광학 및 에피 성장을위한 게르마늄 기질
Xiamen 전력 Advanced Material Co., Ltd. 광학 적용 또는 미세 전자 공학의 에피 성장에 대한 단결 또는 다결정 15mmmmm (100) 기질을 제공한다. 다음 사양에서 게르만 기판을 구입할 수 있습니다.
1. Gemanium 기판 사양
No.1광학적으로 연마 된 게르마늄 기질
PAM211025-GE
| SL NO ' | 명세서 | 값 |
| 1 | 자료 | 게르마늄 (GE) 광학 등급 |
| 2 | 결정 형태 | 다결정 / 단일 결정 |
| 3 | 모양 | 원형 아파트 |
| 4 | 직경 | 25 mm +0.0 / -0.10 mm |
| 5 | 두께 | 2 mm +/- 0.10 mm |
| 6 | 에지 모 틀 | 0.3 (+/- 0.1) mm x 45도 |
| 7 | 쐐기 | <0.05 mm |
| 8 | 표면 품질 (스크래치 - 발굴) | 두 표면은 광학적으로 연마됩니다 (60 - 40) |
| 9 | 명확한 조리개 (CA) | > 22 mm |
| 10 | 표면 평탄도 | <2 프린지 (1 파) ca |
| 11 | 표면 미세 공장 | <3 nm |
| 12 | 전도도 유형 | n- 타입 |
| 13 | 전형적인 저항 | <10 옴 -cm |
| 14 | 25o의 흡수 계수 c | <0.04 cm-1 @10.6 mm |
| 15 | 굴절률 @10.6 mm | 4.01 +/- 0.005 |
| 16 | 3-11 mm의 스펙트럼 전송 | 45 %이상 |
No.2GE 기판 FOr 광학
광학 등급 PAM-190709-GE
직경 : 6 인치 직경.
(100) +/- 0.5deg.
두께 : 2000 ± 25µm,
양측 풀이 폴란드
No.3게르마늄웨이퍼, 취소
프라임 등급 PAM-190725-GE
직경 : 6 인치 직경.
본질적인 구분되지 않은 GE,
(100) 또는 (111) +/- 0.5deg.
저항력> 30 OHM.CM,
두께 : 500 ± 25µm,
SEMI 표준
TTV <5µm
양면 연마,
Empak 또는 동등한 카세트로 밀봉되었습니다.
No.4에피 레디창rmanium기판, p 유형
프라임 등급 PAM-190711-GE
직경 : 6 인치 직경.
p 유형/ga 도핑,
(100) +/- 0.5deg.
저항성 : (0.005 ~ 0.05) OHM.CM,
두께 : 500 ± 25µm,
SEMI 표준
단면 포질,
Empak 또는 동등한 카세트로 밀봉되었습니다.
Epi-Ready Germanium wafers는 또한 MEMS 응용 분야에서 처리 된 후 X- 선 회절에 사용될 수 있습니다. GE 기판은 최종 X- 선 응용에 대한 DSP, 미공개 재료 및 최소 가능한 EPD 일 수있다.
No.5 Polyrystalline Germanium 기판 PAM190709-GE
순도 :> = 99.999%
N 유형
크기 : 60mm x 8mm
두께 : 1000um
양면 광택
6 번 광학 GE 웨이퍼 PAM200528-GE
순도 : 99.999%
오리엔테이션 : <100>, <110>, <111> (정확도 <1 °)
DIA.50.8mm (+/- 0.5mm)
티치 1.5mm
- 게르마늄 사양의 광 링은 10이고 효과적인 조리개는 85%입니다.
2. 공정 동안 게르마늄 기질의 장점
게르마늄 시트 처리의 주요 장점은 다음과 같습니다.
게르마늄 단결정 다중 와이어 절단 공정은 절단 슬라이스의 낮은 재료 손실 및 높은 기하학적 파라미터의 특성을 갖는다;
등 연삭 및 약한 부식 기술은 게르마늄 슬라이스의 기계적 강도를 향상시킬뿐만 아니라 지표면의 표면 상태를 유지합니다.
동시에, 그것은 또한 연삭하여 소개 된 내부 응력을 제거하고, 부식 된 표면의 거칠기를 제어하고, 게르마늄 플레이트의 연삭 표면을 청소하는 목적을 달성 할 수있다.
게르마늄 기판의 3 단계 연마 공정 기술은 연마 공정에서 화학적 및 기계적 효과의 균형을 인식하여울트라 얇은 게르마늄 조각연마 후 더 나은 기하학적 파라미터 정확도와 표면 거칠기를 달성 할 수 있습니다.
독특한 청소 및 포장 공정은 게르마늄 웨이퍼의 유적 수명을 향상시킬 수 있습니다.
3. 단결정 게르마늄 기판 산업 표준
전도도 유형에 따르면, 단결정 게르마늄 재료는 N 유형 및 P 유형으로 나뉩니다.
3.1 게르마늄 기판의 지정 방법
"1"은 게르마늄 웨이퍼의 생산 방법, CZOCHRALSKI 방법에는 CZ를 사용하고 수평 방법을 위해 HB를 나타냅니다.
"2-ge"는 크리스탈 게르마늄 웨이퍼를 나타냅니다.
"3"은 N 또는 P를 사용하여 전도도 유형을 나타내고 괄호 안의 요소 기호는 도펀트를 나타냅니다.
"4"는 Miller Index를 사용하여 결정 방향을 나타냅니다.
