금 코팅 실리콘 웨이퍼
실리콘 웨이퍼의 금속 코팅(Ti, Cr, Au, Pt, Pd, Al, Cu, Ag 등)에 대한 전자빔 및 열 증발은 PAM-XIAMEN에서 제공됩니다.
Pt, Ru, Pd, Au, Ag, Co, Ti, Cu, Al, Ta 및 Ni의 두께 범위는 10nm ~ 2.2um입니다.
금속 스퍼터링에는 단일 층 및/또는 Ta, TaN, Cu, Ti, TiN, Al, Al-Si-Cu, Al-Cu, Al-Si, TiW, W, WN, WSi 및 Cr 원소의 조합이 포함됩니다.
구리 도금은 0.2um~30um 두께의 실리콘 웨이퍼에 사용할 수 있습니다.
금 코팅 실리콘 웨이퍼는 재고가 있지만 다음에 국한되지는 않습니다.
| 웨이퍼 번호 | 크기 | 자료 | 유형 | 두께(um) | 코팅 두께 | 저항(ohm.cm) | 수량(개) |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#M2 | 4″스퍼터링 Au | Au 코팅 | N100 | 435-465 | 20nmTi+100nmAu | 0.012-0.018 | 12 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#M3 | 2″스퍼터링 Au | — | P100 | 430 ± 10 | 20nmTi+100nmAu | <0.005 | 2 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#M4 | 2″스퍼터링 Au | — | N100 | 430 ± 10 | 20nmTi+1200nmAu | <0.05 | 20 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#M5 | 2″스퍼터링 Au GaAs | — | 반절연 100 | 200um | 20nmTi+50-100nmAu | — | 4 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#M6 | 6″스퍼터링 Cu | — | P100 | 675um | 200nmCu | — | 1 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#M7 | 6″스퍼터링 Cu | — | N100 | 675um | 2um(2000nm)Cu | — | 13 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#M8 | 8″스퍼터링알 | — | — | 700um SSP | 500nmAl | — | 138 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#M9 | — | — | — | — | — | — | 25 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#M10 | 12스퍼터링 Cu | — | P100 | 700um DSP, 한쪽 스퍼터링 | 1umCu | — | 10 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#M11 | 12스퍼터링 Cu | — | P100 | 700um DSP, 한쪽 스퍼터링 | 0.5umCu=500nmCu | — | 2 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#M12 | 6″스퍼터링 Cu | — | N100 | 625 ± 25 | 125nmCu | 0.01-0.02 | 17 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#M13 | 2″스퍼터링 Au | — | P100 | 400 ± 15 | 10nmCr+100nmAu | <0.0015 | 75 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#M14 | 2″스퍼터링 Au | — | N100 | 280 ± 15 | 10nmCr+100nmAu | <0.05 | 47 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#M15 | 4″스퍼터링 백금 | — | N100 | 450um | 500nmSiO2+30nmTi+150nmPt | 0.02-0.025 | 6 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#M16 | 2″스퍼터링 Au GaAs | — | N100 | 110um DSP | 100nmAu | — | 4 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#M17 | 4″스퍼터링 백금 | — | P100 | 500 ± 20 | 500nmSiO2+30nmTi+150nmPt | 1-10 | 3 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#M18 | 4″스퍼터링 백금 | — | P100 | 500 ± 10 | 500nmSiO2+30nmTi+150nmPt | <0.0015 | 15 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#M19 | 2″스퍼터링 백금 | — | P100 | 430 ± 15 | 산화물층 없음+30nmTi+150nmPt | — | 4 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#C20 | 4″스퍼터링 Pt를 사용한 실리콘 웨이퍼 | — | — | — | 150nmPt | 40 | |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#C21 | 4″ 스퍼터링 Au가 포함된 실리콘 웨이퍼 | SSP | N100 | 450 ± 15 | 100nmAu | 0.015-0.018 | 10 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#C22 | 6″스퍼터링 Ni를 사용한 실리콘 웨이퍼 | SSP | — | 650 | 200nmNi | — | 9 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#C23 | 4″스퍼터링 Pt를 사용한 실리콘 웨이퍼 | SSP | P100 | 500 ± 20 | 150nmPt | 1-10 | 100 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#C24 | 4″스퍼터링 Pt를 사용한 실리콘 웨이퍼 | SSP | N100 | 500 ± 10 | 300nmPt | <0.05 | 100 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#C25 | 4″스퍼터링 Pt를 사용한 실리콘 웨이퍼 | — | P111 | — | 500nmSiO2+10nmTi+300nmPt | — | 100 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#C26 | 4″스퍼터링 Pt를 사용한 실리콘 웨이퍼 | — | P100 | — | 500nmSiO2+40nmTi+300nmPt | — | 100 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#C27 | 4″스퍼터링 Pt를 사용한 실리콘 웨이퍼 | — | P100 | — | 500nmSiO2+40nmTi+300nmPt | — | 100 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#C28 | 4″ 스퍼터링 Au가 포함된 석영 유리 | — | — | — | 20nmTi+50nmAu | — | 100 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#C29 | 6″스퍼터링 Ni를 사용한 실리콘 웨이퍼 | — | P100 | — | 200nmNi | — | 100 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#C30 | 6″스퍼터링 Cu를 사용한 실리콘 웨이퍼 | — | N100 | 625 ± 25 | 125nmCu | — | 100 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#C31 | 4″ 스퍼터링 Au가 포함된 실리콘 웨이퍼 | SSP | N100 | 475-575um | 20nmTi+100nmAu | — | 100 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#C32 | 4″ 스퍼터링 Au가 포함된 실리콘 웨이퍼 | SSP | N100 | 435-465 | 20nmTi+100nmAu | 0.012-0.018 | 100 |
| PAM-샤먼-웨이퍼-#C33 | 4″스퍼터링 Pt를 사용한 실리콘 웨이퍼 | SSP | P100 | 500 ± 50 | 150nm | <0.05 | 100 |
금, 구리, 은, 백금 및 기타 금속 코팅된 실리콘 웨이퍼는 오믹 접촉, 전도성 기판, 졸-겔 기판, 나노 물질 성장 등을 포함한 나노 분야에 사용할 수 있습니다. 또한 금속화 실리콘 웨이퍼는 주사 전자 현미경(SEM), 원자력 현미경(AFM) 및 기타 주사 탐침 현미경 범위는 물론 세포 배양, 단백질 DNA 마이크로어레이 및 반사계에도 적용할 수 있습니다.
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