우리가 제공하는 것:
| 도핑되지 않은 N- | Si 도핑된 N+ | 세미 절연 | P+ | |
| 프리 스탠딩 GaN 기판 | 예 | 예 | 예 | |
| 사파이어의 GaN | 예 | 예 | 예 | 예 |
| 사파이어의 InGaN | 예 | *** | ||
| 사파이어의 AlN | 예 | |||
| LED 웨이퍼 | (p+GaN/MOW/N+GaN/N-AlGaN/N+GaN/N-GaN/사파이어) | |||
사파이어/LED 웨이퍼 상의 독립형 GaN 기판/GaN:
사파이어/LED 웨이퍼의 독립형 GaN 기판/GaN 사양은 다음을 참조하십시오.질화갈륨 웨이퍼:
http://www.qualitymaterial.net/products_7.html
사파이어의 InGaN:
사파이어 템플릿의 InGaN 사양은 참조하십시오.InGaN 기판:
https://www.powerwaywafer.com/InGaN-Substrates.html
사파이어의 AlN:
사파이어 템플릿의 AlN 사양은 참조하십시오.AlN 기판:
http://www.qualitymaterial.net/AlN-Substrate.html
사파이어의 AlGaN/GaN：
사파이어 템플릿의 AlGaN/GaN에 대해서는 다음을 참조하십시오.AlGaN/GaN:
https://www.powerwaywafer.com/GaN-HEMT-epitaxial-wafer.html
GaN 기판의 격자 상수
고해상도 X선 회절을 사용하여 질화갈륨의 격자 매개변수를 측정했습니다.
GaN, Wurtzite 구조. 격자 상수 대 온도.
GaN, Wurtzite 구조. 격자 상수 c 대 온도
속성GaN 기판
| 재산 / 재료 | 큐빅(베타) GaN | 육각형(알파) GaN |
| . | . | . |
| 구조 | 아연 블렌드 | 우르자이트 |
| 스페이스 그룹 | F 바4 3m | C46v( = P63mc) |
| 안정 | 메타 안정 | 안정적인 |
| 300K의 격자 매개변수 | 0.450nm | a0 = 0.3189nm |
| c0 = 0.5185nm | ||
| 300K에서의 밀도 | 6.10g.cm-3 | 6.095g.cm-3 |
| 300K에서 탄성 계수 | . . . | . . . |
| 선형 열팽창 계수. | . . . | a0을 따라: 5.59×10-6케이-1 |
| 300K에서 | c0 따라: 7.75×10-6케이-1 | |
| 계산된 자발적 편극 | 해당 없음 | – 0.029Cm-2 |
| 베르나르디니 외 1997 | ||
| 베르나르디니 & 피오렌티니 1999 | ||
| 계산된 압전 계수 | 해당 없음 | e33 = + 0.73Cm-2 |
| e31 = – 0.49Cm-2 | ||
| 베르나르디니 외 1997 | ||
| 베르나르디니 & 피오렌티니 1999 | ||
| A1(TO): 66.1 meV | ||
| E1(TO): 69.6 meV | ||
| 포논 에너지 | 받는 사람: 68.9 meV | E2: 70.7 meV |
| LO: 91.8 meV | A1(LO): 91.2 meV | |
| E1(LO): 92.1 meV | ||
| 온도 안녕 | 600K(추정) | |
| 슬랙, 1973 | ||
| . . . | 단위: Wcm-1K-1 | |
| 1.3, | ||
| Tansley et al 1997b | ||
| 2.2±0.2 | ||
| 두꺼운 독립형 GaN용 | ||
| Vaudo et al, 2000 | ||
| 2.1 (0.5) | ||
| LEO 소재용 | ||
| 적은(많은) 전위가 있는 곳 | ||
| 열 전도성 | Florescu et al, 2000, 2001 | |
| 300K 근처 | ||
| 약 1.7 ~ 1.0 | ||
| n=1×10의 경우(17)4×10까지18센티미터-3 | ||
| HVPE 소재 | ||
| Florescu, Molnar et al, 2000 | ||
| 2.3 ± 0.1 | ||
| Fe 도핑된 HVPE 소재 | ||
| ~의 2 x108옴-cm, | ||
| & 전위 밀도 ca. 105센티미터-2 | ||
| (T 및 전위 밀도의 영향도 제공됨). | ||
| 미온 외, 2006a, 2006b | ||
| 녹는 점 | . . . | . . . |
| 유전 상수 | . . . | a0을 따라: 10.4 |
| 저주파/저주파수에서 | c0을 따라: 9.5 | |
| 굴절률 | 3eV에서 2.9 | 3.38eV에서 2.67 |
| Tansley et al 1997b | Tansley et al 1997b | |
| 에너지 갭의 특성 예 | 곧장 | 곧장 |
| 에너지 갭(예: 1237K) | 2.73eV | |
| Ching-Hua Su et al, 2002 | ||
| 에너지 갭(예: 293-1237K) | 3.556 – 9.9×10-4T2 / (T+600)eV | |
| 칭화 수 외, 2002 | ||
| 에너지 갭(예: 300K) | 3.23eV | 3.44eV |
| Ramirez-Flores 외 1994 | 모네마르 1974 | |
| . | . | |
| 3.25eV | 3.45eV | |
| 로고테티디스 외 1994 | Koide 외 1987 | |
| . | ||
| 3.457eV | ||
| Ching-Hua Su et al, 2002 | ||
| 에너지 갭 예: ca. 0K | 3.30eV | 3.50eV |
| Ramirez-Flores et al1994 | Dingle et al 1971 | |
| 플로그 외 1995 | 모네마르 1974 | |
| 인트린직 캐리어 Conc. 300K에서 | . . . | . . . |
| 의 이온화 에너지 . . . 기증자 | . . . . | . . . . |
| 전자 유효 질량 나*/ m0 | . . . | 0.22 |
| 무어 외, 2002 | ||
| 300K에서 전자 이동성 | . . . | . |
| n = 1×10의 경우17센티미터-3: | 약 500cm2V-1s-1 | |
| n = 1×10의 경우18센티미터-3: | 약 240cm2V-1s-1 | |
| n = 1×10의 경우19센티미터-3: | 약 150cm2V-1s-1 | |
| 로드 앤 가스킬, 1995 | ||
| Tansley et al 1997a | ||
| 77K에서 전자 이동성 | . . . . | . . . . |
| n = . . | ||
| 수용체의 이온화 에너지 | . . . | 마그네슘: 160 meV |
| 아마노 외 1990 | ||
| 마그네슘: 171 meV | ||
| 졸퍼 외 1995 | ||
| Ca: 169 meV | ||
| 졸퍼 외 1996 | ||
| 300K에서 홀 홀 이동성 | . . . | . . . . |
| p= . . . | ||
| 77K에서 홀 홀 이동성 | . . . . | . . . |
| p= . . . | ||
| . | 큐빅(베타) GaN | 육각형(알파) GaN |
GaN 기판의 응용
직접 밴드갭이 3.4eV인 질화갈륨(GaN)은 단파장 발광소자 개발에 유망한 물질이다. GaN의 다른 광학 장치 응용 분야에는 반도체 레이저 및 광학 검출기가 포함됩니다.