전력용 사파이어의 GaN
PAM XIAMEN은 전력용 사파이어에 GaN을 제공합니다.
1.1 전력용 사파이어의 GaN HEMT 구조
| 웨이퍼 크기 | 2”, 3”, 4”, 6” |
| AlGaN/GaN HEMT 구조 | 1.2을 참조하십시오 |
| 캐리어 밀도 | 6e12 ~ 2e13 cm2 |
| 홀 이동성 | / |
| XRD (102) FWHM | ~arc.sec |
| XRD (002) FWHM | ~arc.sec |
| 시트 저항력 | / |
| 5x5um의 AFM RMS(nm)2 | <0.25nm |
| 활 (음) | <= 35um |
| 가장자리 제외 | <2mm |
| SiN 패시베이션층 | 0~30nm |
| 알루미늄 조성 | 20 ~ 30 % |
| 구성 중 | InAlN의 경우 17% |
| GaN 캡 | / |
| AlGaN/(In)AlN 장벽 | / |
| ALN 인터레이어 | / |
| GaN 채널 | / |
| C 도핑된 GaN 버퍼 | / |
| 누드 | / |
| 기판 재료 | 사파이어 기판 |
자세한 내용은 당사 웹사이트를 방문하십시오:https://www.powerwaywafer.com,
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1990년에 설립된 Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd(PAM-XIAMEN)는 중국 최고의 반도체 재료 제조업체입니다.PAM-XIAMEN은 고급 결정 성장 및 에피택시 기술, 제조 공정, 엔지니어링 기판 및 반도체 장치를 개발합니다.PAM-XIAMEN의 기술은 반도체 웨이퍼의 더 높은 성능과 더 낮은 비용의 제조를 가능하게 합니다.
1990년 이전에는 응집물질 물리학 연구센터를 소유한 것으로 명시되어 있습니다. 1990년에 센터는 Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd(PAM-XIAMEN)를 설립했으며 현재 중국 내 선도적인 화합물 반도체 재료 제조업체가 되었습니다.