N 유형 SB 도핑 실리콘 웨이퍼 통합 회로 제조
주요 실리콘 웨이퍼 생산자 중 하나 인 Pam-Xiamen은 4 인치 N 유형 SB 도핑 실리콘 웨이퍼를 제공 할 수 있습니다. 중요합니다에피 택셜 성장을위한 기질, 도핑 된 안티몬 실리콘 웨이퍼는 통합 회로 제조에 널리 사용됩니다.
1. 4 인치 SB 도핑 된 SI 웨이퍼의 사양 (PAM210618-SI)
| 실리콘 웨이퍼 | |
| 직경 | 100.0±0.5mm |
| 두께 | 525±25μm |
| 전도도 유형 | N 형 |
| 도펀트 | 시:Sb |
| 정위 | [100]±0.5° |
| 비저항 | 0.01-0.02 Ohm*cm |
| TTV | <5μm |
| 표면 마무리 | 양측 풀이 폴란드 |
| 기본 플랫 | 반 아파트 (2) |
| 패키지 | Empak 또는 동등한 카세트로 밀봉되었습니다 |
2. 안티몬 도펀트를 사용한 실리콘 웨이퍼에 대한 연구
N/N 에피 탁스 웨이퍼로서 SB 도핑 실리콘 단결정의 사용은 좁은 전이 구역, 가파른 접합 구배 및 고온에서의 작은 확산 계수와 같은 많은 장점을 가지고있어서 좋은 기질 물질이된다.
2.1 실리콘 웨이퍼 저항성 개요
그러나, 실리콘 웨이퍼에서 안티몬의 작은 분리 계수로 인해, 높은 농도의 도핑 된 안티몬 및 대규모 증발 상수의 안티몬의 큰 증발은 SB 도핑 실리콘 웨이퍼 저항을 제어하기가 어렵다. Pam-Xiamen의 결정 당기 실험을 통해, 저항에 대한 결정 당기 과정의 영향이 연구된다. 적절한 공정 파라미터를 선택함으로써 실리콘 웨이퍼의 저항성 및 종 방향 균일 성을 정확하게 제어 할 수 있습니다.
2.2 SB 도핑 실리콘 웨이퍼의 저항성을 결정하십시오
샘플은 그려진 단결정로드의 헤드, 중간 및 꼬리에서 차단되며, 샘플의 저항은 ASTM F43-83 표준에 따라 실온에서 직선 4 프로브 방법에 의해 측정된다.
심하게 도핑 된 안티몬 결정의 성장 동안, 용융물의 안티몬의 일부는 아르곤 대기로 증발하고, IT의 일부는 SB 도핑 실리콘 웨이퍼 성장 공정으로 분리된다. 단결정으로 들어가는 기증자 불순물 안티 모니는 심각하게 퇴화되고, 이온화 된 공여자는 캐리어가되어 이동성과 함께 저항성을 결정한다.
다른 실리콘 웨이퍼 제조 공정에서 SB 도핑 실리콘 웨이퍼의 저항 실험 값 및 계산 된 값은 다음과 같습니다.
| 아니. | 티(시간) | 피 | V(mm/h) | G1 | G2 | 실험 | 계획된 | ||||
| P1 (*10-2 OHM-CM) | P2 (*10-2 OHM-CM) | P3 (*10-2 OHM-CM) | P1 (*10-2 OHM-CM) | P2 (*10-2 OHM-CM) | P3 (*10-2 OHM-CM) | ||||||
| 1 | 8.0 | 19.0 | 48 | 0.38 | 0.78 | 1.83 | 1.60 | 1.19 | 1.81 | 1.59 | 1.19 |
| 2 | 3.0 | 19.0 | 48 | 0.40 | 0.80 | 1.68 | 1.42 | 1.07 | 1.65 | 1.45 | 1.07 |
| 3 | 7.0 | 19.0 | 47 | 0.42 | 0.70 | 1.74 | 1.45 | 1.14 | 1.78 | 1.51 | 1.16 |
| 4 | 3.0 | 16.8 | 53 | 0.45 | 0.78 | 1.67 | 1.42 | 1.08 | 1.67 | 1.41 | 1.10 |
| 5 | 6.0 | 17.0 | 51 | 0.49 | 0.80 | 1.77 | 1.49 | 1.14 | 1.76 | 1.51 | 1.14 |
| 6 | 4.6 | 16.5 | 49 | 0.34 | 0.82 | 1.75 | 1.45 | 1.12 | 1.72 | 1.46 | 1.09 |
| 7 | 8.0 | 16.0 | 48 | 0.46 | 0.76 | 1.87 | 1.63 | 1.16 | 1.85 | 1.68 | 1.27 |
| 8 | 2.5 | 16.0 | 48 | 0.78 | 1.66 | 1.41 | 1.12 | 1.66 | 1.41 | 1.10 | |
위의 표에서, 우리는 결정화 시간이 짧을수록 퍼니스 압력이 클수록 결정 당기 속도가 커지고 단결정 저항력이 작다는 것을 알 수 있습니다.
따라서, 결정화 시간, 용광로 압력 및 성장 속도는 SB- 도핑 실리콘 웨이퍼의 저항성에 심각한 영향을 미칩니다. 적절한 성장 파라미터를 선택하면 심하게 도핑 된 안티몬 단결정의 저항 및 종 방향 균일 성을 정확하게 제어 할 수 있습니다.
자세한 내용은 이메일로 문의하십시오[email protected] 과 [email protected].