프리 스탠딩 GaN 기판

프리 스탠딩 GaN 기판

PAM-XIAMEN는 UHB-LED 및 LD위한 (질화 갈륨), GaN 기판 웨이퍼를 자립의 제조 기술을 확립했다. 수 소화물 기상 성장 (HVPE) 기술에 의해 성장 우리 GaN 기판은 낮은 결함 밀도를 갖는다.

  • 기술

제품 설명

프리 스탠딩 GaN 기판

As a leading GaN substrate supplier, PAM-XIAMEN has established the manufacturing technology for freestanding (Gallium Nitride)GaN substrate wafer  which is Bulk GaN substrate for UHB-LED, LD and fabrication as MOS-based devices. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology, our GaN 기판 for III-nitride devices has  low defect density and less or free macro defect density. The GaN substrate thickness is 330~530μm.

In addition to power devices, gallium nitride semiconductor substrates are increasingly used in the manufacture of white light LEDs because the GaN LED substrates provide improved electrical characteristics and their performance exceeds current devices. Moreover, the rapid development of gallium nitride substrate technology has led to the development of high-efficiency GaN free standing substrates with low defect density and free macro defect density. Therefore, such GaN substrates can be increasingly used to white LEDs. As a result, the bulk GaN substrate market is growing rapidly. By the way, bulk GaN wafer can be used for testing vertical power device concepts.

버팀 GaN 기판의 사양

 여기서 상세 스펙을 보여준다

4″ N type Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

PAM-FS-GaN100-N+
전도 유형 N type/Si doped
크기 4″(100)+/-1mm
두께 480+/-50
정위 C 축 (0001) +/- 0.5o
차 평면 위치 (10-10)+/-0.5o
기본 평면 길이 32+/-1mm
차 평면 위치 (1-210)+/-3o
차 평면 길이 18+/-1mm
저항 (300K) <0.05Ω·cm
전위 밀도 <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 30um
<=+/-30um
표면 처리 Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Back Surface:1.Fine ground
2.Polished.
사용 가능한 영역 ≥ 90 %

 

4″ N type Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

PAM-FS-GaN100-N-
전도 유형 N type/undoped
크기 4″(100)+/-1mm
두께 480+/-50
정위 C 축 (0001) +/- 0.5o
차 평면 위치 (10-10)+/-0.5o
기본 평면 길이 32+/-1mm
차 평면 위치 (1-210)+/-3o
차 평면 길이 18+/-1mm
저항 (300K) <0.5Ω · cm
전위 밀도 <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 30um
<=+/-30um
표면 처리 Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Back Surface:1.Fine ground
2.Polished.
사용 가능한 영역 ≥ 90 %

 

4″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

PAM-FS-GaN100-SI
전도 유형 Semi-Insulating
크기 4″(100)+/-1mm
두께 480+/-50
정위 C 축 (0001) +/- 0.5o
차 평면 위치 (10-10)+/-0.5o
기본 평면 길이 32+/-1mm
차 평면 위치 (1-210)+/-3o
차 평면 길이 18+/-1mm
저항 (300K) >10^6Ω·cm
전위 밀도 <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 30um
<=+/-30um
표면 처리 Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Back Surface:1.Fine ground
2.Polished.
사용 가능한 영역 ≥ 90 %

 

2″ Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

PAM-FS-GaN50-N+
전도 유형 N type/Si doped
크기 (2) "(50.8) +/- 1mm
두께 400+/-50
정위 C 축 (0001) +/- 0.5o
차 평면 위치 (10-10)+/-0.5o
기본 평면 길이 16 +/- 1mm
차 평면 위치 (1-210)+/-3o
차 평면 길이 8 +/- 1mm
저항 (300K) <0.05Ω·cm
전위 밀도 <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15um
<=+/-20um
표면 처리 Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
                             Back Surface:1.Fine ground 
                                                    2.Polished.
Usable Area  ≥ 90 % 


 

2″ Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

PAM-FS-GaN50-N-
전도 유형 N type/undoped
크기 (2) "(50.8) +/- 1mm
두께 400+/-50
정위 C 축 (0001) +/- 0.5o
차 평면 위치 (10-10)+/-0.5o
기본 평면 길이 16 +/- 1mm
차 평면 위치 (1-210)+/-3o
차 평면 길이 8 +/- 1mm
저항 (300K) <0.5Ω · cm
전위 밀도 <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15um
<=+/-20um
표면 처리 Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
                             Back Surface:1.Fine ground 
                                                      2.Polished.
Usable Area  ≥ 90 % 


