PAM-XIAMEN은 대부분의 금속, 세라믹 등의 높은 계면 에너지로 인한 다이아몬드와 매트릭스 사이의 불량한 결합력과 다이아몬드의 조기 낙하를 해결하기 위해 금속 화 된 다이아몬드 방열판을 제공 할 수 있습니다. 금속 화 된 다이아몬드 방열판 화합물은 도금 금속을 말합니다. 다이아몬드 표면에 다이아몬드와 기판 사이의 계면 에너지를 줄입니다. 다음은 참조 용으로 금속 화 된 다이아몬드 방열판 데이터 시트입니다.
1. 금속 화 다이아몬드 방열판의 사양
| 제품 | 금속 화 다이아몬드 방열판 |
| 성장 방법 | MPVCD |
| 열팽창 계수 | 1.3 (10-6K-1) |
| 열전도율 TDTR 검출 방법 | 1500 ± 200W / mK |
| 크기 | 1 * 1 cm, 2 * 2 cm, 주문 크기 |
| 간격은 주문을 받아서 만들어 질 수 있습니다 | 다이아몬드 0 ~ 500μm |
| 두께 허용차 | ± 20μm |
| 성장 표면 거칠기 | 30nm 미만 Ra |
| FWHM (D111) | 0.446 |
2. 금속 화 다이아몬드 방열판을 구하는 방법은 무엇입니까?
Metal-semiconductor contacts are one of the core structures of all semiconductor electronic devices and optoelectronic devices, including semiconductor diamond devices. They can be divided into two categories: Schottky contacts and ohmic contacts. Ohmic contact requires the interface contact resistance to be as small as possible. The ohmic contact of semiconductor diamond is difficult to achieve, which is related to the difficulty of forming heavy doping on the diamond surface layer. Schottky contact requires high interface barrier, low leakage current, and high breakdown voltage.
2.1 Ohmic Contact of N-type Diamond
The ohmic contact of n-type diamond for heat sink uses 30 keV of Ga ions to bombard n-type diamond with a phosphorus doping concentration of 3×1018 cm3 to obtain a contact resistance of 4.8×106Ω/c㎡. So far, the lowest value of ohmic contact resistance of n-type semiconductor based on CVD diamond heat sink is 10-3Ω/c㎡, which is obtained by depositing a Pt/Ti metal layer on a heavily doped (phosphorus concentration of 1020cm³) diamond epitaxial layer and annealing.
2.2 Oxygen Terminal P-type Diamond
금속 / 다이아몬드 계면 장벽은 표면 특성과 밀접한 관련이 있습니다. PAM-XIAMEN이이 분야에 대한 대부분의 연구는 다이아몬드 (100)에 초점을 맞추고 있습니다. 깨끗한 표면과 수소로 끝나는 다이아몬드 표면의 쇼트 키 장벽 높이는 금속의 전기 음성도 또는 일 함수와 관련이 있습니다. Au는 현재 수소 종단 다이아몬드 표면 p 형 층에 가장 일반적으로 사용되는 옴 접촉 금속 재료입니다. 산소 종결 p- 다이아몬드 (100)의 페르미 수준은 가전 자대 위 약 1.7eV에 고정되어 있습니다. 금속 / 다이아몬드 계면 장벽은 금속 유형과 거의 관계가 없으며 실험 보고서 값은 1.5-2eV입니다.
산소로 끝나는 다이아몬드 (111) 표면의 장벽 높이는 기본적으로 접촉 금속과 무관하며 실험적으로보고 된 값은 약 1eV입니다. 산소 말단 p 형 다이아몬드의 옴 접촉은 일반적으로 Ti, Mo 등과 같은 고온에서 다이아몬드와 탄화물을 형성 할 수있는 금속을 선택합니다. 이들은 고온에서 다이아몬드와 함께 TiCx, MoCx 및 기타 탄화물을 형성 할 수 있습니다. 좁은 인터페이스 상태 또는 장벽 높이 감소. 다이아몬드 옴 접촉을 만드는 또 다른 방법은 고 에너지 이온 주입으로 접촉 영역 표면에 격자 손상을 유발합니다. 현재 Ti / p 다이아몬드의 접촉 저항 (붕소 농도 1018cm)3) 열처리로 얻은 값은 10-6Ω / c㎡ 미만입니다.
3. 금속 화 다이아몬드 방열판의 적용
금속 화 된 다결정 / 합성 다이아몬드 방열판은 전력 전자 장치 및 고체 마이크로파 전력 장치에 사용할 수있어 작업 전력과 작동 온도를 크게 향상시킵니다.
권장 사항 :
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