프리 스탠딩 GaN 기판

프리 스탠딩 GaN 기판

PAM-XIAMEN는 UHB-LED 및 LD위한 (질화 갈륨), GaN 기판 웨이퍼를 자립의 제조 기술을 확립했다. 수 소화물 기상 성장 (HVPE) 기술에 의해 성장 우리 GaN 기판은 낮은 결함 밀도를 갖는다.

  • 기술

제품 설명

프리 스탠딩 GaN 기판

선도적인 GaN 기판 공급업체인 PAM-XIAMEN은 자립형(질화갈륨) 제조 기술을 확립했습니다.GaN 기판 웨이퍼UHB-LED, LD 및 MOS 기반 장치로 제작하기 위한 Bulk GaN 기판입니다. HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 기술로 성장한 당사의GaN 기판III-질화물 장치의 경우 결함 밀도가 낮고 매크로 결함 밀도가 적거나 없습니다. GaN 기판 두께는 330~530μm입니다.

전력 장치 외에도 질화갈륨 반도체 기판은 GaN LED 기판이 향상된 전기적 특성을 제공하고 성능이 현재 장치를 능가하기 때문에 백색광 LED 제조에 점점 더 많이 사용되고 있습니다. 또한 질화갈륨 기판 기술의 급속한 발전으로 인해 결함 밀도가 낮고 매크로 결함 밀도가 없는 고효율 GaN 독립형 기판이 개발되었습니다. 따라서 이러한 GaN 기판은 백색 LED에 점점 더 많이 사용될 수 있습니다. 이에 따라 벌크 GaN 기판 시장이 빠르게 성장하고 있다. 그런데 벌크 GaN 웨이퍼는 수직 전력 장치 개념을 테스트하는 데 사용할 수 있습니다.

1. Specification of Freestanding GaN substrate

 여기서 상세 스펙을 보여준다

1.1 4″ N type Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

PAM-FS-GaN100-N+
전도 유형 N형/Si도핑
크기 4″(100)+/-1mm
두께 480+/-50
정위 C 축 (0001) +/- 0.5o
차 평면 위치 (10-10)+/-0.5o
기본 평면 길이 32+/-1mm
차 평면 위치 (1-210)+/-3o
차 평면 길이 18+/-1mm
저항 (300K) <0.05Ω · cm
전위 밀도 <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 30um
<=+/-30um
표면 처리 전면: Ra<=0.3nm.Epi-준비 연마
뒤 표면: 1.Fine 지상
2. 광택.
사용 가능한 영역 ≥ 90%

 

1.2 4″ N Type Low Doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

PAM-FS-GaN100-N-
전도 유형 N 유형
크기 4″(100)+/-1mm
두께 480+/-50
정위 C 축 (0001) +/- 0.5o
차 평면 위치 (10-10)+/-0.5o
기본 평면 길이 32+/-1mm
차 평면 위치 (1-210)+/-3o
차 평면 길이 18+/-1mm
저항 (300K) <0.5Ω · cm
전위 밀도 <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 30um
<=+/-30um
표면 처리 전면: Ra<=0.3nm.Epi-준비 연마
뒤 표면: 1.Fine 지상
2. 광택.
사용 가능한 영역 ≥ 90%

 

1.3 4″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

PAM-FS-GaN100-SI
전도 유형 반절연
크기 4″(100)+/-1mm
두께 480+/-50
정위 C 축 (0001) +/- 0.5o
차 평면 위치 (10-10)+/-0.5o
기본 평면 길이 32+/-1mm
차 평면 위치 (1-210)+/-3o
차 평면 길이 18+/-1mm
저항 (300K) >10^6Ω·cm
전위 밀도 <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 30um
<=+/-30um
표면 처리 전면: Ra<=0.3nm.Epi-준비 연마
뒤 표면: 1.Fine 지상
2. 광택.
사용 가능한 영역 ≥ 90%

 

1.4 2″ Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

PAM-FS-GaN50-N+
전도 유형 N형/Si도핑
크기 (2) "(50.8) +/- 1mm
두께 400+/-50
정위 C 축 (0001) +/- 0.5o
차 평면 위치 (10-10)+/-0.5o
기본 평면 길이 16 +/- 1mm
차 평면 위치 (1-210)+/-3o
차 평면 길이 8 +/- 1mm
저항 (300K) <0.05Ω · cm
전위 밀도 <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15um
<=+/-20um
표면 처리 전면: Ra<=0.3nm.Epi-준비 연마
  뒤 표면: 1.Fine 지상
  2. 광택.
사용 가능 영역 ≥ 90%


 

1.5 2″ Low doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

PAM-FS-GaN50-N-
전도 유형 N 유형
크기 (2) "(50.8) +/- 1mm
두께 400+/-50
정위 C 축 (0001) +/- 0.5o
차 평면 위치 (10-10)+/-0.5o
기본 평면 길이 16 +/- 1mm
차 평면 위치 (1-210)+/-3o
차 평면 길이 8 +/- 1mm
저항 (300K) <0.5Ω · cm
전위 밀도 <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15um
<=+/-20um
표면 처리 전면: Ra<=0.3nm.Epi-준비 연마
  뒤 표면: 1.Fine 지상
    2. 광택.
사용 가능 영역 ≥ 90%


 

