다른 웨이퍼

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ZnO 웨이퍼
양 자료 정위. 크기 두께 폴란드어 저항 유형 Dopant 평면 수상 EPD 라
PCS (mm) (μm의) Ω · cm 정위 / cm2 나노
1-100 ZnO (0001) 10 × 10 1000 SSP N / A 취소 없음 N / A <0.5
1-100 ZnO (0001) 10 × 10 1000 DSP N / A 취소 없음 N / A <0.5
1-100 ZnO (0001) 10 × 10 500 SSP N / A 취소 없음 N / A <0.5
1-100 ZnO (0001) 10 × 10 500 DSP N / A 취소 없음 N / A <0.5
1-100 ZnO (10-10) 10 × 10 500 DSP N / A 취소 없음 N / A <0.5
1-100 ZnO (0001) 10 × 10 500 SSP N / A 취소 없음 N / A <0.5
1-100 ZnO (0001) 10X15 300 SSP N / A 취소 없음 N / A <0.5
1-100 ZnO N / A 14X14 1000 SSP N / A 취소 없음 N / A <0.5
1-100 ZnO (0001) 15X15 300 SSP N / A 취소 없음 N / A <0.5
1-100 ZnO (0001) 25.4 × 25.4 1000 DSP N / A 취소 없음 N / A <0.5
1-100 ZnO (0001) 25.4 × 25.4 3000 DSP N / A 취소 없음 N / A <0.5
1-100 ZnO (0001) 25.4 × 25.4 3000 컷으로 N / A 취소 없음 N / A <0.5
1-100 ZnO (0001) 25.4 × 25.4 3000 DSP N / A 취소 없음 N / A <0.5
1-100 ZnO (0001) 25.4 × 25.4 2000 DSP N / A 취소 없음 N / A <0.5
1-100 ZnO (0001) 5 × 5 500 SSP N / A 취소 없음 N / A <0.5
1-100 ZnO (0001) 5X5 500 DSP N / A 취소 없음 N / A <0.5
1-100 ZnO (0001) 5X5 500 SSP N / A 취소 없음 N / A <0.5
1-100 ZnO (11-20) 5X5 500 SSP N / A 취소 없음 N / A <0.5
As a ZnO semiconductor wafer supplier, we offer ZnO semiconductor wafer list for your reference, if you need price detail, please contact our sales team

참고 :

