갈륨 비소 에피 웨이퍼

갈륨 비소 에피 웨이퍼

PAM-XIAMEN is manufacturing various types of epi wafer III-V silicon doped n-type semiconductor materials based on Ga, Al, In, As and P grown by MBE or MOCVD. We supply custom GaAs epiwafer structures to meet customer specifications, please contact us for more information.

  • 기술

제품 설명

GaAs Epi wafer 

As a leading GaAs epi wafer foundry, PAM-XIAMEN are manufacturing various types of epiwafer III-V silicon doped n-type semiconductor materials based on Ga, Al, In, As and P grown by MBE or MOCVD, which make a low gallium arsenide epi wafer defect. We supply custom GaAs epiwafer structures to meet customer specifications, please contact us for more information.

We have numbers of the United States Veeco’s GEN2000, GEN200 large-scale production of epitaxial equipment production line, full set of XRD; PL-Mapping; Surfacescan, and other world-class analysis and testing equipment. The company has more than 12,000 square meters of supporting plant, including world class super-clean semiconductor and a related research and development of the younger generation of clean laboratory facilities.

Specification for all new and featured products of MBE III-V compound semiconductor epitaxial wafer:

Substrate Material Material Capability Application
GaAs 저온의 GaAs 테라 헤르츠
GaAs GaAs/GaAlAs/GaAs/GaAs Schottky Diode
InP를 InGaAs로 PIN detector
InP를 InP/InP/InGaAsP/InP/InGaAs Laser
GaAs GaAs/AlAs/GaAs  
InP를 InP/InAsP/InGaAs/InAsP  
GaAs GaAs/InGaAsN/AlGaAs  
/GaAs/AlGaAs
InP를 InP/InGaAs/InP photodetectors
InP를 InP/InGaAs/InP  
InP를 InP/InGaAs  
GaAs GaAs/InGaP/GaAs/AlInP Solar Cell
/InGaP/AlInP/InGaP/AlInP
GaAs GaAs/GaInP/GaInAs/GaAs/AlGaAs/GalnP/GalnAs Solar Cell
/GalnP/GaAs/AlGaAs/AllnP/GalnP/AllnP/GalnAs
InP를 InP/GaInP  
GaAs GaAs/AlInP  
GaAs GaAs/AlGaAs/GalnP/AlGaAs/GaAs 703nm Laser
GaAs GaAs/AlGaAs/GaAs  
GaAs GaAs/AlGaAs/GaAs/AlGaAs/GaAs HEMT
GaAs GaAs/AlAs/GaAs/AlAs/GaAs mHEMT
GaAs GaAs/DBR/AlGaInP/MQW/AlGaInP/GaP LED wafer,solid state lighting
GaAs GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP 635nm,660nm,808nm,780nm, 785nm,
/GaAsP/GaAs/GaAs substrate  950nm, 1300nm,1550nm Laser
GaSb AlSb/GaInSb/InAs IR detector,PIN,sensing, IR cemera
silicon InP or GaAs on Silicon High speed IC/microprocessors
InSb Beryllium doped InSb  
/ undoped InSb/Te doped InSb/

 

Gallium arsenide is currently one of the most important compound semiconductor materials with the highest mature epi wafer technology. GaAs material has the characteristics of large forbidden band width, high electron mobility, direct band gap, high luminous efficiency. Due to all all these epi wafer advantages, GaAs epitaxy is currently the most important material used in the field of optoelectronics. Meanwhile, it is also an important microelectronic material. According to the difference in electrical conductivity, GaAs epi wafer materials can be divided into semi-insulating (SI) GaAs and semiconductor (SC) GaAs.

In the field of epitaxial wafers, the epi wafer market share of RF and laser applications is very large.

 

For more detail specification, please review the following:

GaAs 기판에 LT-GaAs로 에피 층

Low Temperature Grown InGaAs 

갈륨 비소 쇼트 키 다이오드 에피 택셜 웨이퍼

PIN 용의 InGaAs / InP의 에피 웨이퍼

의 InP 기판 위에 InGaAsP로는 / InGaAs로

InGaAs APD Wafers with High Performance

 

갈륨 비소 / AlAs로 웨이퍼

에피 택셜 갈륨 비소 또는 InP의 웨이퍼에 InGaAsN

의 InGaAs 광 검출기에 대한 구조

의 InP / InGaAs로 / InP의 에피 웨이퍼

인듐 갈륨 비소 구조 웨이퍼

태양 전지에 대한 AlGaP / 갈륨 비소 에피 웨이퍼

삼중 접합 태양 전지

갈륨 비소 에피 택시

GaInP로 / InP의 에피 웨이퍼

AlInP / GaAs로 에피 웨이퍼

 

703nm 레이저의 계층 구조

808 레이저 웨이퍼

780 레이저 웨이퍼

 

갈륨 비소 PIN 에피 웨이퍼

AlGaAs / GaAs PIN Epitaxial Wafer

의 GaAs / AlGaAs로 / GaAs로 에피 웨이퍼

갈륨 비소 기반 에피 택셜 웨이퍼는 LED 및 LD를 들어, DESC 아래를 참조하십시오.
 
