창 (게르마늄) 싱글 수정 및 웨이퍼

창 (게르마늄) 싱글 수정 및 웨이퍼

PAM-XIAMEN은 2", 3", 4" 및 6" 게르마늄 웨이퍼를 제공합니다. 이는 VGF/LEC로 성장한 Ge 웨이퍼의 약자입니다. 약간 도핑된 P 및 N형 게르마늄 웨이퍼도 홀 효과 실험에 사용할 수 있습니다. 상온에서 결정질 게르마늄은 부서지기 쉽고 가소성이 거의 없습니다. 게르마늄은 반도체 특성을 가지고 있습니다. 고순도 게르마늄에 3가 원소(예: 인듐, 갈륨, 붕소)를 도핑하여 P형 게르마늄 반도체를 얻습니다. 5가 원소(안티몬, 비소, 인 등)를 도핑하여 N형 게르마늄 반도체를 얻는다. 게르마늄은 높은 전자 이동도 및 높은 정공 이동도와 같은 우수한 반도체 특성을 가지고 있습니다.
  • 기술

제품 설명

Single Crystal Germanium Wafer

PAM-XIAMEN offers 2”, 3”, 4” and 6” germanium wafer, which is short for Ge wafer grown by VGF / LEC. Lightly doped N and P type Germanium wafer can be also used for Hall effect experiment. At room temperature, crystalline germanium is brittle and has little plasticity. Germanium has semiconductor properties. High-purity germanium is doped with trivalent elements (such as indium, gallium, boron) to obtain P-type germanium semiconductors; and pentavalent elements (such as antimony, arsenic, and phosphorus) are doped to obtain N-type germanium semiconductors. Germanium has good semiconductor properties, such as high electron mobility and high hole mobility.

1. Properties of Germanium Wafer

1.1 General Properties of Germanium Wafer

일반 속성 구조 Cubic, a = 5.6754 Å
밀도 : 5.765 g / cm3
Melting   Point: 937.4 oC
열 전도도 : 640
결정 성장 기술 초크 랄 스키
사용할 수 도핑 도핑 Sb를 도핑 도핑 또는 조지아
도전 형 / N P
저항, ohm.cm >35 <0.05 0.05-0.1
EPD < 5×103/cm2 < 5×103/cm2 < 5×103/cm2
< 5×102/cm2 < 5×102/cm2 < 5×102/cm2

 

1.2 Grades and Application of Germanium wafer

전자 학년 다이오드와 트랜지스터에 사용,
적외선 또는 opitical 학년 IR 광학 창이나 디스크, opitical 구성 요소에 사용
세포 학년 Used for substrates of solar cell

 

1.3 Standard Specs of Germanium Crystal and wafer

크리스탈 방향 <111>,<100> and <110> ± 0.5o or custom orientation
성장으로 크리스탈 보울 1 '~ 6 "직경 X 200mm 길이
컷 표준 빈 1 "의 X 0.5mm의 2 "x0.6mm 4 "x0.7mm 5 '및 6'x0.8mm
표준 연마 웨이퍼 (한 / 양면 연마) 1 "X 0.30 mm 2 "x0.5mm 4 "x0.5mm  5″&6″x0.6mm
  • Special size and orientation are available upon requested Wafers

2. Specification of Germanium Wafer

2.1 Specification of Germanium Wafer of 2”,3”,4”and 6”size

명세서 비고
성장 방법 VGF
전도 유형 n 형, p 형, 도핑  
도펀트 갈륨 또는 안티몬
웨이퍼을 직경 (2) 3,4 (6) 인치
크리스탈 방향 (100), (111), (110)
두께 200 ~ 550
EJ 또는 미국
캐리어 농도 고객에 따라 요청  
RT에서 저항 (~ 80 0.001) Ohm.cm
에치 피트 밀도 <5000 / cm2
레이저 마킹 요청에 따라
표면 처리 P / E 또는 P / P
준비 에피
패키지 단일 웨이퍼 용기 또는 카세트

 

2.2 Germanium Wafer for Solar Cell

4 인치 웨이퍼의 Ge 규격 태양 전지에 대한  —
도핑 P  —
물질을 도핑 GE-조지아  —
직경 100 ± 0.25 mm  —
정위 (100) (9) <111> +/- 0.5 ° 향해서
오프 방향 경사각 N / A  —
기본 평면 방향 N / A  —
기본 평면 길이 32 ± 1 MM
차 평면 방향 N / A  —
차 평면 길이 N / A mm
CC (0.26-2.24) E18 / CC
저항 (0.74-2.81) E-2 ohm.cm
전자 이동도 382-865 cm2 / VS
EPD <300 / cm2
레이저 마크 N / A  —
두께 175 ± 10 μm의
TTV <15 μm의
TIR N / A μm의
<10 μm의
경사 <10 μm의
전면 얼굴 우아한  —
맨 얼굴 바닥  —

 

2.3 Ge Wafer (as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter)

PAM180212-GE

DSP Ge Wafer
Dia 4”
두께 1.50mm +/- 0.10mm
정위 N / A
Conductivity N / A
저항 N / A
Surface Process Double-side polished; minimum 90mm dia. central clear aperture
Other Parameters 60-40 scratch-dig or better
Less than 2 arc minutes parallelism
Surfaces optically flat to within 1 fringe irregular per any 25mm dia. in the clear aperture

 

2.4 Germanium Used as Thin FIR Window (PAM211121-GE)

4″ Germanium wafer with low plasma frequency, undoped ,175µm+/-25um. (100), single side polished.

3. Germanium Wafer Process

With the advancement of science and technology, the processing technique of germanium wafer manufacturers is more and more mature. In the production of germanium wafers, germanium dioxide from the residue processing is further purified in chlorination and hydrolysis steps.
1) 고순도 게르마늄 영역 정제하는 동안 얻을 수있다.
2) 게르마늄 결정은 초크 랄 스키 프로세스로 제조된다.
3) 게르마늄 웨이퍼는 여러 절단, 연삭, 및 에칭 공정을 통하여 제조된다.
4) 웨이퍼 세정 및 검사된다. 이 과정에서 웨이퍼 사용자 요구 사항에 따라 연마 한면 광택 또는 양면이며, 에피 준비 웨이퍼 온다.
5)The thin germanium wafers are packed in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.

4. Application of Germanium:

게르마늄 빈 또는 창은 야간 및 상업용 보안, 화재 진압 및 산업용 모니터링 장비에 대한 열 감지 이미징 솔루션에 사용됩니다. 또한, 이들은 레이저에 대한 분석 및 측정 기기 용 필터, 원격 온도 측정 용 창문, 거울과 같이 사용된다.

Thin Germanium substrates are used in III-V triple-junction solar cells and for power Concentrated PV (CPV) systems and as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter application.

5. Test of Germanium Wafer:

The resistivity of the crystal germanium wafer was measured by Four Probe Resistance Tester, and the surface roughness of Germanium was measured by profilometer.

 

 

 

 

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Ge Wafer Supplier

P Type Thin Germanium Wafer | Solar Cell

Germanium Substrate for Optics and Epi-growth

As-cut Germanium (Ge) Window

Doped or Undoped Germanium (Ge) Crystal | Ge Single Crystal Growth

게르마늄(Ge) 잉곳

Single Crystal Germanium Wafer with Orientation (110) toward<111>

Test Method for Dislocation Density of Monocrystal Germanium

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