*** 제조업체로서 연구원 또는 파운드리를 위해 소량을 허용합니다.

*** 배달 시간 : 재고에 따라 달라집니다. 재고가있는 경우 곧 배송 할 수 있습니다.
MgO 웨이퍼
양 자료 정위. 크기 두께 폴란드어 저항 유형 Dopant 평면 수상 EPD 라
PCS (mm) (μm의) Ω · cm 정위 / cm2 나노
1-100 MgO (100) 50.8 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 MgO (111) 10 × 10 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 MgO (111) 10 × 10 1000 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 MgO (100) 10 × 10 1000 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 MgO (100) 10 × 10 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 MgO (100) 10 × 10 500 DSP N / A N / A N / A N / A <0.5
MgO 반도체 웨이퍼 공급 업체로서 MgO 반도체 웨이퍼 목록을 참조 용으로 제공합니다. 가격 세부 사항이 필요하면 영업 팀에 문의하십시오. 참고 : *** 제조업체로서 연구원 또는 파운드리를 위해 소량을 허용합니다. *** 배달 시간 : 재고에 따라 달라집니다. 재고가있는 경우 곧 배송 할 수 있습니다.
YSZ 웨이퍼
양 자료 정위. 크기 두께 폴란드어 저항 유형 Dopant 평면 수상 EPD 라
PCS (mm) (μm의) Ω · cm 정위 / cm2 나노
1-100 YSZ (100) 25.4 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 YSZ (100) 25.4 500 DSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 YSZ (100) 25.4 400 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 YSZ (100) 25.4 300 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 YSZ (100) 25.4 200 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 YSZ (100) 25.4 500 DSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 YSZ (100) 25.4 400 DSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 YSZ (100) 25.4 300 DSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 YSZ (100) 25.4 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 YSZ (100) 25.4 500 DSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 YSZ (100) 25.4 400 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 YSZ (100) 25.4 400 DSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 YSZ (100) 25.4 300 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 YSZ (100) 25.4 300 DSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 YSZ (100) 25.4 200 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 YSZ (100) 50.8 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 YSZ (100) 10 × 10 500 DSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 YSZ (111) 10 × 10 500 DSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 YSZ (100) 10 × 10 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 YSZ (100) 20 × 20 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 YSZ (100) 30 × 30 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
YSZ 웨이퍼 공급 업체로서 가격 세부 정보가 필요한 경우 참조 용 YSZ 웨이퍼 목록을 제공합니다. 참고 : *** 제조업체로서 연구원 또는 파운드리를 위해 소량을 허용합니다. *** 배달 시간 : 재고에 따라 달라집니다. 재고가있는 경우 곧 배송 할 수 있습니다.
STO 웨이퍼
양 자료 정위. 크기 두께 폴란드어 저항 유형 Dopant 평면 수상 EPD 라
PCS (mm) (μm의) Ω · cm 정위 / cm2 나노
1-100 STO (100) 10X10 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 STO (110) 10X10 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 STO (111) 10X10 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
STO 웨이퍼 공급 업체로서 가격 세부 정보가 필요한 경우 참조를 위해 STO 웨이퍼 목록을 제공합니다. 참고 : *** 제조업체로서 연구원 또는 파운드리를 위해 소량을 허용합니다. *** 배달 시간 : 재고에 따라 달라집니다. 재고가있는 경우 곧 배송 할 수 있습니다.
LSAT 웨이퍼
양 자료 정위. 크기 두께 폴란드어 저항 유형 Dopant 평면 수상 EPD 라
PCS (mm) (μm의) Ω · cm 정위 / cm2 나노
1-100 LSAT (100) 50.8 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 LSAT (100) 10X10 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 LSAT (110) 10X10 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 LSAT (111) 10X10 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 LSAT (100) 10X10 2000 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
LSAT 웨이퍼 공급 업체로서 가격 세부 정보가 필요한 경우 참조 용 LSAT 웨이퍼 목록을 제공합니다. 참고 : *** 제조업체로서 연구원 또는 파운드리를 위해 소량을 허용합니다. *** 배달 시간 : 재고에 따라 달라집니다. 재고가있는 경우 곧 배송 할 수 있습니다.
TiO2 웨이퍼
양 자료 정위. 크기 두께 폴란드어 저항 유형 Dopant 평면 수상 EPD 라
PCS (mm) (μm의) Ω · cm 정위 / cm2 나노
1-100 TiO2를 (110) 5 × 5 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 TiO2를 (011) 5 × 5 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 TiO2를 (001) 10X10 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 TiO2를 (110) 10X10 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 TiO2를 (011) 10X10 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
TiO2 웨이퍼 공급 업체로서 가격 세부 정보가 필요한 경우 참조 용 TiO2 웨이퍼 목록을 제공합니다. 참고 : *** 제조업체로서 연구원 또는 파운드리를 위해 소량을 허용합니다. *** 배달 시간 : 재고에 따라 달라집니다. 재고가있는 경우 곧 배송 할 수 있습니다.
LAO 웨이퍼
양 자료 정위. 크기 두께 폴란드어 저항 유형 Dopant 평면 수상 EPD 라
PCS (mm) (μm의) Ω · cm 정위 / cm2 나노
1-100 LAO (100) 50.8 500 ± 50 DSP N / A N / A N / A N / A <0.5
LAO 웨이퍼 공급 업체로서, 우리는 참조 용 LAO 웨이퍼 목록을 제공합니다. 가격 세부 사항이 필요한 경우 영업 팀에 문의하십시오. 참고 : *** 제조업체로서 연구원 또는 파운드리를 위해 소량을 허용합니다. *** 배달 시간 : 재고에 따라 달라집니다. 재고가있는 경우 곧 배송 할 수 있습니다.
Al2O3 웨이퍼
양 자료 정위. 크기 두께 폴란드어 저항 유형 Dopant 평면 수상 EPD 라
PCS (mm) (μm의) Ω · cm 정위 / cm2 나노
1-100 Al2O3를 (0001) 10X10 500 DSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 Al2O3를 (0001) 10X10 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 Al2O3를 (0001) 20X20 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 Al2O3를 (0001) 30X30 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
Al2O3 웨이퍼 공급 업체로서 Al2O3 웨이퍼 목록을 참조 용으로 제공합니다. 가격 세부 사항이 필요한 경우 영업 팀에 문의하십시오. 참고 : *** 제조업체로서 연구원 또는 파운드리를 위해 소량을 허용합니다. *** 배달 시간 : 재고에 따라 달라집니다. 재고가있는 경우 곧 배송 할 수 있습니다.
SrTiO3 웨이퍼
양 자료 정위. 크기 두께 폴란드어 저항 유형 Dopant 평면 수상 EPD 라
PCS (mm) (μm의) Ω · cm 정위 / cm2 나노
1-100 SrTiO3 (100) 10X10 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 SrTiO3 (110) 10X10 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 SrTiO3 (111) 10X10 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 SrTiO3 (100) 10X10 500 DSP N / A 도핑 N / A N / A <0.5
1-100 SrTiO3 (100) 10X10 500 DSP N / A 브라 반트 N / A N / A <0.5
SrTiO3 웨이퍼 공급 업체로서 가격 세부 정보가 필요한 경우 참조 용 SrTiO3 웨이퍼 목록을 제공합니다. 참고 : *** 제조업체로서 연구원 또는 파운드리를 위해 소량을 허용합니다. *** 배달 시간 : 재고에 따라 달라집니다. 재고가있는 경우 곧 배송 할 수 있습니다.
LaAalO3 웨이퍼
양 자료 정위. 크기 두께 폴란드어 저항 유형 Dopant 평면 수상 EPD 라
PCS (mm) (μm의) Ω · cm 정위 / cm2 나노
1-100 LaAlO3 (100) 10X10 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 LaAlO3 (110) 10X10 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
1-100 LaAlO3 (111) 10X10 500 SSP N / A N / A N / A N / A <0.5
LaAlO3 웨이퍼 공급 업체로서 LaAlO3 웨이퍼 목록을 참조 용으로 제공합니다. 가격 세부 사항이 필요한 경우 영업 팀에 문의하십시오. 참고 : *** 제조업체로서 연구원 또는 파운드리를 위해 소량을 허용합니다. *** 배달 시간 : 재고에 따라 달라집니다. 재고가있는 경우 곧 배송 할 수 있습니다.

