GaAs(100)결정-1

PAM XIAMEN은 GaAs(100) 비도핑 결정을 제공합니다.

GaAs, 10×5,10×10

GaAs , 성장 방법: VGF ,(100) undoped Semi-Insulated 10×3 x0.5 mm, 2SP
GaAs , 성장 방법: VGF ,(100) undoped Semi-Insulated 10×5 x0.5 mm, 2SP
GaAs(100) 방향, SI(반절연), 비도핑 5x5x 0.5mm, 1sp,
GaAs , 성장 방법: VGF ,(100) undoped Semi-Insulated 10×10 x0.5 mm, 2SP
GaAs , 성장 방법: VGF ,(100) undoped Semi-Insulated 10×10 x0.5 mm, 1SP
GaAs , 성장 방법: VGF ,(100) undoped Semi-Insulated 10×10 x0.6 mm, 1SP
GaAs , 성장 방법: VGF ,(100) undoped Semi-Insulated 10×10 x0.6 mm, 2SP

GaAs(100) 2″ 직경

GaAs 웨이퍼, 성장 방법: VGF ,(100) undoped Semi-Insulated 2″D x0.5 mm, 1SP
GaAs( LEC ) 웨이퍼(100) 비도핑 반절연 2″D x0.5 mm, 1SP
GaAs 웨이퍼, 성장 방법: LEC ,(100) undoped Semi-Insulated 2″D x0.35 mm, 2SP
GaAs 웨이퍼, 성장 방법: VGF ,(100) undoped Semi-Insulated 2″D x0.5 mm, 2SP
GaAs 웨이퍼, 성장 방법: VGF, (100) 도핑되지 않은 반절연 2″D x0.5 mm, 2SP,

GaAs(100) 3″ 직경

GaAs 웨이퍼, 성장 방법: VGF, (100) 도핑되지 않은 반절연 3″D x0.5 mm, 1SP
GaAs 웨이퍼, 성장 방법: VGF, (100) undoped Semi-Insulated 3″D x0.5 mm, 2SP

GaAs(100) 4″ 직경

GaAs 웨이퍼, 성장 방법: VGF ,(100) undoped Semi-Insulated 100mm D x0.6 mm, 1SP
GaAs 웨이퍼, 성장 방법: VGF, (100) undoped Semi-Insulated, 100mm D x 0.6 mm, 2SP
GaAs 웨이퍼, 성장 방법: VGF, (100) 도핑되지 않은 반절연 4″D x (0.5-0.625) mm, 2SP, 기계 등급

GaAs(100) 6″ 직경

VGF-GaAs 웨이퍼(100) with 2 Deg. <110> +/-0.5 Deg 방향으로 꺼짐 도핑되지 않은 반절연, 150mm D x 0.675mm, 2SP”

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1990년에 설립된 Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd(PAM-XIAMEN)는 중국 최고의 반도체 재료 제조업체입니다.PAM-XIAMEN은 고급 결정 성장 및 에피택시 기술, 제조 공정, 엔지니어링 기판 및 반도체 장치를 개발합니다.PAM-XIAMEN의 기술은 반도체 웨이퍼의 더 높은 성능과 더 낮은 비용의 제조를 가능하게 합니다.

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