PAM-XIAMEN은 2D 전자 가스(2DEG)와 5-7E5cm의 매우 높은 전자 이동도를 갖춘 4" GaAs HEMT 에피 웨이퍼를 제공할 수 있습니다.2/Vs, 아래의 일반적인 웨이퍼를 참조하십시오.갈륨 비소HEMT 구조:
1. GaAs HEMT 에피택셜 웨이퍼 구조
Structure 1: 4″ AlGaAs / GaAs HEMT epi wafer (PAM200416-HEMT):
| HEMT 구조 | 두께 |
| GaAs 캡 레이어 | (100A) |
| AlGaAs, x=0.28, 장벽층, Si 도핑 7E17 | 500A |
| AlGaAs, x=0.28, 스페이서층 | 150A |
| 갈륨 비소 | 0.5um |
| AlxGaAs/GaAs, x=0.28, SL | 30A/30A, 10주기 |
| GaAs 버퍼 | 2000A |
| GaAs 기판 | — |
300K, 기동성 :> 5000cm2/Vs, Ns>4.0E11
77K, 이동성: > 150,000-190,000cm2/Vs,Ns>4.0E11
구조 2: GaAs MBE 에피웨이퍼
1) [100] 배향을 갖는 4" SI 기판 GaAs,
2) [완충] 두께가 있는 Al(0.3)Ga(0.7)As/GaAs의 초격자
10/3 nm, 170회 반복,
3) 배리어 Al(0.3)Ga(0.7)As 400nm,
4) 양자 우물 GaAs 20nm,
5) 스페이서 Al(0.3)Ga(0.7)As 15nm,
6) Si로 델타 도핑하여 전자 밀도 5-6*10^11 cm^(-2) 생성,
7) 배리어 Al(0.3)Ga(0.7)As 180nm,
8) 캡층 GaAs 15nm.
초저온에서 양자 물리학을 연구하기 위해 GaAs HEMT 웨이퍼에 2DEG 위에 금속 게이트를 증착하여 나노 전자 장치를 설계할 수 있습니다.
구조 3: GaAs HEMT 에피 웨이퍼(PAM-190125-GAAS-HEMT)
| 층 | 구성 | 두께 (㎚) |
| 캡 | 갈륨 비소 | 10 |
| 도핑 캐리어 | 알0.28갈륨 비소1-0.28: Si 1.4*1018센티미터-3 | – |
| 스페이서 | 알0.28갈륨 비소1-0.28 | 18 |
| 채널 | 갈륨 비소 | – |
| 에스엘 | GaAs/Al0.28갈륨 비소1-0.2824A*24A | – |
| 완충기 | 갈륨 비소 | – |
| 기판 | SI GaAs(100), 4" | – |
Structure 4: GaAs 2DEG Epiwafer (PAM190311-HEMT)
Mobility: 1.5e6 cm2/Vs
Carrier concentration: 3e11/cm2
| Layer Name | 자료 | 두께 (㎚) |
| 캡 | 갈륨 비소 | 17 |
| 도핑 캐리어 | 알0.33Ga0.67As:Si | – |
| 스페이서 | 알0.33Ga0.67As (undoped) | 80 |
| 채널 | 갈륨 비소 | – |
| 에스엘 | (GaAs-Al0.33Ga0.67As)*100 | – |
| 완충기 | 갈륨 비소 | – |
| Sub | SI GaAs(100) | 500000 |
2. 적외선 간섭에 의한 GaAs HEMT Epi 웨이퍼의 두께 측정
이 방법은 GaAs HEMT 에피층 두께 측정에 적합하며 측정된 두께는 2um보다 큽니다. GaAs 기판 재료의 저항률은 0.02ohm-cm 미만이어야 하며, 에피택셜 층의 저항률은 0.1ohm-cm보다 커야 합니다.
갈륨 비소 기판 재료와 에피택셜 층의 광학 상수는 상당히 다릅니다. 적외선이 GaAs HEMT 에피택시 표면에 닿으면 반사 스펙트럼에 간섭 줄무늬가 생성됩니다. 에피택셜층의 두께는 간섭 무늬의 최대 또는 최소 파장 위치, 기판 재료 및 에피택셜층의 광학 상수, 빔 각도에 따라 계산될 수 있다.
GaAs HEMT의 에피텍셜 웨이퍼를 테스트하는 장비는 이중 빔 적외선 분광광도계 또는 푸리에 적외선 분광계이어야 하며 파장 범위는 2.5um~50um이거나 파수 범위는 4,000cm입니다.-1~200cm-1.
기기의 파장 및 파장 반복성 오류는 0.05um 이하이고 10um에서의 분광 분해능은 0.02um 이상입니다.
기기에는 반사 액세서리가 장착되어 있어야 하며 발사 각도는 30°를 초과해서는 안 됩니다. 또한 기기에는 흑체 재질로 만들어진 다양한 구멍의 다이어프램이 장착되어 있어야 합니다.
의 샘플갈륨 비소 에피택시 웨이퍼측정에 사용되는 HEMT 장치의 경우 광학 표면이 양호해야 하며 보호층 면적이 넓지 않아야 합니다.
기판의 전도성 유형, 에피택셜 층 및 기판의 저항률을 알아야 합니다.
3. GaAs HEMT Epi에 대한 FAQ
Q1:아래 나열된 GaAs HEMT Epi 웨이퍼의 가능한 작동 주파수를 알려주시겠습니까?
1) [100] 배향을 갖는 4" SI 기판 GaAs,
2) [버퍼] 두께가 10/3 nm인 Al(0.3)Ga(0.7)As/GaAs의 초격자, 170회 반복,
3) 배리어 Al(0.3)Ga(0.7)As 400nm,
4) 양자 우물 GaAs 20nm,
5) 스페이서 Al(0.3)Ga(0.7)As 15nm,
6) Si로 델타 도핑하여 전자 밀도 5-6*10^11 cm^(-2) 생성,
7) 배리어 Al(0.3)Ga(0.7)As 80nm,
8) 캡층 GaAs 15nm.
: We always use Quantum well InGaAs in fourth layer structure, which PHEMT products, if you use 0.25 micron technology and 30GHz module circuit, or 0.07um process and 80-120GHz. Of course your art technology level and level of circuit design would be also a factor.
Q2: As for AlGaAs HEMT wafer samples, we have no strict requirements for the thickness of each layer of material. We are concerned that at low temperature (4.2K), the mobility of two-dimensional electrons in the material should be better than 1.5e6 cm2/Vs, and the carrier concentration should be about 3e11/cm2. Unlike HEMT, we hope that the top layer of the sample is not conductive, so that we can use the gate voltage to modulate the carrier concentration of the two-dimensional electron layer to make structures like quantum dots. So, could you please tell me the mobility and carrier concentration of AlGaAs/GaAs HEMT epiwafer sample you can provide?
: The carrier concentration of GaAs HEMT epiwafer we provide can meet 3E11/cm2. At 4.2K, the mobility can be garanteed at 5-7E5 cm2/V.s, and carrier concentration at 3-4E11/cm2.
자세한 내용은 이메일로 문의하십시오.victorchan@powerwaywafer.com과powerwaymaterial@gmail.com.