InSb 검출기
인듐 안티 모니드 (INSB) 검출기는 중간파 적외선 (MWIR) 밴드에 민감하다. 3-5UM 대역의 중간외 탐지 측면에서, 성숙한 재료 기술, 높은 감도 및 우수한 안정성의 장점으로 인해 INSB 탐지기는 다른 재료를 기반으로 한 탐지기와 차별화됩니다. 저온에서InSb 재료적외선에 대한 높은 흡수 계수가 있습니다 (~ 1014센티미터-1), 80%이상 또는 동일한 양자 효율 및 높은 캐리어 이동성 (UN ~ 105센티미터2∙V-1∙s-1). INSB IR 검출기는 매우 두드러진 기술적 이점을 가지고 있으며, 그 응용 분야는 정밀 지침, 휴대용 이미징, 차량, 선박, 공기통, 항공 우주 등을 포함합니다. Pam-Xiamen이 제공하는 INSB 탐지기 어레이는 128 x 128 픽셀이며 탐지기 스펙트럼 응답 범위는 3.7 UM ~ 4.8 um입니다. 사양은 아래 표를 참조하십시오.
1. MWIR INSB 검출기의 기술 매개 변수
| 상품명 | Main Specification | |
| MW128×128
(제이티) InSb 적외선 검출기 |
픽셀 수 | 128×128 |
| 픽셀 피치 | 15um×15um | |
| 픽셀 조작성 | 99% | |
| 응답성 불균일성 | ≤6% | |
| NETD | ≤15mK | |
| 시야 | 2 | |
| 쿨다운 시간 | ≤30초 | |
| 무게 | ≤250g | |
2. 적외선 INSB 검출기의 과정
적외선 감지 기술의 지속적인 개발로 INSB 재료를 기반으로 한 감광성 칩은 장치 칩에서 멀티 요소, 라인 어레이 및 영역 배열 칩에 이르기까지 진행되었습니다. 플립 칩 상호 연결 프로세스 후, 감광성 칩과 신호 처리 회로가 함께 결합되어 광학 시스템의 초점 평면에 배치되며, 이는 적외선 신호 감지의 핵심 구성 요소를 구성합니다. 광전 변환의 실현에서, 감광성 칩의 성능은 냉각 된 INSB 검출기의 검출 수준을 결정하는 주요 요인 중 하나입니다. 면적 배열 감광성 칩의 준비에서, PN 접합의 품질 및 감광성 픽셀 유닛의 효과적인 분리는 영역 어레이 칩의 준비의 핵심 키이다. PN 접합의 제조 과정은 확산 공정, 이온 이식 공정 및 에피 택시 공정으로 나뉩니다. 상이한 PN 접합 제조 기술의 경우, 상응하는 표면 어레이 구조 제조 기술도 다르다.
INSB 초점면 탐지기 기술 경로의 도식 다이어그램
중간 웨이브 밴드에서 적외선 INSB 검출기의 기술적 수준이 지속적으로 개선되었습니다. 면적 배열의 크기가 계속 증가하고 INSB 검출기 양자 효율이 계속 향상되고 고온 작동 및 듀얼 멀티 컬러 탐지기가 완전히 개발됩니다.
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