PAM-XIAMEN은 고성능 InGaAs APD 웨이퍼를 제공합니다. InGaAs 애벌랜치 포토 다이오드 (InGaAs APD)는 저잡음, 더 높은 대역폭 및 1700nm까지 확장 된 스펙트럼 응답으로 높은 평가를 받고 있습니다. 최적화 후 1550nm 파장에 사용할 수 있으며 눈에 안전한 레이저 거리 측정 시스템에 사용하기에 매우 적합합니다. InGaAs APD 웨이퍼의 사양 및 매개 변수는 다음과 같습니다.
PAM-210331-INGAAS-APD
항목 1 :
| 층 | 자료 | 두께 (μm) | 일탈 | 농도 (cm-3) | 일탈 | 테스트 | 노트 |
| 9 | U-1.05μm InGaAsP | – | ± 10 % | – | ± 20 % | ||
| 8 | N-InP | 2.5 | – | 5E + 15 | ± 20 % | 이력서 | 테스트 웨이퍼 |
| 7 | N-InP | – | ±0.01 | – | – | 이력서 | 테스트 웨이퍼 |
| 6 | N-1.05μm InGaAsP | 0.03 | – | – | – | – | – |
| 5 | N-1.25μm InGaAsP | – | ± 10 % | – | – | – | – |
| 4 | N-1.45μm InGaAsP | – | ± 10 % | 2E + 16 | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | – | ±0.01 | – | ± 10 % | – | – |
| 2 | U-InGaAs | 2.5 | – | <1E + 15 | DCXD 및 C-V | 에피 웨이퍼 및 테스트 웨이퍼 | |
| 1 | N-InP | – | ± 10 % | – | ± 20 % | 이력서 | 테스트 웨이퍼 |
| 0 | N-InP 기판 | 350 ± 25 | – | S 도핑 된> 3E + 18 | – | – | 2 ″ 웨이퍼 |
| # | 격자 불일치 | <± 100ppm | – | – | – | DCXD | 에피 웨이퍼 중심에서 테스트 |
항목 2 :
| 층 | 자료 | 두께 (μm) | 일탈 | 농도 (cm-3) | 일탈 | 테스트 | 노트 |
| 9 | U-1.05μm InGaAsP | 0.1 | ± 10 % | – | ± 20 % | – | – |
| 8 | N-InP | – | ±0.12 | – | ± 20 % | 이력서 | 테스트 웨이퍼 |
| 7 | N-InP | 0.2 | – | – | – | 이력서 | 테스트 웨이퍼 |
| 6 | N-1.05μm InGaAsP | – | – | 2E + 16 | – | – | – |
| 5 | N-1.25μm InGaAsP | – | ± 10 % | – | – | – | – |
| 4 | N-1.45μm InGaAsP | 0.03 | ± 10 % | – | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | 0.1 | – | 1E + 16 | ± 10 % | – | – |
| 2 | U-InGaAs | – | ± 10 % | – | – | DCXD 및 C-V | 에피 웨이퍼 및 테스트 웨이퍼 |
| 1 | N-InP | 0.5 | – | – | ± 20 % | 이력서 | 테스트 웨이퍼 |
| 0 | N-InP 기판 | 350 ± 25 | – | S 도핑 된> 3E + 18 | – | – | 2 ″ 웨이퍼 |
| # | 격자 불일치 | <± 100ppm | – | – | – | DCXD | 에피 웨이퍼 중심에서 테스트 |
항목 3 :
| 층 | 자료 | 두께 (μm) | 일탈 | 농도 (cm-3) | 일탈 | 테스트 | 노트 |
| 9 | U-1.05μm InGaAsP | 0.1 | – | 5E + 15 | ± 20 % | – | – |
| 8 | N-InP | – | – | – | ± 20 % | 이력서 | 테스트 웨이퍼 |
| 7 | N-InP | 0.2 | ±0.01 | – | – | 이력서 | 테스트 웨이퍼 |
| 6 | N-1.05μm InGaAsP | – | ± 10 % | – | – | – | – |
| 5 | N-1.25μm InGaAsP | 0.03 | – | – | – | – | – |
| 4 | N-1.45μm InGaAsP | – | – | 2E + 16 | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | – | ±0.01 | – | ± 10 % | – | – |
| 2 | U-InGaAs | 2.5 | – | <1E + 15 | DCXD 및 C-V | 에피 웨이퍼 및 테스트 웨이퍼 | |
| 1 | N-InP | – | ± 10 % | – | ± 20 % | 이력서 | 테스트 웨이퍼 |
| 0 | N-InP 기판 | 350 ± 25 | – | S 도핑 된> 3E + 18 | – | – | 2 ″ 웨이퍼 |
| # | 격자 불일치 | <± 100ppm | – | – | – | DCXD | 에피 웨이퍼 중심에서 테스트 |
Item 4:
PAM221226-1550-APD
| 층 | 자료 | Thickness(um) | Doping(cm3) |
| 7 | InP를 | – | undoped(N<1E15) |
| 6 | InP를 | 0.2 | – |
| 5 | GaInAsP | – | – |
| 4 | GaInAsP | – | – |
| 3 | GaInAsP | – | – |
| 2 | Ga0.467In0.5333As | 2 | – |
| 1 | InP를 | – | Si doped, n type, 1.3E17 |
| N+ InP Substrate |
자세한 내용은 다음 주소로 이메일을 보내주십시오. victorchan@powerwaywafer.com 과 powerwaymaterial@gmail.com.