샘 기판에 간
In recent years, ScAlMgO4 (short for SAM or SCAM) has attracted increasing interest as a substrate material for nitride semiconductors. Compared with traditional sapphire, silicon, and silicon carbide substrates, the lattice parameter of ScAlMgO4 is a=0.3246 nm, c = 2.5195nm, which makes the grown GaN thin film has a small lattice mismatch (1.4%) and a small difference in thermal expansion coefficient. In addition, SCAM materials are transparent at wavelengths as low as 196nm and have good chemical properties, which can resist corrosion and oxidation, enabling the preparation of durable and stable optoelectronic devices. PAM-XIAMEN provides customized epitaxial services for GaN on SAM substrate, please send your requirements to [email protected], 우리는 당신에게 전문적인 기술 지원을 제공 할 것입니다.
1. MoCVD에 의한 GAN/SCALMGO4의 성장에 관한 연구
한 팀은 금속 유기 화학 증기 증착 (MOCVD)을 통해 SAM 기판의 고온에서 직접적으로 단일 결정 GAN을 성장시키는 방법을 연구했습니다. 연구원들은 트리메틸 알루미늄 (TMAL)으로 유입되는 사전 흐름이 성장과 같은 섬을 억제하고 균일 한 미러 GA Polar Gan 층을 달성 할 수 있음을 발견했습니다. 전 유량 시간은 GAN의 결정 품질에 직접적인 영향을 미칩니다. 실험에 따르면이 방법은 저온 완충 층으로 인한 결함을 피할 수있어 GAN 박막의 결정질 품질을 향상시킵니다. 또한,이 연구는 또한 고온에서 직접 성장한 GAN 얇은 층이 SAM에서 0.17GA0.83N 층을 성장시키기위한 버퍼 층으로 작용하여 Ingan 장치의 준비를위한 새로운 방법을 열어 줄 수 있음을 보여 주었다.
2. 에스의 무시지로잉질화 갈륨 ...에 샘기판
SCALMGO4를 GAN 에피 택셜 성장 기판으로 사용하는 혁신적인 프로세스는 상당한 이점을 보여 주었다. 이 물질 시스템의 질화물 결정 구조에 대한 높은 적응성은 전통적인 이종 에피 택시의 격자 불일치 및 열 팽창 차이의 일반적인 문제를 효과적으로 완화시킨다. 기존의 사파이어 기판과 비교하여, 인터페이스 응력을 상당히 줄여서 결함 밀도가 낮고 결정 품질이 우수한 GAN 에피 택셜 필름을 얻을 수 있습니다. 이러한 혁신은 장치 작동의 안정성을 향상시킬뿐만 아니라 소형화 된 장치 설계를위한 새로운 경로를 열어줍니다. SCALMGO4 기판 자체의 물리적 특성은 장치 구조의 소형 레이아웃을 달성하는 데 도움이 될뿐만 아니라 탁월한 격자 무결성으로 인해 다기능 통합 칩의 개발을위한 기본 조건을 만듭니다.
적용 전망의 관점에서,이 기판을 기반으로 제조 된 갈륨 질화물 장치의 성능 혁신은 극단적 인 작업 환경에서 특히 뛰어난 일입니다. 고온 저항은 항공 우주 엔진 모니터링 시스템의 엄격한 요구 사항을 충족시킬 수 있으며, 고주파 응답 시스템은 밀리미터 웨이브 레이더 및 통신 시스템 및 우수한 전력 처리 기능을 제공하고 스마트 전기 시스템의 기술 지원을 제공합니다. 더 중요한 것은,이 재료 시스템의 성공적인 개발은 새로운 장치 아키텍처 설계, 결함 제어 기술 및 인터페이스 엔지니어링과 같은 주요 영역에서 과학적 연구 프로세스를 가속화 할 광범위한 밴드 갭 반도체 연구를위한 새로운 실험 플랫폼을 제공했습니다. GAN의 산업 적용을 촉진하는 데 전략적으로 중요합니다.
* 라이센스가 필요합니다.
연구 또는 산업 응용 프로그램을 위해 Gan Epitaxy가 필요한지 여부에 관계없이 이메일로 문의하십시오.[email protected] 과 [email protected].