사파이어(Al2O3) 템플릿 위의 GaN 박막

사파이어(Al2O3) 템플릿 위의 GaN 박막

에피택셜 GaN 템플릿 Al2O3(사파이어) 기판에서 성장한 제품과 맞춤형 스택을 고품질 및 낮은 결함 밀도로 사용할 수 있습니다. 우리가 제조한 두께, 캐리어 유형 및 캡핑 레이어가 다른 사파이어 기판 웨이퍼의 여러 유형의 GaN 박막 목록이 첨부되어 있습니다.

GaN 박막

1. GaN 박막 에피택시 PAM160107-GAN 사양

사파이어 기판 위의 No.1 에피택셜 GaN

자료 두께 도핑
2 질화 갈륨 5μm
1 C 도핑된 GaN 버퍼 5E18-1E19
  사파이어 기판

비고: 두께 허용 오차는 4um +/-1um이고 캐리어 농도는 <3E17이어야 합니다(도핑 농도가 아니므로 도핑되지 않음). 캐리어 농도 <10을 원하는 경우16, 우리는 할 수 있지만 생산을 조정해야 하므로 비용이 더 많이 듭니다.

No.2 Al2O3 기판 상의 에피택셜 GaN

자료 두께 도핑
2 질화 갈륨 n- < 1017센티미터-3
1 U-GaN 버퍼 1-2μm
  사파이어 기판

참고: 일반 캐리어 농도는 (5-8) E16(도핑 농도가 아님)이어야 합니다. 그리고 우리는 캐리어 농도를 변경할 수 없습니다.

사파이어의 No.3 GaN 에피층

자료 두께 도핑
4 질화 갈륨 p+ 1019센티미터-3마그네슘
3 질화 갈륨 5μm
2 질화 갈륨 N+ 1019센티미터-3
1 U-GaN 버퍼 1-2μm
  사파이어 기판

 

4 사파이어의 단결정 GaN

자료 두께 도핑
3 질화 갈륨 n- < 1016센티미터-3
2 질화 갈륨 1μm
1 U-GaN 버퍼 1-2μm
  사파이어 기판

 

사파이어의 No.5 GaN 박막

자료 두께 도핑
4 AlN으로 UID
3 질화 갈륨 n- < 1016센티미터-3
2 질화 갈륨 1μm
1 U-GaN 버퍼 1-2μm
  사파이어 기판    

 

No.6 사파이어 기반 GaN 템플릿

자료 두께 도핑
3 AlN으로 UID
2 질화 갈륨 0.250μm
1 C 도핑된 GaN 버퍼 1-2μm 5E18-1E19
  사파이어 기판

비고: No.3에서 No.6까지의 GaN 템플릿 웨이퍼의 경우 캐리어 밀도 <10E16 cm를 달성할 수 있습니다.-3 특정 다른 레이어에서.

No.7 사파이어 기판에서 성장한 질화갈륨 박막

자료 두께 도핑
4 질화 갈륨 p+ 1019센티미터-3마그네슘
3 질화 갈륨 10μm
2 질화 갈륨 N+ 1019센티미터-3
1 U-GaN 버퍼 1-2μm
  사파이어 기판

 

2. Al2O3에 GaN 박막 성장을 위한 버퍼층

모든 GaN 에피택시 웨이퍼에 1-2um 버퍼층이 필요합니까? 예를 들어, 웨이퍼 6번: 100A AlN 캡 및 0.25um GaN, 이것은 1-2um 버퍼 층 위에 직접 설정됩니까? GaN/사파이어 웨이퍼는 모두 11-2um 버퍼 층이 필요하며 정확한 것은 6번이어야 합니다: 100A AlN 캡/0.25um GaN/버퍼 층-GaN/사파이어. GaN과 사파이어 기판 사이의 격자 불일치 문제로 인해 이러한 모든 GaN 박막 기판 웨이퍼에 버퍼 층이 필요합니다.

3. GaN 막 성장을 위한 활성화 어닐링 방법

p형 GaN 박막에 대한 활성화 어닐링을 예로 들면 다음과 같습니다. 성장 후 활성화 어닐링은 p형 GaN에 대해 수행되지 않습니다. RTA를 통해 830도에서 10분 동안 어닐링하여 활성화할 수 있습니다. 그리고 Mg 도핑 농도는 2E19cm3. 캐리어 농도는 활성화 후 4.4E17이 됩니다. 구체적으로:

Mg 활성화를 위한 RTA 주변의 경우, 성장된 GaN 박막은 고순도 N2/O2 가스 혼합물에서 어닐링되고 N2:O2 흐름 비율의 활성화는 4:1, 총 부피 5slm(분당 표준 리터)입니다. 어닐링 온도는 830도, 시간은 10분입니다. 이 공정은 튜브형 소둔로가 아닌 급속 가열 소둔로에서 이루어집니다.

활성화 후 단결정 GaN 필름의 자유 캐리어 농도는 금속 접점으로 5*5mm 절단하는 홀 효과로 측정할 수 있습니다.

4. FAQ of GaN Thin Film on Sapphire

질문 1: What is the doping (n-type) concentration of GaN on sapphire template and visible light transmittance could you achieve?
Is it possible to >5×1017/cm3 and visible light transmittance over 80%?
: Doping concentration of n type GaN template on sapphire >1E20, but transmittance is below, single side polished, if double side polished, it would be better.

Transmitance of N-Type GaN on Sapphire

Transmitance of N-Type GaN on Sapphire

질문 2: We bought these Ga-polar GaN templates while ago as below. I was wondering if you can provide me with the GaN crystal direction with respect to the flat on substrate. Is the flat in GaN a-direction or m-direction?

GaN Template on Sapphire Substrate

A:In No.1 GaN on Sapphire template, the flat orientation is A-plane, 16mm.

In No.2 GaN template on sapphire, the flat orientatin is M-plane, 16mm, see below:

GaN crystal direction on sapphire substrate

GaN Crystal Direction with Respect to the Flat on Sapphire Substrate

질문 3: Currently 15 um is the max thickness of GaN thin film on sapphire that is achievable?

: Yes, 15um thick GaN epi layer grown on sapphire is more safety.

자세한 내용은 다음 주소로 이메일을 보내주십시오. victorchan@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com.

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