GaAs (Gallium Arsenide) Wafers
주요 GAAS 기판 공급 업체로서, PAM-Xiamen은 반 전도성 N 유형, 반도체 C 도핑 및 PRING 등급 및 더미 등급을 포함한 P 유형을 포함한 Epi-Ready GAA (Gallium Arsenide) 웨이퍼 기판을 제조합니다. GAAS 기질 저항은 도펀트에 의존하고, Si 도핑 또는 Zn 도핑은 (0.001 ~ 0.009) OHM.CM, C 도핑은> = 1E7 OHM.CM입니다. GAAS 웨이퍼 결정 방향은 (100)과 (111)이어야합니다. (100) 방향의 경우 2 °/6 °/15 ° 일 수 있습니다. GAAS 웨이퍼의 EPD는 일반적으로 LED의 경우 <5000/cm2 또는 LD 또는 미세 전자의 경우 <500/cm2입니다.
- Description
설명
(갈륨비소) GaAs 웨이퍼
Pam-Xiamen은 화합물 반도체 기판-갈륨 아르 세나이드 결정 및 웨이퍼를 개발하고 제조합니다. 우리는 고급 크리스탈 성장 기술, VGF (Vertical Gradient Freeze) 및 GAAS 웨이퍼 제조 공정을 사용했으며 결정 성장, 절단, 연마 처리까지 생산 라인을 설립했으며 GAAS 웨이퍼 청소 및 포장을위한 100 급 청정 실을 구축했습니다. GAAS 웨이퍼에는 LED, LD 및 Microelectronics 응용 프로그램 용 2 ~ 6 인치 잉곳/웨이퍼가 포함됩니다. 우리는 항상 현재 GAAS 웨이퍼 기판의 품질을 향상시키고 대형 기판을 개발하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 제공되는 GAAS 웨이퍼 크기는 2”, 3”, 4”및 6”이며 두께는 220-700um이어야합니다. 또한 미국의 GAAS 웨이퍼 가격은 경쟁력이 있습니다.
1. GaAs 웨이퍼 사양
1.1(GaAs)갈륨비소LED 애플리케이션용 웨이퍼
| 명세서 | 비고 | |
| 전도 유형 | SC / n 형 | Zn Dope를 사용한 SC/P- 타입 |
| 성장 방법 | VGF | |
| 도펀트 | 규소 | 아연 사용 가능 |
| 웨이퍼 직경 | 2, 3, 4인치 | 잉곳 또는 절단된 상태로 이용 가능 |
| 결정 방향 | (100) 2 °/6°/15° 꺼짐 (110) | 다른 방향 감각 상실 가능 |
| 의 | EJ 또는 미국 | |
| 캐리어 농도 | (0.4~2.5)E18/cm3 | |
| RT에서의 저항률 | (1.5~9)E-3옴.cm | |
| 유동성 | 1500~3000cm2/V.초 | |
| 에칭 피트 밀도 | <5000 / cm2 | |
| 레이저 마킹 | 요청에 따라 | |
| 표면 마감 | P / E 또는 P / P | |
| 두께 | 220 ~ 450um | |
| 에피택시 준비됨 | 예 | |
| 패키지 | 단일 웨이퍼 용기 또는 카세트 | |
1.2(GaAs)갈륨비소LD 애플리케이션용 웨이퍼
| 명세서 | 비고 | |
| 전도 유형 | SC / n 형 | |
| 성장 방법 | VGF | |
| 도펀트 | 규소 | |
| 웨이퍼 직경 | 2, 3, 4인치 | 잉곳 또는 컷팅 가능 |
| 결정 방향 | (100) 2 °/6°/15°꺼짐 (110) | 다른 방향 감각 상실 가능 |
| 의 | EJ 또는 미국 | |
| 캐리어 농도 | (0.4~2.5)E18/cm3 | |
| RT에서의 저항률 | (1.5~9)E-3옴.cm | |
| 유동성 | 1500~3000cm2/V.sec | |
| 에칭 피트 밀도 | <500 / cm2 | |
| 레이저 마킹 | 요청에 따라 | |
| 표면 마감 | P / E 또는 P / P | |
| 두께 | 220 ~ 350um | |
| 에피택시 준비됨 | 예 | |
| 패키지 | 단일 웨이퍼 용기 또는 카세트 | |
1.3(GaAs)갈륨비소마이크로 일렉트로닉스 애플리케이션을위한 반 구조, 웨이퍼
| 명세서 | 비고 | |
| 전도 유형 | 절연 | |
| 성장 방법 | VGF | |
| 도펀트 | C 도핑 | |
| 웨이퍼 직경 | 2, 3, 4인치 | 잉곳 사용 가능 |
| 결정 방향 | (100)+/- 0.5° | |
| 의 | EJ, 미국 또는 노치 | |
| 캐리어 농도 | N / A | |
| RT에서의 저항률 | >1E7 옴.cm | |
| 유동성 | >5000cm2/V.초 | |
| 에칭 피트 밀도 | <8000 / cm2 | |
| 레이저 마킹 | 요청에 따라 | |
| 표면 마감 | P / P | |
| 두께 | 350 ~ 675um | |
| 에피택시 준비됨 | 예 | |
| 패키지 | 단일 웨이퍼 용기 또는 카세트 | |