 

2″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

PAM-FS-GaN50-SI
전도 유형 Semi-Insulating
크기 (2) "(50.8) +/- 1mm
두께 400+/-50
정위 C 축 (0001) +/- 0.5o
차 평면 위치 (10-10)+/-0.5o
기본 평면 길이 16 +/- 1mm
차 평면 위치 (1-210)+/-3o
차 평면 길이 8 +/- 1mm
저항 (300K) >10^6Ω·cm
전위 밀도 <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15um
<=+/-20um
표면 처리 Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
                             Back Surface:1.Fine ground 
                                                      2.Polished.
Usable Area  ≥ 90 % 

15mm, 10mm, 5mm자유로운 무대질화 갈륨 기판

PAM-FS-GaN15-N PAM-FS-GaN15-SI
PAM-FS-GaN10-N PAM-FS-GaN10-SI
PAM-FS-GaN5-N PAM-FS-GaN5-SI
전도 유형 N 형 세미 절연
크기 14.0mm*15mm   10.0mm*10.5mm   5.0*5.5mm
두께 330-450um
정위 C 축 (0001) +/- 0.5o
차 평면 위치  
기본 평면 길이  
차 평면 위치  
차 평면 길이  
저항 (300K) <0.5Ω · cm > 106Ω · cm
전위 밀도 <5x106cm-2
마르코 결함 밀도 0cm-2
TTV <= 15um
<= 20um
표면 처리 전면 표면 : ​​광택 라 <0.2nm.Epi 준비
  후면 : 1.Fine 지상
    2.Rough는 연마
사용 가능한 영역 ≥ 90 %


            

참고 :

Validation Wafer: Considering convenience of usage, PAM-XIAMEN offers 2″ Sapphire Validation wafer for below 2″ size Freestanding GaN Substrate

질화 갈륨 기판의 응용

고체 조명은 : GaN 디바이스는 초 고휘도 발광 다이오드 (LED), 텔레비전, 자동차, 일반 조명으로 사용되는

DVD Storage: Blue laser diodes

Power Device: Devices fabricated on GaN bulk substrate are used as various components in high-power and high-frequency power electronics like cellular base stations, satellites, power amplifiers, and inverters/converters for electric vehicles (EV) and hybrid electric vehicles (HEV). GaN’s low sensitivity to ionizing radiation (like other group III nitrides) makes it a suitable material for spaceborne applications such as solar cell arrays for satellites and high-power, high-frequency devices for communication, weather, and surveillance satellites


Pure Gallium Nitride Substrate Ideal for III-Nitrides re-growth

무선 기지국 : RF 전력 트랜지스터

무선 광대역 액세스 : 고주파 MMIC에, RF-회로 MMIC에

압력 센서 : MEMS

열 센서 : 파이로 전기 탐지기

P심고 냉방 : 혼합 신호의 GaN / SI 통합

자동차 전자 : 고온 전자

송전 라인 : 높은 전압 전자

프레임 센서 : UV 검출기

Solar Cells: GaN’s wide band gap covers the solar spectrum from 0.65 eV to 3.4 eV (which is practically the entire solar spectrum), making indium gallium nitride

태양 전지 소재를 만들기위한 완벽한 (InGaN으로) 합금. 이 때문에 이점, 질화 갈륨 기판 위에 성장 된 InGaN 태양 전지는 GaN 기판 웨이퍼의 가장 중요한 새로운 애플리케이션과 성장 시장 중 하나가 서 있습니다.

HEMT의, FET를 최적

의 GaN 쇼트 키 다이오드 프로젝트 : 우리는 N- 및 P-유형의 HVPE 재배, 무료 서 질화 갈륨 (GaN) 층에 제작 된 쇼트 키 다이오드의 맞춤 사양에 동의합니다.
양 접촉부 (저항 및 쇼트 키)는 알루미늄 / 티타늄 및 Pd / 티타늄 / 금을 이용하여 상부 표면 상에 증착 하였다.
우리는 예를 들어 아래를 참조하십시오, 시험 보고서를 제공합니다 :

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