GE 기판 지정의 예 :
A) CZ-GE-N (SB)-<111>은 결정 방향이 <111> N- 타입 안티몬 도핑 된 Czochralski 단일 크리스탈 게르마늄 서브 스트 라이트임을 나타냅니다.
B) CZ-GE-P (GN)-<111>은 결정 방향이 <111> P- 타입 비소 도핑 된 Czochralski 게르마늄 웨이퍼임을 나타냅니다.
3.2 게르마늄 기판의 사양은 표의 요구 사항을 충족합니다.
| 형상 매개 변수/ mm | ||
| 스퀘어 웨이퍼 | 부식 웨이퍼 | |
| 측면 길이 | 0.90 × 0.90 | 0.85 × 0.85 |
| 1.00 × 1.0o | 0.90 × 0.90 | |
| 2.00 × 2.00 | 0.95 × 0.95 | |
| 2.25 × 2.25 | – | |
| 측면 길이의 허용 편차 | ± 0.05 | ± 0.05 |
| 두께 | 0.24 ~ 0.30 | 0.13 ~ 0.17 |
| 두께 공차 | ± 0.01 | ± 0.01 |
3.3 게르마늄 기판 표면 품질
3.3.1 광학 게르미늄의 표면 품질 검사
우리는 광학 등급 게르마늄 기판이 어두운 방에서 강한 광 (다중 평행 광원)에 의해 긁힘을 검사합니다.
검사 목적: 광학 게르마늄 표면에 미세한 긁힘, 이물질, 미세 기포가 있는지 여부를 결정합니다.
검사 내용: GE 기판 표면에서 미세 스크래치를 검사하십시오
참조 광원: 멀티 앵글 병렬 광원
분석: 유리 표면의 미세 스크래치, 외국 물질 검사.
유리는 반사성이 높은 물체이며, 다중 방해 평행 광원은 미세 흠집을 명확하게 밝힐 수 있으며 매우 균일 할 수 있습니다.
스크래치/파기: 60/40은 다음을 의미합니다.
60 : 최대 허용 스크래치 너비 (0.06mm 너비)
40 : 최대 허용 DIG 직경 (0.4mm 직경)
스크래치 또는 발굴 번호에 대한 자세한 내용은 아래 표를 참조하십시오.
| 스크래치 번호 | 최대 허용 Scratch Width (mm) |
발굴 번호 | 최대 허용 Dig or Bubble Diameter (mm) |
|
| 120 | 0.12 | 120 | 1.2 | |
| 80 | 0.08 | 80 | 0.8 | |
| 60 | 0.06 | 60 | 0.6 | |
| 50 | 0.05 | 50 | 0.5 | |
| 40 | 0.04 | 40 | 0.4 | |
| 30 | 0.03 | 30 | 0.3 | |
| 20 | 0.02 | 20 | 0.2 | |
| 목적: 광학 성분의 유리 표면 품질정의: 스크래치 : 유리 표면의 모든 표시 또는 찢어짐. 발굴 : 유리 표면의 작은 거친 지점은 외관의 구덩이와 비슷합니다. 거품은 발굴로 간주됩니다. 절차 : |
||||
3.3.2 표면 품질 검사 Epi-Ready Germanium
a) 게르마늄 단일 크리스탈 스퀘어 기판은 길이의 1/10 분의 1보다 큰 길이가 부풀어 오르지 않아야하며 2mm 이하의 측면 길이를 가진 GE 웨이퍼가 있어야합니다. 부서진 가장자리의 너비는 측면 길이의 10 분의 1을 초과해서는 안됩니다. 측면 길이가 2mm보다 큰 게르 늄 기판의 경우, 치핑 너비는 측면 길이의 100을 초과하지 않으며 각 칩의 치핑 수는 2를 초과하지 않아야합니다.
b) 얇은 게르마늄 웨이퍼는 균열을 가질 수 없습니다.
c) 단결정 게르마늄 시트를 세척하고 초음파에 의해 건조 된 후에는 표면을 얼룩없이 청소해야합니다.
d) 게르마늄 절단 디스크에는 명백한 나이프 자국이 없어야한다.
e) 게르마늄 연마 시트 표면에는 긁힘과 나이프 자국이 없어야합니다.
f) 게르마늄 부식 시트의 표면에는 흠집, 나이프 자국, 얼룩, 먼지 및 라미네이션이 없어야합니다.
3.4 게르마늄 기판에 대한 테스트 방법
a) 전도도 유형은 GB/T 1550에 따라 결정됩니다.
b) 저항의 측정은 GB/T1552에 따라 수행된다.
c) GE 기판 전위 밀도의 측정은 GB/T 5252에 따라 수행되어야한다.
d) 결정 방향의 결정은 GB/T 5254에 따라 수행되어야한다.
e) 소수의 수집가의 수명은 GB/T 1553에 따라 측정해야합니다.
f) 기하학적 파라미터의 측정은 다음과 같이 나뉩니다.
- 게르마늄 단일 크리스탈 스퀘어 조각의 측면 길이는 0.01mm 마이크로 미터 또는 동등한 정확도를 갖는 측정 도구로 측정됩니다.
- GE 기판의 두께는 인덱스가 0.001mm 인 다이얼 표시기 또는 동등한 정확도를 갖는 측정 도구로 측정됩니다.
g) 표면 품질 검사는 육안 검사에 의해 수행되어야한다.
자세한 내용은 이메일로 문의하십시오[email protected] 과 [email protected].