사파이어(Al2O3) 템플릿의 GaN 박막
에피택셜 GaN 템플릿Al2O3(사파이어) 기판에서 성장한 맞춤형 스택은 고품질과 낮은 결함 밀도로 제공됩니다. 첨부된 내용은 우리가 제조한 두께, 캐리어 유형 및 캡핑 층이 다른 사파이어 기판 웨이퍼에 있는 여러 유형의 GaN 박막 목록입니다.
1. GaN 박막 에피택시 PAM160107-GAN의 사양
사파이어 기판의 No.1 에피택셜 GaN
| 층 | 자료 | 두께 | 도핑 |
| 2 | 질화 갈륨 | 5μm | – |
| 1 | C 도핑된 GaN 버퍼 | – | 5E18-1E19 |
| 사파이어 기판 |
비고: 두께 공차는 4um +/-1um이고 캐리어 농도는 <3E17이어야 합니다(도핑되지 않았기 때문에 도핑 농도가 아님). 캐리어 농도 <10을 원하는 경우16, 할 수는 있지만 생산을 조정해야 하므로 비용이 높아집니다.
Al2O3 기판의 No.2 에피택셜 GaN
| 층 | 자료 | 두께 | 도핑 |
| 2 | 질화 갈륨 | – | n- < 1017센티미터-3 |
| 1 | U-GaN 버퍼 | 1-2μm | – |
| 사파이어 기판 |
비고: 일반 캐리어 농도는 (5-8) E16(도핑 농도 아님)이어야 합니다. 그리고 캐리어 농도를 변경할 수 없습니다.
사파이어의 No.3 GaN 에피레이어
| 층 | 자료 | 두께 | 도핑 |
| 4 | 질화 갈륨 | – | p+ 1019센티미터-3마그네슘 |
| 3 | 질화 갈륨 | 5μm | – |
| 2 | 질화 갈륨 | – | N+ 1019센티미터-3 |
| 1 | U-GaN 버퍼 | 1-2μm | – |
| 사파이어 기판 |
사파이어의 No.4 단결정 GaN
| 층 | 자료 | 두께 | 도핑 |
| 3 | 질화 갈륨 | – | n- < 1016센티미터-3 |
| 2 | 질화 갈륨 | 1μm | – |
| 1 | U-GaN 버퍼 | 1-2μm | – |
| 사파이어 기판 |
사파이어의 No.5 GaN 박막
| 층 | 자료 | 두께 | 도핑 |
| 4 | AlN으로 | – | UID |
| 3 | 질화 갈륨 | – | n- < 1016센티미터-3 |
| 2 | 질화 갈륨 | 1μm | – |
| 1 | U-GaN 버퍼 | 1-2μm | – |
| 사파이어 기판 |
No.6 사파이어 기반 GaN 템플릿
| 층 | 자료 | 두께 | 도핑 |
| 3 | AlN으로 | – | UID |
| 2 | 질화 갈륨 | 0.250μm | – |
| 1 | C 도핑된 GaN 버퍼 | 1-2μm | 5E18-1E19 |
| 사파이어 기판 |
비고: No.3부터 No.6까지의 GaN 템플릿 웨이퍼의 경우 <10E16cm 캐리어 밀도를 달성할 수 있습니다.-3특정 다른 레이어에서.
사파이어 기판에 No.7 질화갈륨 박막 성장
| 층 | 자료 | 두께 | 도핑 |
| 4 | 질화 갈륨 | – | p+ 1019센티미터-3마그네슘 |
| 3 | 질화 갈륨 | 10μm | – |
| 2 | 질화 갈륨 | – | N+ 1019센티미터-3 |
| 1 | U-GaN 버퍼 | 1-2μm | – |
| 사파이어 기판 |
2. Al2O3 상의 GaN막 성장을 위한 완충층
모든 GaN 에피택시 웨이퍼에는 1~2um 버퍼층이 필요합니까? 예를 들어, 웨이퍼 No.6: 100A AlN 캡 및 0.25um GaN, 이는 1-2um 버퍼층 바로 위에 설정됩니다. GaN/사파이어 웨이퍼에는 모두 1개의 1-2um 버퍼층이 필요하며 정확한 것은 No.6: 100A AlN 캡/0.25um GaN/버퍼층-GaN/사파이어입니다. GaN과 사파이어 기판 사이의 격자 불일치 문제로 인해 이러한 GaN 박막 기판 웨이퍼 모두에는 버퍼층이 필요합니다.
3. GaN 막 성장을 위한 활성화 어닐링 방법
p형 GaN 박막에 대한 활성화 어닐링을 예로 들어보겠습니다. 성장 후 활성화 어닐링은 p형 GaN에 대해 수행되지 않습니다. RTA를 통해 830도에서 10분 동안 어닐링하여 활성화할 수 있습니다. 그리고 Mg 도핑 농도는 2E19cm입니다.3. 활성화 후 캐리어 농도는 4.4E17이 됩니다. 구체적으로:
Mg 활성화를 위한 RTA 주변의 경우, 성장된 GaN 박막은 고순도 N2/O2 가스 혼합물에서 어닐링되고 N2:O2 유동 비율의 활성화는 4:1이며 총 부피는 5slm(분당 표준 리터)입니다. 어닐링 온도는 830도, 시간은 10분이다. 이 공정은 튜브형 소둔로가 아닌 급속가열 소둔로에서 이루어집니다.
활성화 후 단결정 GaN 필름의 자유 캐리어 농도는 금속 접점으로 5*5mm를 절단하는 홀 효과(Hall Effect)로 측정할 수 있습니다.
4. 사파이어 GaN 박막 FAQ
질문 1:사파이어 템플릿의 GaN 도핑(n형) 농도와 가시광선 투과율은 얼마나 됩니까?
>5×10이 가능합니까?17/센티미터3 가시광선 투과율은 80% 이상?
:사파이어에 n형 GaN 템플릿의 도핑 농도는 1E20이지만 투과율은 낮고 단면 연마가 가능하며 양면 연마가 더 좋습니다.
사파이어의 N형 GaN 투과율
질문 2:우리는 이전에 아래와 같이 Ga-pole GaN 템플릿을 구입했습니다. 기판의 평면과 관련하여 GaN 결정 방향을 알려주실 수 있는지 궁금합니다. GaN의 평면은 a 방향인가요, 아니면 m 방향인가요?
ㅏ:No.1 GaN on Sapphire 템플릿에서 평면 방향은 A면, 16mm입니다.
사파이어의 No.2 GaN 템플릿에서 편평한 방향은 M 평면, 16mm입니다. 아래를 참조하세요.
사파이어 기판의 평면에 따른 GaN 결정 방향
질문 3:현재 달성 가능한 사파이어의 GaN 박막 최대 두께는 15um인가요?
:예, 사파이어 위에 성장한 15um 두께의 GaN 에피층이 더 안전합니다.
자세한 내용은 이메일로 문의해 주세요.[email protected] 과 [email protected].