실리콘 웨이퍼 상의 금속 코팅(Ti, Cr, Au, Pt, Pd, Al, Cu, Ag 등)의 전자빔 및 열 증착은 PAM-XIAMEN에서 제공됩니다.
Pt, Ru, Pd, Au, Ag, Co, Ti, Cu, Al, Ta 및 Ni (두께 10nm ~ 2.2um 범위)
금속 스퍼터링은 단층 및/또는 Ta, TaN, Cu, Ti, TiN, Al, Al-Si-Cu, Al-Cu, Al-Si, TiW, W, WN, WSi 및 원소의 조합을 포함합니다. Cr.
구리 도금은 0.2um에서 30um 사이의 두께를 가진 실리콘 웨이퍼에 사용할 수 있습니다.
금 코팅 실리콘 웨이퍼는 재고가 있지만 다음에 국한되지 않습니다.
웨이퍼 번호 | 크기 | 자료 | 유형 | 두께 (음) | 코팅 두께 | 저항. (ohm.cm) | 수량 (Pcs) |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# M2 | 4 ″ Sputtering Au | Au 코팅 | N100 | 435-465 | 20nmTi + 100nmAu | 0.012-0.018 | 12 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# M3 | 2 ″ Sputtering Au | — | P100 | 430 ± 10 | 20nmTi + 100nmAu | <0.005 | 2 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# M4 | 2 ″ Sputtering Au | — | N100 | 430 ± 10 | 20nmTi + 1200nmAu | <0.05 | 20 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# M5 | 2 ″ Sputtering Au GaAs | — | 반 절연 100 | 200um | 20nmTi + 50-100nmAu | — | 4 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# M6 | 6 ″ 스퍼터링 Cu | — | P100 | 675um | 200nmCu | — | 1 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# M7 | 6 ″ 스퍼터링 Cu | — | N100 | 675um | 2um (2000nm) Cu | — | 13 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# M8 | 8 ″ Sputtering Al | — | — | 700um SSP | 500nmAl | — | 138 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# M9 | — | — | — | — | — | — | 25 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# M10 | 12 스퍼터링 Cu | — | P100 | 700um DSP, 한쪽 스퍼터링 | 1umCu | — | 10 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# M11 | 12 스퍼터링 Cu | — | P100 | 700um DSP, 한쪽 스퍼터링 | 0.5umCu = 500nmCu | — | 2 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# M12 | 6 ″ 스퍼터링 Cu | — | N100 | 625 ± 25 | 125nmCu | 0.01-0.02 | 17 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# M13 | 2 ″ Sputtering Au | — | P100 | 400 ± 15 | 10nmCr + 100nmAu | <0.0015 | 75 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# M14 | 2 ″ Sputtering Au | — | N100 | 280 ± 15 | 10nmCr + 100nmAu | <0.05 | 47 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# M15 | 4 ″ Sputtering Pt | — | N100 | 450um | 500nmSiO2 + 30nmTi + 150nmPt | 0.02-0.025 | 6 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# M16 | 2 ″ Sputtering Au GaAs | — | N100 | 110um DSP | 100nmAu | — | 4 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# M17 | 4 ″ Sputtering Pt | — | P100 | 500 ± 20 | 500nmSiO2 + 30nmTi + 150nmPt | 1-10 | 3 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# M18 | 4 ″ Sputtering Pt | — | P100 | 500 ± 10 | 500nmSiO2 + 30nmTi + 150nmPt | <0.0015 | 15 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# M19 | 2 ″ Sputtering Pt | — | P100 | 430 ± 15 | 산화물층 없음+30nmTi+150nmPt | — | 4 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# C20 | 스퍼터링 Pt가있는 4 ″ 실리콘 웨이퍼 | — | — | — | 150nmPt | 40 | |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# C21 | Au 스퍼터링 4 ″ 실리콘 웨이퍼 | SSP | N100 | 450 ± 15 | 100nmAu | 0.015-0.018 | 10 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# C22 | 6 ″ 스퍼터링 Ni가있는 실리콘 웨이퍼 | SSP | — | 650 | 200nmNi | — | 9 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# C23 | 스퍼터링 Pt가있는 4 ″ 실리콘 웨이퍼 | SSP | P100 | 500 ± 20 | 150nmPt | 1-10 | 100 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# C24 | 스퍼터링 Pt가있는 4 ″ 실리콘 웨이퍼 | SSP | N100 | 500 ± 10 | 300nmPt | <0.05 | 100 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# C25 | 스퍼터링 Pt가있는 4 ″ 실리콘 웨이퍼 | — | P111 | — | 500nmSiO2 + 10nmTi + 300nmPt | — | 100 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# C26 | 스퍼터링 Pt가있는 4 ″ 실리콘 웨이퍼 | — | P100 | — | 500nmSiO2 + 40nmTi + 300nmPt | — | 100 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# C27 | 스퍼터링 Pt가있는 4 ″ 실리콘 웨이퍼 | — | P100 | — | 500nmSiO2 + 40nmTi + 300nmPt | — | 100 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# C28 | Au 스퍼터링 4 ″ 쿼츠 글래스 | — | — | — | 20nmTi + 50nmAu | — | 100 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# C29 | 6 ″ 스퍼터링 Ni가있는 실리콘 웨이퍼 | — | P100 | — | 200nmNi | — | 100 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# C30 | 6 ″ 스퍼터링 Cu가있는 실리콘 웨이퍼 | — | N100 | 625 ± 25 | 125nmCu | — | 100 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# C31 | Au 스퍼터링 4 ″ 실리콘 웨이퍼 | SSP | N100 | 475-575um | 20nmTi + 100nmAu | — | 100 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# C32 | Au 스퍼터링 4 ″ 실리콘 웨이퍼 | SSP | N100 | 435-465 | 20nmTi + 100nmAu | 0.012-0.018 | 100 |
PAM-XIAMEN- 웨이퍼-# C33 | 스퍼터링 Pt가있는 4 ″ 실리콘 웨이퍼 | SSP | P100 | 500 ± 50 | 150nm | <0.05 | 100 |
The gold, copper, silver, platinum and other metal coated silicon wafers can be used in the nanno fields, including Ohmic contact, conductive substrates, sol-gel substrates, growing nanomaterials, etc. In addition, the metallized silicon wafer can be applied to scanning electron microscope (SEM), atomic force microscope (AFM) and other scanning probe microscope ranging, as well as cell culture, protein DNA microarray and reflectometer.
자세한 내용은 이메일로 문의해 주세요.victorchan@powerwaywafer.com 과 powerwaymaterial@gmail.com.