클라우드 컴퓨팅, 모빌리티, 사물 인터넷, 머신 러닝 등의 발달로 빅 데이터 저장 및 컴퓨팅 처리에 대한 수요도 크게 증가했습니다. 더 많은 데이터 처리는 더 많은 에너지 소비를 의미하며 추가 데이터 센터와 지원 인프라의 건설로 이어집니다. 전 세계적으로 데이터 센터가 확장됨에 따라 데이터 센터를 보다 안정적이고 효율적으로 관리할 필요가 있습니다. 질화갈륨(GaN), 특히 GaN HEMT 에피 웨이퍼는 PAM-XIAMEN에서 제공할 수 있는 데이터 센터에 이상적인 반도체 재료 중 하나입니다. 더 많은 GaN HEMT 웨이퍼를 보려면 다음을 참조하십시오.https://www.powerwaywafer.com/gan-wafer/gan-hemt-epitaxial-wafer.html.
넓은 밴드갭 반도체로서 질화갈륨(GaN)의 가장 큰 특징은 높은 전력변환 효율이다. 특히 데이터 센터와 같은 고에너지 소비 시나리오에서 GaN은 고효율로 인해 상당한 에너지 절약 효과를 가져올 것입니다. 이것이 데이터 센터에 GaN 재료를 선택하는 이유입니다. 보다 구체적으로 다음과 같습니다.
현재 전 세계적으로 700만 개 이상의 데이터 센터가 운영되고 있으며 2019년 기준 전 세계 전력 소비량의 2%에 해당합니다. 이 중 약 30%의 전력이 시설 냉각에 사용됩니다. 따라서 서버 효율성을 높이고 전력 및 열 손실을 줄임으로써 상당한 에너지 절약을 달성할 수 있습니다. 전기 비용 및 CO2배출량을 줄일 수 있습니다.
데이터 센터
1. GaN으로 에너지 절약
데이터 센터의 가장 큰 운영 비용은 서버가 실행되는 전력이며, 이는 총 운영 비용의 40%에 이를 수 있습니다. 일반적으로 전기 에너지의 약 5%-10%가 낭비됩니다. 또한 2020년까지 데이터 센터 에너지 소비는 연간 약 1,400억 킬로와트시로 증가할 것으로 예상되며, 이는 연간 전기 요금으로 130억 달러와 거의 1억 5,000만 톤의 탄소 배출량을 의미합니다.
실리콘 트랜지스터 대신 GaN을 사용하는 전력 설계의 발전은 에너지 사용을 몇 퍼센트 줄일 것으로 예상됩니다. 에너지 절약 이점 외에도 이러한 기술은 데이터 센터에 더 적은 수의 전원 공급 장치를 채택하는 것을 용이하게 하여 데이터 센터 공간과 전력의 필요성을 줄일 수 있습니다.
2. GaN으로 효율성 향상
데이터 센터의 에너지 소비는 전력 손실과 냉각의 복잡한 조합입니다. 데이터 센터에서 서버에 공급되는 전력은 여러 번의 변환이 필요하며, 비효율로 인해 전력의 약 30%가 손실됩니다.
GaN 기술은 전체 데이터 센터 효율성을 84%까지 높일 수 있습니다. 교류(AC)에서 직류(DC)로의 전력 변환 및 부하의 직류(DC) 전력 변환에 사용되는 GaN 장치는 데이터 센터를 유지하면서 전체 효율을 원래 77%에서 84%로 높일 수 있습니다. 제대로 작동합니다.
3. GaN에 의한 비용 절감
GaN 장치는 랙당 2,300달러 이상의 전력 비용을 절감하고 전체 운영 비용에서 2억 4,000만 달러 이상을 절약할 수 있는 것으로 보고되었습니다. 데이터 센터 전력 밀도는 25% 이상 증가하여 전 세계 데이터 센터 운영자에게 14억 달러의 수익 기회를 추가하는 동시에 데이터 센터 건설을 지연함으로써 거의 11억 달러의 자본 지출을 연기할 것입니다.
다가오는 엄청난 양의 데이터로 인해 확장 가능하고 효율적이며 유연한 데이터 센터 인프라에 대한 필요성이 높아지고 있습니다. 질화갈륨(GaN) 장치를 사용하는 전력 시스템은 더 높은 전력 변환 효율을 제공합니다. 이 고성능 기술에 대한 투자는 더 작고 더 가벼우며 더 저렴하고 더 효율적인 전력 시스템을 만들어 에너지와 공간 효율성을 높이는 것을 의미합니다. 질화갈륨(GaN) 기술을 통해 데이터 센터 운영자는 비즈니스를 더 잘 운영할 수 있을 뿐만 아니라 궁극적으로 에너지 및 데이터 세계를 변화시키는 데 중요한 역할을 할 수 있습니다.
따라서 GaN 반도체 재료를 사용하여 더 작고, 더 가볍고, 더 저렴하고 더 효율적인 전력 시스템을 만들면 더 높은 전력 변환 효율성을 제공할 수 있어 데이터 센터 개발의 요구 사항을 충족할 수 있습니다.
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