InP의 웨이퍼
PAM-XIAMEN은 낮은 도핑, N 유형 또는 반절연을 포함한 프라임 또는 테스트 등급의 VGF InP(인화인듐) 웨이퍼를 제공합니다. InP 웨이퍼의 이동도는 유형에 따라 다릅니다. 저도핑 웨이퍼>=3000cm2/Vs, N 유형>1000 또는 2000cm2V.s(도핑 농도에 따라 다름), P 유형: 60+/-10 또는 80+/-10cm2 /Vs(다른 Zn 도핑 농도에 따라 다름) 및 반모욕적인 경우>2000cm2/Vs인 경우, 인화인듐의 EPD는 일반적으로 500/cm2 미만입니다.
