의 GaAs / AlGaAs로 / GaAs로 에피 웨이퍼

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우리는 / AlGaAs로 / 갈륨 비소 에피 웨이퍼 2 "갈륨 비소를 제공 할 수 있습니다, 아래의 전형적인 구조를 참조하십시오

S.No
매개 변수
명세서
1
갈륨 비소 기판 층 두께
500 ㎛
2
층 두께
, 2㎛
3
최상층의 GaAs 두께
220 nm의
4
알루미늄의 몰분율 (X)
0.7
5
도핑 수준
내장
출처 : PAM-XIAMEN
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