Ge 웨이퍼 공급업체_웨이퍼 목록_화합물 반도체 웨이퍼

Ge 웨이퍼 공급업체

Ge 웨이퍼 기판-게르마늄
아니.	자료	정위.	직경	두께	폴란드어	비저항	유형 도펀트	평면 수상	EPD	라
아니.	자료	정위.	(mm)	(μm의)	폴란드어	Ω · cm		정위	/ cm2
1-100	창	(100)	50.8	500 ± 25	SSP	0.0138-0.02	P / 조지아	(110)	≤5000	N / A
1-100	창	(100)	50.8	500	SSP	≥30	N / 도핑	N / A	N / A	<5A
1-100	창	(100)	50.8	500	SSP	58.4-63.4	N / 도핑	N / A	N / A	N / A
1-100	창	(100)	50.8	500	SSP	0.1-1	P / 조지아	N / A	N / A	N / A
1-100	창	(100)	50.8	500	SSP	0.1-0.05	P / 조지아	N / A	N / A	N / A
1-100	창	(100)	50.8	1000	DSP	>30	N / A	(110)	N / A	N / A
1-100	창	(100)	50.8	2000	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	N / A
1-100	창	(100)	50.8	4000	SSP	N / A	N / A	N / A	N / A	N / A
1-100	창	(111)/(110)	50.8	200000	N / A	5-20	N / A	N / A	N / A	N / A
1-100	창	(100)	50.8	400	SSP	<0.4	N / A	N / A	N / A	N / A
1-100	창	(100)/(111)	50.8	4000 ± 10	DSP	N / A	N / A	N / A	N / A	N / A
1-100	창	(100)	50.8	350	SSP	1-10	P / 조지아	(110)	≤5000	N / A
PAMP20295	창	(100)	50.8	500 ± 25	SSP	2-10	P / 조지아	(110)	≤5000	N / A
1-100	창	(100)	50.8	500 ± 25	SSP	0.3-3	N / Sb를	(110)	≤5000	N / A
1-100	창	(100)	50.8	500 ± 25	SSP	0.3-3	P / 조지아	(110)	≤5000	N / A
1-100	창	(111)	60	1000	컷으로	>30	N / A	(110)	<3000	N / A
1-100	창	(100)	100	N / A	SSP	<0.019	P / 조지아	(110)	<500	N / A
1-100	창	(100)	100	1000 ± 25	SSP	≥30	N / 도핑	N / A	N / A	N / A
1-100	창	(100) 꺼짐 6°또는 꺼짐 9°	100	500	SSP	0.01-0.05	P / 조지아	N / A	N / A	N / A
1-100	창	(100)	100	500	SSP	0.01-0.05	P / 조지아	N / A	N / A	N / A
1-100	창	(100)	100	500	DSP	0.01-0.05	P / 조지아	N / A	N / A	N / A
1-100	창	(100)	100	500	SSP	<0.01	P / 조지아	N / A	N / A	N / A
1-100	창	(100)	100	500	DSP	<0.01	P / 조지아	N / A	N / A	N / A
1-100	창	(100)	100	500	SSP	≥35	P / 조지아	N / A	N / A	N / A
1-100	창	(100)	100	500	DSP	≥35	P / 조지아	N / A	N / A	N / A
1-100	창	(100)	100	500	SSP	0.1-0.05	P / 조지아	N / A	N / A	<5A
1-100	창	(100)	100	500	DSP	0.1-0.05	P / 조지아	N / A	N / A	<5A
1-100	창	(100)6°오프 (111)	100	185 ± 15	DSP	0.01-0.05	N / A	(110)	≤5000	<5A
1-100	창	(100)6°오프 (110)	100	525 ± 25	SSP	0.01-0.04	N / A	N / A	N / A	N / A
1-100	창	(100)	100	N / A	N / A	N / A	N / A	N / A	N / A	N / A
1-100	창	(100)	100	1000 ± 15	SSP	≥30	N / A	(110)	≤5000	N / A
1-100	창	(100)	100	750 ± 25	SSP	≥30	N / A	(110)	≤5000	N / A
1-100	창	(100)	100	500 ± 25	SSP	10-30	N / A	N / A	N / A	N / A
1-100	창	(100)/(111)	100	160	DSP	0.05-0.1	P / 조지아	N / A	<500	N / A
1-100	창	(100)/(111)	100	160	DSP	0.05-0.1	P / 조지아	N / A	<4000	N / A
1-100	창	(100)/(111)	100	160	DSP	0.05-0.1	N / Sb를	N / A	<500	N / A
1-100	창	(100)/(111)	100	160	DSP	0.05-0.1	N / Sb를	N / A	<4000	N / A
1-100	창	(100)/(111)	100	190	DSP	0.05-0.1	P / 조지아	N / A	<500	N / A
1-100	창	(100)/(111)	100	190	DSP	0.05-0.1	P / 조지아	N / A	<4000	N / A
1-100	창	(111)	100	500 ± 25	SSP	<0.4	N / Sb를	N / A	N / A	N / A
1-100	창	(100)6°오프 컷(111)A 방향	100	175 ± 25	SSP	0.003-0.009	P / 조지아	(0-1-1) (0-11)	<100	N / A
PAM210802	창	(100)	100	175	DSP	<0.02	피	N / A	N / A	N / A
1-100	창	(310)는, ± 0.1 °	100	200 ± 15	DSP	>20	N / A	N / A	N / A	N / A
1-100	창	(111)	150	600-700	N / A	>30	N / A	(110)	N / A	N / A

