InAs(인듐 비소) 웨이퍼는 최대 2인치의 직경과 오프 또는 정확한 배향, 고농도 또는 저농도 및 광전자 산업에 대한 표면 처리를 폭넓게 선택할 수 있는 PAM-XIAMEN에서 제공할 수 있습니다.InAs 웨이퍼 is an important III-V narrow band gap semiconductor. It has the characteristics of high electron mobility, low effective mass and strong spin-orbit coupling. Therefore, it’s ideal for preparing high-speed and low-power electronic devices, infrared optoelectronic devices and spintronic device, such as synchronization of IR and visible pulses in pump-probe setup. More sepcs of indium arsenide wafer please see the followings:
1. Indium Arsenide 기질의 사양
PAM200119-INAS
다음 사양의 2인치 인듐 비소 웨이퍼:
1) 두께(음): 500;
방향: (001);
유형: N;
도펀트: Stannum 또는 S;
캐리어 농도: (5-20) x 1017 센티미터-3;
표면 처리: 광택/광택;
에피 레디
2) 두께(음): 500;
방향: (001);
유형: N;
도펀트: 도핑되지 않은;
캐리어 농도: (1-6) x 1016 센티미터-3;
표면 처리: 광택/광택;
에피 레디
2. Indium Arsenide Wafer 성장의 결함
InAsSb/InAsPSb, InNAsSb, AlGaSb 및 기타 이종접합 초격자 구조 재료의 성장이 가능합니다.InAs 단결정적외선 발광 소자와 2~14nm 파장의 양자 캐스케이드 레이저를 생산하기 위한 기판으로 사용됩니다. 장치 성능의 지속적인 개선과 장치 크기의 감소로 인해 단결정 InAs 기판의 접합 품질 및 표면 품질에 대한 요구 사항이 점점 더 높아지고 있습니다. 이를 위해서는 벌크 인듐 비소 단결정 성장 및 웨이퍼 연마, 세정 및 결정의 결함 밀도를 감소 및 제어하고 연마 공정 중 표면 손상을 방지하며 잔류 불순물의 농도를 줄이기 위한 기타 공정 기술에 대한 연구가 필요합니다. 그러나 III-V 화합물 웨이퍼 재료는 성장 과정에서 열 응력과 화학비 편차의 영향을 받고 불순물 증착, 전위 클러스터, 작은 입계 및 기타 결함이 발생하기 쉽습니다. 인듐 모노 비소의 화학적 특성은 불안정하고 재료는 부드럽고 부서지기 쉽습니다. 따라서 가공 손상이 발생하기 쉽습니다. 이러한 결함의 원인을 연구하면 고순도 인듐 비소 웨이퍼 성장 기술을 개선하고 결함 농도를 줄이며 인듐 비소 박막의 품질과 표면을 개선하는 데 도움이 될 것입니다.
3. 고품질 InAs 웨이퍼 생산을 위한 솔루션
LEC 방법을 사용하여 인듐 비소(100) 단결정을 성장시키는 솔루션이 제안됩니다. 열장 조건을 조정하고 세로 온도 구배를 120K/cm 미만으로 유지하면 InAs 잉곳이 약간 해리되고 표면에 부착된 B203이 소량만 남아 결정 열 응력을 완전히 감소시킵니다. 또한, 결정에 영향을 미치는 열 충격을 유발하는 성장 과정 동안 큰 온도 변동을 피하면서 숄더 배치 및 폐쇄 각도, 냉각 속도를 제어하고 표준화해야 합니다. 이러한 성장 조건하에서 결정질 품질이 좋은 InAs 단결정이 얻어진다. InAs 단결정의 격자 무결성은 상당히 좋습니다. As-rich 조건에서 성장한 InAs 단결정의 결정 품질은 분명히 열악하며 이러한 단결정 인듐 비소 웨이퍼는 처리 중에 쉽게 파손됩니다. 따라서 풍부한 인듐 조건을 유지하는 것은 우수한 성능, 낮은 전위 밀도, 클러스터 및 선형 전위가 없는 고품질 InAs 단결정을 얻는 데 도움이 됩니다.
자세한 내용은 다음 주소로 이메일을 보내주십시오. victorchan@powerwaywafer.com 과 powerwaymaterial@gmail.com.