다이아몬드 웨이퍼.

2017-05-23

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게르마늄 웨이퍼 공급

Ge Wafer Substrate-Germanium No. Material Orientation. Diameter Thickness Polish Resistivity Type   Dopant Prime flat EPD Ra (mm) (μm) Ω·cm Orientation /cm2 1-100 Ge (100) 50.8 500±25 SSP 0.0138-0.02 P/Ga (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (100) 50.8 500 SSP ≥30 N/undoped N/A N/A <5A 1-100 Ge (100) 50.8 500 SSP 58.4-63.4 N/undoped N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 500 SSP 0.1-1 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 500 SSP 0.1-0.05 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 1000 DSP >30 N/A (110) N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 2000 SSP N/A N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 4000 SSP N/A N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (111)/(110) 50.8 200000 N/A 5-20 N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 400 SSP <0.4 N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100)/(111) 50.8 4000±10 DSP N/A N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 350 SSP 1-10 P/Ga (110) ≤5000 N/A PAMP20295 Ge (100) 50.8 500±25 SSP 2-10 P/Ga (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (100) 50.8 500±25 SSP 0.3-3 N/Sb (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (100) 50.8 500±25 SSP 0.3-3 P/Ga (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (111) 60 1000 As cut >30 N/A (110) <3000 N/A 1-100 Ge (100) 100 N/A SSP <0.019 P/Ga (110) <500 N/A 1-100 Ge (100) 100 1000±25 SSP ≥30 N/undoped N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) off 6°or off 9° 100 500 SSP 0.01-0.05 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 SSP 0.01-0.05 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 DSP 0.01-0.05 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 SSP <0.01 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 DSP <0.01 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 SSP ≥35 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 DSP ≥35 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 SSP 0.1-0.05 P/Ga N/A N/A <5A 1-100 Ge (100) 100 500 DSP 0.1-0.05 P/Ga N/A N/A <5A 1-100 Ge (100)6°off (111) 100 185±15 DSP 0.01-0.05 N/A (110) ≤5000 <5A 1-100 Ge (100)6°off (110) 100 525±25 SSP 0.01-0.04 N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 N/A N/A N/A N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 1000±15 SSP ≥30 N/A (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (100) 100 750±25 SSP ≥30 N/A (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (100) 100 500±25 SSP 10-30 N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 160 DSP 0.05-0.1 P/Ga N/A <500 N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 160 DSP 0.05-0.1 P/Ga N/A <4000 N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 160 DSP 0.05-0.1 N/Sb N/A <500 N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 160 DSP 0.05-0.1 N/Sb N/A <4000 N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 190 DSP 0.05-0.1 P/Ga N/A <500 N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 190 DSP 0.05-0.1 P/Ga N/A <4000 N/A 1-100 Ge (111) 100 500±25 SSP <0.4 N/Sb N/A N/A N/A 1-100 Ge (100)6°off-cut toward(111)A 100 175±25 SSP 0.003-0.009 P/Ga (0-1-1) (0-11) <100 N/A PAM210802 Ge (100) 100 175 DSP <0.02 P N/A N/A N/A 1-100 Ge (310)±0.1° 100 200±15 DSP >20 N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (111) 150 600-700 N/A >30 N/A (110) N/A N/A   Germanium wafer list here is for your reference, if you need price detail, please contact our sales team. As a Ge wafer supplier, we also offer bulk Ge wafer with sepecial [...]