게르마늄 웨이퍼 목록은 참고용입니다. 가격 세부정보가 필요한 경우 영업팀에 문의하세요. Ge 웨이퍼 공급업체로서 당사는 특별한 방향으로 벌크 Ge 웨이퍼도 제공합니다. Ge(310)을 예로 들어보겠습니다.

Ge 웨이퍼, PAM210611-GE

크기: 직경 4"

고유의 도핑되지 않은

방향 : (310) +/-0.1deg.

저항률:>30ohm.cm

TTV<3um

활 <10um

워프<10um

SEMI 프라임 등급

양면 광택

원세미플랫

개별 웨이퍼에 밀봉됨

자주하는 질문:

Q: 아래 귀하의 의견에 따르면 방향 <111>이 도핑되지 않은 것으로 나타났습니다. 투과율에서 N형 게르마늄 웨이퍼와 차이가 있습니까?

"일반적으로 이 저항률(5-40ohm.cm)에 (111)을 사용하는 것은 거의 없지만, (111)도핑되지 않은(저항률 > 40ohm.cm) 광학 응용 분야에서는 많이 사용됩니다."

A: (111)언도프 Ge 웨이퍼의 투과율은 n형 웨이퍼보다 약간 더 좋습니다.

참고 :
*** 제조업체로서 우리는 연구원이나 주조소를 위한 소량의 수량도 허용합니다.

***배송 시간: 재고에 따라 다릅니다. 재고가 있는 경우 곧 배송해 드릴 수 있습니다.

***응용 분야: 당사는 광학, 외 성장, 태양 전지, 펌프 프로브 설정에서 IR 및 가시 펄스 동기화 등과 같은 다양한 응용 분야에 Ge 웨이퍼를 제공합니다. 귀하의 용도를 알려주시면 가장 적합한 웨이퍼 사양을 제안해 드립니다.

*** 태양전지 응용 분야의 경우 일반적으로 사용자는 175um+/-25um 두께, EPD<500/cm2 또는 5000/cm2에서 6° 또는 9°에서 (100)이 꺼진 Ge 웨이퍼를 선택합니다.

자세한 내용은 이메일로 문의해 주세요.[email protected] 과 [email protected].