격자 상수 : a = 12.23a, b = 3.04a, c = 5.80a, ß = 103.7 °
오리엔테이션 : <-201> +/- 0.7 ° (위의 A, B, C 축 정의에주의하십시오)
타입/도펀트 : n 유형/sn 도핑
크기 : 10 × 10 x 0.6 mm
폴란드어 : 한쪽은 세련되었습니다
표면 거칠기 : <5a
2. 베타 상 갈륨 산화염의 특성
전기적 특성 측면에서, 베타 갈륨 단결정의 전자 이동성의 이론적 값은 50cm입니다.2/vs, 단지 10-1센티미터2/vs. 삽관되지 않은 β-GA2O3 전도도는 크기가 10 인 상대적으로 높습니다.9. 일반적으로 도핑은 N- 타입 전도도를 달성하기 위해 SN으로 도핑하는 것과 같은 박막의 저항을 줄이는 데 사용됩니다.
광학 특성의 관점에서, β-GA2O3은 직접 밴드 갭 반도체 재료이며, 밴드 갭은 광학 흡수 에지에 해당한다. 큰 밴드 갭으로 인해 투명성은 깊은 자외선 (DUV) 및 가시 광선 밴드에서 높으며 자외선 밴드에서 80% 이상의 투과율이 높습니다. 일반적으로 베타 GA2O3의 발광 유형에는 세 가지 유형이 포함됩니다.
1) 자유 전자와 자가 포획 정공의 결합에 의해 생성되는 자외선(3.2-3.6eV);
2) 청색광(2.8~3.0eV)은 도너 준위 전자와 억셉터 준위 정공의 재결합에 의해 생성됩니다.
3) 녹색광(2.4eV)은 Ga2O3에 Be 등의 원소를 도핑하여 얻는다.
가스 감도 특성 측면에서 β-Ga2O3 결정의 저항률은 환경의 산소 부분압에 의해 쉽게 영향을 받으며 산소 부분압에 따라 변하므로 가스 변화에 민감합니다. Ga2O3-β 물질은 음이온 밀도가 높은 패킹 구조에 속하며 산소 결손이 발생하기 쉽고 가스 농도 변화에 민감합니다. 내열성이 좋고 화학적 성질이 안정적이며 800℃~1000℃의 온도 범위에서 산소 농도의 변화를 민감하게 감지할 수 있습니다.
3. 광대역 전자공학과 광전자공학을 위한 β-Ga2O3
뛰어난 구조적 특성, 광전 특성 및 가스 감도로 인해 β-Ga2O3는 다양한 전자 및 광전자 공학에 널리 사용됩니다.
반도체 전력 장치: 예: MOSFET;
고온 가스 센서;
투명 전도성 필름;
선블라인드 자외선 검출기 등
추가 Ga2O3 웨이퍼 사양은 다음을 참조하십시오.
GA2O3 베타 산화갈륨 웨이퍼 및 수정 기판 반절연형
자세한 내용은 이메일로 문의해 주세요.[email protected] 과 [email protected].