2018-05-23메타 작성자
실리콘 웨이퍼

Silicon Wafer Si wafer Substrate -Silicon Quantity Material Orientation. Diameter Thickness Polish Resistivity Type Dopant Nc Mobility EPD PCS (mm) (μm) Ω·cm 　 a/cm3 cm2/Vs /cm2 1-100 Si N/A 25.4 280 SSP 1-100 P/b N/A N/A N/A 1-100 Si N/A 25.4 280 SSP 1-100 P/b (1-200)E16 N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 525 N/A <0.005 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 525±25 SSP <0.005 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si with Oxide layer (100) 25.4 525±25 SSP <0.005 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 350-500 SSP 1~10 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 400±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.4 400±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 90 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 90 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 285 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 285 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 Si with electrodes (100) 50.8 400 N/A <0.05 N/p 1E14-1E15 N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 275 SSP 1~10 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 275±25 SSP 1~10 N/p N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 50.8 350±15 SSP >10000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 430±15 SSP 5000-8000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 50.8 410±15 SSP 1~20 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 50.8 400-500 SSP >5000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 525±25 SSP 1~50 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 500±25 SSP 1~10 N  P N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 500±25 P/P >700 P/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 76.2 400±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 90 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 90 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 285 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 285 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 625 SSP >10000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 525 SSP N/A N/P N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 320 SSP >2500ohm·cm P/b N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 N/A SSP 10~30 N/p N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 505±25 SSP 0.005-0.20 N/P-doped N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 381 SSP 0.005-0.20 N/P-doped N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 525 DSP 1-100 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 525 DSP 1-100 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 625±25 SSP 0.001-0.004 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si [...]

2012-03-06메타 작성자
Wafers and Crystal Substrates

SAPPHIRE WAFERS 2 INCH ALUMINUM NITRIDE ALN TEMPLATE ON SAPPHIRE BARIUM FLUORIDE BAF2 CRYSTAL BATIO3 BTO BARIUM TITANATE CRYSTAL SUBSTRATES BGO BISMUTH GERMANATE BI4GE3O12 SCINTILLATION CRYSTAL CRYSTALS GRAPHENE CVD FILMS AND GRAPHENE OXIDE EU DOPED CALCIUM FLUORIDE EU: CAF2 CRYSTAL NON-LINEAR CRYSTAL CA4YO(BO3)3 YCOB CERIUM FLUORIDE CEF3 CRYSTAL CSI CESIUM IODIDE SCINTILLATION CRYSTAL [...]

2019-03-12메타 작성자
유리 웨이퍼

We are one of the world’s leading glass wafer suppliers, provide thin & ultra-thin glass wafers and substrates which are made of different materials, such as Borofloat, Fused Silica & Quartz, BK7, Soda Lime etc for MEMS, fiber optic AWG, LCD panels and OLED [...]

2018-07-11메타 작성자
Graphene Wafer

The wafer of graphene for sale from PAM-XIAMEN are Monolayer Graphene on PET film, Monolayer Graphene on SiO2/Silicon, Bilayer Graphene on SiO2/Silicon, Monolayer Graphene on Copper, and graphene wafer growth on nickel for researches and industry. Graphene is a new semiconductor material with a single-layer two-dimensional honeycomb lattice structure piled up by carbon [...]

2012-03-06메타 작성자 ,
CZT Semiconductor Wafer

CZT Semiconductor Wafer CdZnTe Wafer Substrate-Cadmium Zinc Telluride Quantity Material Orientation. Size Thickness Polish Resistivity Type                Dopant FWHM PCS (mm) (μm) Ω·cm 　 　 1-100 CdZnTe N/A 10×10 1000 DSP >1E10 N @59.5keV<7% 1-100 CdZnTe N/A 10×10 2000 DSP >1E10 N @59.5keV<7% 1-100 CdZnTe (111) 10×10 500 SSP N/A P N/A 1-100 CdZnTe (211)B 10X10 800 DSP N/A N/A N/A 1-100 CdZnTe N/A 10X10 500 lapping N/A N/A N/A 1-100 CdZnTe N/A 10X10 500 DSP N/A N/A N/A 1-100 CdZnTe N/A 20X20 800 DSP N/A N/A N/A 1-100 CdZnTe N/A 20×20 5000 DSP N/A N/A N/A 1-100 CdZnTe N/A 20×20 2000 DSP N/A N/A N/A 1-100 CdZnTe N/A 20×20 3000 DSP N/A N/A N/A 1-100 CdZnTe N/A 3X3 2000 DSP N/A N/A N/A As a CZT semiconductor wafer supplier,we offer CZT semiconductor wafer list for your reference, if you need price detail, please contact our sales team Note: *** As manufacturer, we also accept small quantity for researcher or foundry. ***Delivery time: it depends on stock we have, if we have stock, we can ship to you soon.

2017-06-02메타 작성자