GaAs(111) 결정
GaAs(111) 크리스탈 웨이퍼
PAM XIAMEN은 n형/Si 도핑, 비도핑 및 p형 GaAs(111) 크리스털 웨이퍼를 제공합니다.
1.웨이퍼 목록
GaAs , 성장 방법: VGF (111)A , SI, 비도핑, 2″ 직경 x 0.5 mm, 1 sp
GaAs, 성장 방법: VGF (111)A, SI, 도핑되지 않음, 4″ 직경 x 0.55 mm, 1 sp
GaAs, 성장 방법: VGF (111)A, SI, 도핑되지 않음, 4″ 직경 x 0.55mm, 2sp
GaAs, 성장 방법: VGF (111)B, SI, 도핑되지 않음, 4″ 직경 x 0.625 mm, 1 sp
GaAs, 성장 방법: VGF (111)B, SI, 도핑되지 않음, 4″ 직경 x 0.625 mm, 2sp
GaAs , 성장 방법: VGF (111)B , Si 도핑, 2″ 직경 x 0.325mm, 1sp
GaAs , 성장 방법: VGF (111)B , Si 도핑, 2″ 직경 x 0.35mm, 2sp
GaAs , 성장 방법: VGF (111)B , Si 도핑, 3″ 직경 x 0.625 mm, 2sp
GaAs(111) 방향, P형, Zn 도핑, 2″ 직경 x 0.4mm, 1sp,
GaAs(111)A 방향, 반절연, 비도핑, 10x10x 0.55mm, 1sp,
GaAs(111)A 방향, 반절연, 비도핑, 10x10x 0.5mm, 1sp
GaAs(111)A 방향, 반절연, 비도핑, 5x5x 0.5-0.55mm, 1sp,
GaAs(111)B 방향, 반절연, 비도핑, 10x10x 0.625mm, 1sp,
GaAs(111)B 방향, 반절연, 비도핑, 5X5x 0.625mm, 1sp
GaAs, 성장 방법: VGF ,(111)A , Zn 도핑, P형, 2″ 직경 x 0.5mm, 2sp
GaAs, 성장 방법: VGF ,(111)B , Zn 도핑, P 유형, 2″ 직경 x 0.4 mm, 2sp
2.(111)GaAs 웨이퍼 사양:
2-1 2″GaAs:350 μm, 저항률 >1E7Ohm.cm , 방향: <111>, 단면 광택, 도핑되지 않음
명세서
| 매개 변수 | 고객의 요구 사항 | 보장된 / 실제 가치 | UOM |
| 도펀트 | GaAs-도핑되지 않은 | GaAs-도핑되지 않은 | |
| 직경 | 50.7±0.1 | 50.7±0.1 | MM |
| 정위 | <111>±0.5° | <111>±0.5° | — |
| 오리엔테이션 | EJ［0-1-1]±0.5° | EJ［0-1-1]±0.5° | — |
| 길이 | 17±1 | 17±1 | MM |
| IF 오리엔테이션 | EJ［0-11]±0.5° | EJ［0-11]±0.5° | — |
| IF 길이 | 7±1 | 7±1 | MM |
| 비저항 | > 1E7 | > 1E7 | ohm.cm |
| EPD(평균) | ≤5000 | ≤5000 | /센티미터2 |
| 두께 | 325~375 | 325~375 | 음 |
| TTV | N / A | N / A | 음 |
| TIR | N / A | N / A | 음 |
| 활 | N / A | N / A | 음 |
| 경사 | N / A | N / A | 음 |
| 표면 | 체육 | 체육 | — |
| 포장 | 단일 웨이퍼 | 단일 웨이퍼 | — |
2-2 2″GaAs:350 μm, (범위,1-9E-3)Ohm.cm, 방향: <111>, 단면 연마, Si 도핑 N형
명세서
| 매개 변수 | 고객의 요구 사항 | 보장된 / 실제 가치 | UOM |
| 도펀트 | GaAs-Si | GaAs-Si | — |
| 직경 | 50.8±0.2 | 50.8±0.2 | MM |
| 정위 | <111>±0.5° | <111>±0.5° | — |
| 오리엔테이션 | EJ［0-11]±0.5° | EJ［0-11]±0.5° | — |
| 길이 | 17±1 | 17±1 | MM |
| IF 오리엔테이션 | EJ［-211]±0.5° | EJ［-211]±0.5° | — |
| IF 길이 | 7±1 | 7±1 | MM |
| 비저항 | （1-9)E-3 | （1-9)E-3 | ohm.cm |
| EPD(평균) | <5000 | <5000 | /센티미터2 |
| 두께 | 325~375 | 325~375 | 음 |
| TTV | <10 | <10 | 음 |
| TIR | <10 | <10 | 음 |
| 활 | <15 | <15 | 음 |
| 경사 | <15 | <15 | 음 |
| 표면 | 체육 | 체육 | — |
| 포장 | 단일 웨이퍼 | 단일 웨이퍼 | — |
2-3 2″GaAs:350μm; (범위,1-9E-3)Ohm.cm ; 방향: <111>; 단면 광택 처리, Zn 도핑 P형
명세서
| 매개 변수 | 고객의 요구 사항 | 보장된 / 실제 가치 | UOM |
| 도펀트 | GaAs-Zn | GaAs-Zn | — |
| 직경 | 50.8±0.2 | 50.8±0.2 | MM |
| 정위 | <111>±0.5° | <111>±0.5° | — |
| 오리엔테이션 | EJ［0-11]±0.5° | EJ［0-11]±0.5° | — |
| 길이 | 17±1 | 17±1 | MM |
| IF 오리엔테이션 | EJ［-211]±0.5° | EJ［-211]±0.5° | — |
| IF 길이 | 7±1 | 7±1 | MM |
| 비저항 | （1-9)E-3 | （1-9)E-3 | ohm.cm |
| EPD(평균) | <5000 | <5000 | /센티미터2 |
| 두께 | 325~375 | 325~375 | 음 |
| TTV | <10 | <10 | 음 |
| TIR | <10 | <10 | 음 |
| 활 | <15 | <15 | 음 |
| 경사 | <15 | <15 | 음 |
| 표면 | 체육 | 체육 | — |
| 포장 | 단일 웨이퍼 | 단일 웨이퍼 | — |
자세한 내용은 이메일로 문의해 주세요.[email protected] 과 [email protected]