INSB MAGENETORESISTANCE (MR) 센서

Magnetoristance (MR) 센서의 핵심 민감한 요소 인 Indium Antimonide (INSB) 박막 자석성 요소는 비접촉 측정, 작은 크기, 높은 신뢰성, 높은 신호 비율 및 광범위한 주파수 응답 (0-100KHZ)의 특성을 가진 PAM-Xiamen에서 제공됩니다. Insb MagnetoresistanceInSb 필름. 자기장을 매체로 사용하여 다양한 비 전기량 (예 : 다양한 변위 및 속도)을 비 전기량을 측정 또는 제어하기 위해 저항 값의 변화로 변환 할 수 있습니다. 이 변환은 비접촉 상황에서 수행되기 때문에 Magnetoresistance 센서는 다양한 센서를 만들기 위해 높은 신뢰성, 작은 크기 및 경량의 특성을 갖습니다. 이러한 종류의 자기 민감한 장치는 산업 및 많은 과학 및 기술 분야에서 광범위한 사용을 가지고 있습니다. 기존의 자기 정상PAM-하문다음과 같습니다.

1. INSB MAGNETORESISTOR의 사양

자기 적 구조 :

표시:INSB 박막 Magnetoresistor의 생산은 고급 박막 생산 및 평면 포토칭 기술을 채택하며, 그 패턴, 크기 및 저항은 필요에 따라 유연하게 설계 될 수 있습니다.

자기 저항성 센서의 세 가지 주요 매개 변수가 있습니다.

• 자기 저항 비율 : 지정된 자기 유도 강도 하에서 제로 자기 유도 하에서 저항 값에 대한 자기 저항 저항 값의 비율을 나타냅니다.
• 자석성 계수 : 특정 자기 유도 강도 하에서 자기 센서의 저항 값의 저항 값의 비율을 나타냅니다.
• 자성상 감도 : 지정된 자기 플럭스 밀도 하에서 자기 플럭스 밀도를 갖는 자기 저항성 필드 센서의 저항 값의 상대적 변화 속도를 나타냅니다.

2. 자석성 센서 작업 원리

The 자성상 센서INSB 박막에 제작 된 종종 고속 측정, 앵글 제어, 위치 제어, 신호 추적 등을위한 이상적인 솔루션입니다. 저항 R은 특히 수직으로 통과하는 자기 플럭스 밀도 B의 변화에 ​​따라 변동합니다. B> 0.1T 일 때, R∝B; 아래 그림과 같이 b = 0.3t> 2.0 일 때.

이 기능을 사용하면 자기장을 매체로 사용하여 비 전기성 (예 : 변위, 위치, 속도, 각도 변위, 압력, 가속도 등)을 접촉없이 전기 에너지로 변환하여 비 전기성을 측정하고 제어하는 ​​것이 편리합니다.

3. INSB 박막에서의 마그네토-레스터 효과

INSB 재료는 전형적인 화합물 반도체 재료입니다. 실리콘, 게르마늄 및 갈륨 비 세나이드와 비교할 때, 그것은 상당한 자기 정제 효과를 갖는다. 따라서, 자석성 장관 센서는 INSB 재료를 사용하여 물리적 자기 저항 효과 및 기하학적 자성 저항 효과를 포함하여 반도체 재료의 자기 정전기 효과를 만듭니다. 물리적 자기 저항 효과를 자기 정상 효과라고도합니다. 직사각형 반도체 칩에서, 전류가 길이 방향을 따라 흐를 때, 자기장이 전류에 수직 인 두께 방향으로 적용되는 경우, 저항은 SMR 칩의 길이 방향을 증가시킨다. 이 현상을 물리적 자기성 효과 또는 자기성 효과라고합니다.

4. 자석성 센서 센서 애플리케이션

MR 센서로서, 자성 분위기를 핵심 요소로 사용하는 다양한 자기 저항 요소 센서의 작동 원리는 동일하지만 유형은 목적과 구조에 따라 다릅니다. 따라서, 일정한 자기장의 잔류 자기 및 교대 자기장 또는 전기 기계, 내비게이션 및 항공의 내비게이션 장비를 측정하기위한 기기를위한 자기 센서에 사용될 수 있습니다. 또한, 자성상 센서는 속도 센서, 각도 변위 센서 및 강자성 센서를위한 것일 수 있습니다. 자석성 장관과 전자 성분의 조합은 AC-DC 컨버터, 주파수 승수, 변조기 및 발진기를 형성 할 수 있습니다.

Magnetoresistance 센서에 대한 자세한 내용은 다음과 같습니다.https://www.powerwaywafer.com/magnetoresistive-sensor.html

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