실리콘 카바이드 웨이퍼는 어떻게 만들어지나요?

실리콘카바이드(SiC)는 탄소와 실리콘 원소로 구성된 화합물 반도체 소재로, 밴드갭이 2.2eV보다 크다고 하여 와이드 밴드갭 반도체 소재라고 불린다.PAM-XIAMEN은 N형 및 반절연 SiC 웨이퍼를 제공할 수 있습니다. SiC 웨이퍼의 더 많은 사양을 방문하세요.https://www.powerwaywafer.com/sic-wafer.

SiC 웨이퍼는 어떻게 만들어지나요? 링크를 따라가시면 됩니다https://youtu.be/HeSXVKLj8kg제조과정 영상을 보시려면

첫째, 고순도 실리콘 분말과 고순도 탄소 분말을 원료로 사용해 PVT(물리적 기상 수송) 방식으로 SiC 단결정을 성장시킨다.

둘째, 다중 와이어 다이싱 장비를 사용하여 SiC 결정을 두께 1mm 이하의 얇은 조각으로 절단합니다.

셋째, 웨이퍼는 다양한 입자 크기의 다이아몬드 슬러리를 통해 원하는 평탄도와 거칠기로 연마됩니다.

넷째, SiC 웨이퍼는 기계적 연마 및 화학 기계적 연마를 거쳐 경면 SiC 연마 웨이퍼를 얻습니다.

그런 다음 광학 현미경 및 기타 장비를 사용하여 SiC 웨이퍼의 마이크로파이프 밀도, 표면 거칠기, 저항률, 뒤틀림, TTV, 표면 스크래치 및 기타 매개변수를 감지합니다.

마지막으로 SiC 연마된 웨이퍼를 세정제와 순수로 세척하여 연마액 등 표면 오염물질을 제거한 후, 초고순도 질소가스 및 건조기로 웨이퍼를 블로우 건조합니다.

그 후 화학기상증착 등의 방법을 이용해 기판 위에 SiC 에피택셜 웨이퍼를 생성하고 최종적으로 관련 소자를 만든다.

높은 밴드 갭, 높은 전기 전도성, 높은 열 전도성 등 우수한 물리적 특성으로 인해 SiC 웨이퍼는 5G 통신, 스마트 그리드, 신에너지 차량, 고속열차 및 기타 분야에서 널리 사용되고 거대한 시장 잠재력을 가지고 있습니다.

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