1.4 6″ (150mm)(GaAs)갈륨비소마이크로 일렉트로닉스 애플리케이션을위한 반 구조, 웨이퍼
| 명세서 | 비고 | |
| 전도 유형 | 반절연 | - |
| 성장 방법 | VGF | - |
| 도펀트 | C 도핑 | - |
| 유형 | NS | - |
| 직경(mm) | 150 ± 0.25 | - |
| 정위 | (100)0°±3.0° | - |
| 노치 방향 | 〔010〕 ± 2 ° | - |
| 노치 깊이(mm) | (1-1.25)mm 89°-95° | - |
| 캐리어 농도 | 영업팀에 문의하십시오. | - |
| 저항률(ohm.cm) | >1.0×107 | - |
| 이동성(cm2/대) | 영업팀에 문의하십시오. | - |
| 탈구 | 영업팀에 문의하십시오. | - |
| 두께(μm) | 675 ± 25 | - |
| 활 및 날실에 대한 가장자리 제외 (MM) | 영업팀에 문의하십시오. | - |
| 보우 (μm의) | 영업팀에 문의하십시오. | - |
| 워프 (μm의) | ≤20.0 | - |
| TTV (μm의) | ≤10.0 | - |
| TIR (μm의) | ≤10.0 | - |
| LFPD (μm의) | 영업팀에 문의하십시오. | - |
| 세련 | P/P Epi-Ready | - |
1.5 2″(50.8mm) LT-GaAs(저온 성장 갈륨 아르 세 나이드) 웨이퍼 사양
| 명세서 | |
| 전도 유형 | 반절연 |
| 성장 방법 | VGF |
| 도펀트 | 하위:C 도핑 / Epi:언도핑 |
| 유형 | NS |
| 직경(mm) | 150 ± 0.25 |
| 정위 | (100)0°±3.0° |
| 노치 방향 | 〔010〕 ± 2 ° |
| 노치 깊이(mm) | (1-1.25)mm 89°-95° |
| 캐리어 농도 | 영업팀에 문의하십시오. |
| 저항률(ohm.cm) | >1.0×107 또는 0.8-9 x10-3 |
| 이동성(cm2/대) | 영업팀에 문의하십시오. |
| 탈구 | 영업팀에 문의하십시오. |
| 두께(μm) | 675 ± 25 |
| 활 및 날실에 대한 가장자리 제외 (MM) | 영업팀에 문의하십시오. |
| 보우 (μm의) | 영업팀에 문의하십시오. |
| 워프 (μm의) | ≤20.0 |
| TTV (μm의) | ≤10.0 |
| TIR (μm의) | ≤10.0 |
| LFPD (μm의) | 영업팀에 문의하십시오. |
| 세련 | P/P Epi-Ready |
2. GAAS 웨이퍼 시장 및 응용 프로그램
갈륨 비 세나이드는 중요한 반도체 물질입니다. 그것은 그룹 III-V 화합물 반도체 및 아연 블렌드 결정 격자 구조에 속하며, 격자 상수는 5.65 × 10-10m, 녹는 점은 1237 ℃ 및 1.4 전자 볼트의 밴드 갭이다. 갈륨 비소 나이드는 반 감동 고 저항 재료로 만들어 질 수 있으며, 이는 통합 회로 기판, 적외선 검출기, 감마 광자 감지기 등을 만드는 데 사용할 수 있습니다. 전자 이동성은 실리콘보다 5 ~ 6 배 더 크기 때문에 Si GAA 기판은 마이크로 웨이브 장치 및 고산 디지털 회로의 제작에 중요하게 사용되어 왔습니다. 갈륨 아르 세나이드에 제작 된 반도체 장치는 고주파, 고온, 저온 성능, 저음 및 강한 방사선 저항의 장점을 가지고있어 GAAS 기판 시장이 확대됩니다.
3. GAAS 웨이퍼의 테스트 인증서는 필요한 경우 아래 분석을 포함 할 수 있습니다.
1/전면 및 뒷면 (나노 미터)을 포함한 갈륨 비 세나이드의 표면 거칠기.
갈륨 비소의 2/도핑 농도 (CM-3)
3/epd의 epd (CM-2)
4/Gallium Arsendie의 이동성 (V.Sec)
5/x- 선 회절 분석 (록킹 곡선)의 갈륨 비 세나이드 : 회절 반사 곡선 반 벌
6 / 저온 광 발광 (Gallium Arsenide의 0.7-1.0 μm 범위의 방출 스펙트럼) : 4k 또는 5k의 온도에서 거의 IR 범위의 방출 스펙트럼에서 엑시톤 광 발광의 분획 및 1 W / CM2의 광학 여기 밀도.
7/전송 속도 또는 흡수 계수 : 순간적으로, 우리는 1064nm에서 단결정 전공 GAA의 흡수 계수를 측정 할 수 있으며, 이는 1064nm에서 정확히 6.5mm 두께의 공백에 대해 최소 33.2%의 전송에 해당합니다.
주목:
중국 정부는 반도체 칩을 만드는 데 사용되는 GAAS, GAN, GA2O3, GAP, Ingaas 및 GASB와 같은 갈륨 재료 (예 : GAAS, GAN, GA2O3, GAP, Ingaas 및 GASB)의 수출에 새로운 제한을 발표했습니다. 2023 년 8 월 1 일 부터이 자료 수출은 중국 상무부로부터 라이센스를 얻는 경우에만 허용됩니다. 당신의 이해와 협력에 대한 희망!
