탄화규소(SiC)는 탄소와 규소 원소로 이루어진 화합물 반도체 물질로 밴드갭이 2.2eV보다 커서 와이드 밴드갭 반도체 물질이라고 한다.PAM-XIAMEN은 N형 및 반절연 SiC 웨이퍼를 제공할 수 있습니다. SiC 웨이퍼의 자세한 사양은 방문하십시오.https://www.powerwaywafer.com/sic-wafer.

SiC 웨이퍼는 어떻게 만들어지나요? 당신은 링크를 따라갈 수 있습니다https://youtu.be/HeSXVKLj8kg제조 과정의 비디오를 볼 수 있습니다.

첫째, 고순도 실리콘 분말과 고순도 탄소 분말을 원료로 사용하여 PVT(Physical Vapor Transport)에 의해 SiC 단결정을 성장시킨다.

둘째, 다중 와이어 다이싱 장비를 사용하여 SiC 결정을 두께가 1mm 이하인 얇은 조각으로 자릅니다.

셋째, 웨이퍼는 다양한 입자 크기의 다이아몬드 슬러리를 통해 원하는 평탄도 및 거칠기로 연마됩니다.

넷째, SiC 웨이퍼는 기계 연마 및 화학 기계 연마를 거쳐 경면 SiC 연마 웨이퍼를 얻는다.

그런 다음 광학 현미경 및 기타 기기를 사용하여 마이크로파이프 밀도, 표면 거칠기, 저항률, 뒤틀림, TTV, 표면 스크래치 및 SiC 웨이퍼의 기타 매개변수를 감지합니다.

마지막으로 SiC 연마 웨이퍼를 세정제와 순수로 세정하여 연마액 등의 표면 오염물질을 제거한 후, 초고순도 질소 가스와 건조기로 웨이퍼를 불어 건조시킨다.

그 후, 화학 기상 증착 및 기타 방법을 사용하여 기판에 SiC 에피택시 웨이퍼를 생성하고 최종적으로 관련 장치를 만듭니다.

높은 밴드 갭, 높은 전기 전도성, 높은 열 전도성과 같은 우수한 물리적 특성으로 인해 SiC 웨이퍼는 5G 통신, 스마트 그리드, 신 에너지 차량, 고속 열차 및 기타 분야에서 널리 사용되며 거대한 시장 잠재력을 가지고 있습니다.

자세한 내용은 이메일로 문의하십시오.victorchan@powerwaywafer.com 과 powerwaymaterial@gmail.com.