1.6 2″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

PAM-FS-GaN50-SI
전도 유형 반절연
크기 (2) "(50.8) +/- 1mm
두께 400+/-50
정위 C 축 (0001) +/- 0.5o
차 평면 위치 (10-10)+/-0.5o
기본 평면 길이 16 +/- 1mm
차 평면 위치 (1-210)+/-3o
차 평면 길이 8 +/- 1mm
저항 (300K) >10^6Ω·cm
전위 밀도 <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15um
<=+/-20um
표면 처리 전면: Ra<=0.3nm.Epi-준비 연마
  뒤 표면: 1.Fine 지상
    2. 광택.
사용 가능 영역 ≥ 90%

1.7 15mm,10mm,5mm 자유로운 무대질화 갈륨 기판

PAM-FS-GaN15-N PAM-FS-GaN15-SI
PAM-FS-GaN10-N PAM-FS-GaN10-SI
PAM-FS-GaN5-N PAM-FS-GaN5-SI
전도 유형 N 형 세미 절연
크기 14.0mm*15mm 10.0mm*10.5mm 5.0*5.5mm
두께 330-450um
정위 C 축 (0001) +/- 0.5o
차 평면 위치  
기본 평면 길이  
차 평면 위치  
차 평면 길이  
저항 (300K) <0.5Ω · cm > 106Ω · cm
전위 밀도 <5x106cm-2
마르코 결함 밀도 0cm-2
TTV <= 15um
<= 20um
표면 처리 전면 표면 : ​​광택 라 <0.2nm.Epi 준비
  후면 : 1.Fine 지상
    2.Rough는 연마
사용 가능한 영역 ≥ 90 %


            

참고 :

검증 웨이퍼:PAM-XIAMEN은 사용 편의성을 고려하여 2″ 이하 크기의 독립형 GaN 기판을 위한 2″ Sapphire Validation 웨이퍼를 제공합니다.

2. Properties of Freestanding GaN Substrate

Lattice Parameters a=0.3189nm; c=0.5185nm
Band Gap 3.39eV
Density 6.15g/cm3
Therm. Expansion Coefficient a: 5.59×10-6/K; c: 3.17×10-6/K
Refraction Index 2.33-2.7
Dielectric Constant 9.5
Thermal Conductivity 1.3W/(cm*k)
Break-Down Electrical Field 3.3MV/cm
Saturation Drift Velocity 2.5E7cm/s
Electron Mobility 1300cm2/(V*s)

3. Application of GaN Substrate

고체 조명은 : GaN 디바이스는 초 고휘도 발광 다이오드 (LED), 텔레비전, 자동차, 일반 조명으로 사용되는

DVD 스토리지: 블루 레이저 다이오드

전력 소자: GaN 벌크 기판 위에 제작된 소자는 셀룰러 기지국, 위성, 전력 증폭기, 전기 자동차(EV) 및 하이브리드 전기 자동차(HEV)용 인버터/컨버터와 같은 고전력 및 고주파 전력 전자 장치의 다양한 구성 요소로 사용됩니다. ). GaN은 이온화 방사선(다른 III족 질화물과 마찬가지로)에 대한 낮은 감도로 인해 위성용 태양 전지 어레이 및 통신, 날씨 및 감시 위성용 고전력 고주파 장치와 같은 우주 응용 분야에 적합한 소재입니다.


순수한 질화 갈륨 기판 IIII-Nitride 재성장을 위한 거래

무선 기지국 : RF 전력 트랜지스터

무선 광대역 액세스 : 고주파 MMIC에, RF-회로 MMIC에

압력 센서 : MEMS

열 센서 : 파이로 전기 탐지기

P심고 냉방 : 혼합 신호의 GaN / SI 통합

자동차 전자 : 고온 전자

송전 라인 : 높은 전압 전자

프레임 센서 : UV 검출기

태양 전지: GaN의 넓은 밴드 갭은 0.65eV에서 3.4eV까지의 태양 스펙트럼(실제로 전체 태양 스펙트럼)을 커버하여 질화 인듐 갈륨을 만듭니다.

태양 전지 소재를 만들기위한 완벽한 (InGaN으로) 합금. 이 때문에 이점, 질화 갈륨 기판 위에 성장 된 InGaN 태양 전지는 GaN 기판 웨이퍼의 가장 중요한 새로운 애플리케이션과 성장 시장 중 하나가 서 있습니다.

HEMT의, FET를 최적

GaN 쇼트키 다이오드 프로젝트: n형 및 p형의 HVPE 성장 독립형 질화갈륨(GaN) 층에서 제조된 쇼트키 다이오드의 맞춤형 사양을 수락합니다.

두 접점(ohmic 및 Schottky)은 Al/Ti 및 Pd/Ti/Au를 사용하여 상단 표면에 증착되었습니다.

 

주목:
중국 정부는 반도체 칩을 만드는 데 사용되는 갈륨 재료(예: GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs 및 GaSb) 및 게르마늄 재료의 수출에 대한 새로운 제한을 발표했습니다. 2023년 8월 1일부터 이러한 자료의 수출은 중국 상무부로부터 허가를 받은 경우에만 허용됩니다. 여러분의 이해와 협조를 바랍니다!

우리는 예를 들어 아래를 참조하십시오, 시험 보고서를 제공합니다 :

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