집적 회로 제조용 N 형 Sb 도핑 실리콘 웨이퍼

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집적 회로 제조용 N 형 Sb 도핑 실리콘 웨이퍼

선도적인 실리콘 웨이퍼 생산업체 중 하나인 PAM-XIAMEN은 4인치 N형 Sb 도핑 실리콘 웨이퍼를 제공할 수 있습니다. 중요한 것으로 에피택시 성장을 위한 기판, 많이 도핑된 안티몬 실리콘 웨이퍼는 집적 회로 제조에 널리 사용됩니다.

Sb 도핑된 실리콘 웨이퍼

1. Specification of 4 inch Sb Doped Si wafer (PAM210618-SI)

실리콘 웨이퍼
직경 100.0±0.5mm
두께 525±25μm
도전 형 N 형
도펀트 시:Sb
정위 [100]±0.5°
저항 0.01-0.02옴*cm
TTV <5μm
표면 마무리 양면 연마
플랫 차 SEMI 플랫(2개)
패키지 Empak 또는 이에 상응하는 카세트로 밀봉

 

2. 안티몬 도펀트를 포함하는 실리콘 웨이퍼에 대한 연구

Sb 도핑된 실리콘 단결정을 N/N 에피택셜 웨이퍼로 사용하면 좁은 전이 영역, 가파른 접합 구배 및 고온에서 안티몬의 작은 확산 계수와 같은 많은 장점이 있어 좋은 기판 재료가 됩니다.

2.1 실리콘 웨이퍼 저항의 개요

그러나, 실리콘 웨이퍼에서 안티몬의 작은 편석 계수, 고농도로 도핑된 안티몬의 높은 농도 및 안티몬의 큰 증발 상수로 인해 Sb 도핑된 실리콘 웨이퍼 저항률을 제어하기 어렵다. PAM-XIAMEN의 결정 인상 실험을 통해 결정 인상 과정이 저항률에 미치는 영향을 연구합니다. 적절한 공정 매개변수를 선택하여 실리콘 웨이퍼의 저항과 길이 방향 균일성을 정확하게 제어할 수 있습니다.

2.2 Sb 도핑된 실리콘 웨이퍼의 비저항 결정

뽑아낸 단결정 봉의 머리, 중간, 꼬리 부분에서 시료를 절단하고, 시료의 저항률은 ASTM F43-83 규격에 따라 상온에서 직선 4-탐침법으로 측정하였다.

많이 도핑된 안티몬 결정이 성장하는 동안 용융물에 있는 안티몬의 일부는 아르곤 분위기로 증발하고 일부는 Sb 도핑된 실리콘 웨이퍼 성장 공정으로 분리됩니다. 단결정에 들어가는 도너 불순물 안티몬은 심하게 퇴화되어 이온화된 도너가 캐리어가 되어 이동도와 함께 저항률을 결정합니다.

Resistivity experimental value and calculated value of Sb doped silicon wafer under different silicon wafer manufacturing process are:

No. T(h) P V(mm/h) g1 g2 Experimental Calculated
P1(*10-2 ohm-cm) P2(*10-2 ohm-cm) P3(*10-2 ohm-cm) P1(*10-2 ohm-cm) P2(*10-2 ohm-cm) P3(*10-2 ohm-cm)
1 8.0 19.0 48 0.38 0.78 1.83 1.60 1.19 1.81 1.59 1.19
2 3.0 19.0 48 0.40 0.80 1.68 1.42 1.07 1.65 1.45 1.07
3 7.0 19.0 47 0.42 0.70 1.74 1.45 1.14 1.78 1.51 1.16
4 3.0 16.8 53 0.45 0.78 1.67 1.42 1.08 1.67 1.41 1.10
5 6.0 17.0 51 0.49 0.80 1.77 1.49 1.14 1.76 1.51 1.14
6 4.6 16.5 49 0.34 0.82 1.75 1.45 1.12 1.72 1.46 1.09
7 8.0 16.0 48 0.46 0.76 1.87 1.63 1.16 1.85 1.68 1.27
8 2.5 16.0 48   0.78 1.66 1.41 1.12 1.66 1.41 1.10

From the table above, we can see that the shorter the crystallization time, the greater the furnace pressure, the greater the crystal pulling rate, and the smaller the single crystal resistivity.

Therefore, the crystallization time, furnace pressure and growth rate seriously affect the resistivity of Sb-doped silicon wafer. Choosing appropriate growth parameters can accurately control the resistivity and longitudinal uniformity of the heavily doped antimony single crystal.

자세한 내용은 이메일로 문의해 주세요.victorchan@powerwaywafer.com 과 powerwaymaterial@gmail.com.

2021-06-25

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