GaAs pHEMT 에피 웨이퍼 (GaAs, AlGaAs, InGaAs), 아래 설명을 참조하십시오.
MHEMT의 GaAs 에피 웨이퍼(MHEMT : 변성 고 전자 이동도 트랜지스터)
갈륨 비소 HBT 에피 웨이퍼 (갈륨 비소 HBT는 갈륨 비소 기반 기술에 의해 적어도 두 개의 서로 다른 반도체로 구성되는 바이폴라 접합 트랜지스터이다.) 금속 - 반도체 전계 효과 트랜지스터 (MESFET)
 
이종 접합 전계 효과 트랜지스터 (HFET)
고 전자 이동도 트랜지스터 (HEMT)
부정형 고 전자 이동성 트랜지스터 (pHEMT)
공명 터널 다이오드 (RTD)
PIN 다이오드
홀 효과 장치
가변 용량 다이오드 (VCD)
GaAs substrate, 50 nm of InAlP, and then 2.5 microns of GaAs PAM210406-INALP

 

이제 우리는 일부 사양을 나열합니다 :

GaAs HEMT epiwafer, size:2~6inch
    명세서  
매개 변수 Al 조성 / 조성물 / 면저항 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다
홀 이동성 / 2 DEG 농도
측정 기술 X 선 회절 / 와전류 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다
유엔 접촉 홀
일반적인 밸브 Struture 의존 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다
5000 ~ 6,500cm2 / V · S / 0.5 ~ 1.0 배 1,012cm-2
표준 오차 0.01 / ± 3 % / 없음 없음 ± 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다
갈륨 비소 (갈륨 비소) pHEMT epiwafer, size:2~6inch
    명세서  
매개 변수 Al 조성 / 조성물 / 면저항 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다
홀 이동성 / 2 DEG 농도
측정 기술 X 선 회절 / 와전류 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다
유엔 접촉 홀
일반적인 밸브 Struture 의존 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다
5000 ~ 6,800cm2 / V · S / 2.0 ~ 3.4 배 1,012cm-2
표준 오차 0.01 / ± 3 % / 없음 없음 ± 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다
Remark:GaAs pHEMT: Compared with GaAs HEMT, GaAs PHEMT also incorporates InxGa1-xAs,where InxAs  is constrained to x < 0.3 for GaAs-based devices. Structures grown with the same lattice constant as HEMT, but different band gaps are simply referred to as lattice-matched HEMTs.
GaAs mHEMT epiwafer, size:2~6inch
    명세서  
매개 변수 조성물 / 면저항 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다
홀 이동성 / 2 DEG 농도
측정 기술 X 선 회절 / 와전류 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다
유엔 접촉 홀
일반적인 밸브 Struture 의존 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다
8000~10000cm2/V ·S/2.0~3.6x 1012cm-2
표준 오차 / 없음 ± 3 % 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다
InP HEMT epiwafer, size:2~4inch
    명세서  
매개 변수 구성 / 시트 저항 / 홀 이동 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다

  

Remark: GaAs(Gallium arsenide) is a compound semiconductor material,a mixture of two elements, gallium (Ga) and arsenic (As). The uses of Gallium arsenide are varied and include being used in LED/LD, field-effect transistors (FETs), and integrated circuits (ICs)

장치 응용 프로그램

RF Switch, Power and low-noise amplifiers, Hall sensor, 광학 변조기

무선 : 휴대 전화 또는 기지국

Automotive radar, MMIC, RFIC, 광섬유 통신

LED / IR 세리 갈륨 비소 에피 웨이퍼 :

1. 일반 설명 :

1.1 성장 방법 : MOCVD
1.2 GaAs epi wafer for Wireless Networking

1.3LED 용의 GaAs 에피 웨이퍼/ IR 및 LD / PD

2.Epi 웨이퍼 사양 :

2.1 웨이퍼의 크기 : 2 "직경

2.2 GaAs Epi Wafer Structure(from top to bottom):

P + GaAs

P 갭

P-AlGaInP로

MQW-AlGaInP로

n 형 AlGaInP로

DBR n-ALGaAs / AlAs

완충기

GaAs 기판

3.Chip의 sepcification (9mil의 *의 9mil 칩 자료)

3.1 매개 변수

칩 크기 9mil의 *의 9mil

두께 190 ± 10um

전극 직경 90um ± 5um

3.2 광학 - elctric 문자 (℃의 Ir = 20mA, 22)

파장 620 ~ 625nm

순방향 전압 1.9 ~ 2.2V

역 전압 ≥10v

역 현재 0-1uA

3.3 광도 문자 (IR = 20mA, 22 ℃)

IV (MCD) 80-140

3.4 Epiwafer avelength

단위

레드

노란색

연두색

설명

웨이브 길이 (λD)

나노

585,615,620 ~ 630

587 ~ 592

568 ~ 573

= 20mA IF

성장 방법 : MOCVD, MBE

필름과 기판 사이의 관계를 결정 막을 에피 택셜 성장 = 호모 에피 택시 (autoepitaxy, isoepitaxy) = 막 및 기판은 동일한 재료 헤테로 = 막 및 기판은 다른 재료로되어있다. 에 대한성장 방법의 자세한 내용은 다음을 클릭하십시오 :https://www.powerwaywafer.com/technology.html

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