제품

의 GaN HEMT 에피 택셜 웨이퍼

질화 갈륨 웨이퍼

PAM-XIAMEN는 UHB-LED, 질화 갈륨 웨이퍼, LD 등의 반도체 소자를위한 질화 갈륨 웨이퍼 기판을 제공한다.

SiC 웨이퍼 기판 (실리콘 카바이드)

의 SiC 웨이퍼

실리콘 Carbideï¼SiC) 웨이퍼 PAM-XIAMENÂ 광전자 장치, 높은 전원 장치, 높은 온도 장치, 고주파 전원 장치에 사용되는 실리콘 카바이드 crytal 웨이퍼 및 에피 택시를 제공합니다

갈륨 비소 웨이퍼

갈륨 비소 웨이퍼

PAM-하문는 LED, LD 및 마이크로 전자 애플리케이션을위한 갈륨 비소 웨이퍼 기판 및 에피 택시를 제공합니다

GaSb 및 웨이퍼

화합물 반도체

InSb를, InP를, InAs로, GaSb 및 갭 : PAM-하문은 인듐 반도체 웨이퍼 제공

창 (게르마늄) 싱글 수정 및 웨이퍼

게르마늄 웨이퍼

PWAMÂ에는 VGF / LEC에 의해 성장 된 반도체 재료 (창) 게르마늄 단결정 웨이퍼를 제공한다

제품

CdZnTe 웨이퍼

카드뮴 아연 텔루 라이드 (또는 CdZnTe CZT) 새로운 반도체 인

웨이퍼 제품

실리콘 웨이퍼

PAM-XIAMEN, a silicon wafer manufacturing company, offers silicon wafer: FZ Silicon wafer, Test Wafer Monitor Wafer Dummy Wafer, Test Wafer,CZ wafer, epitaxial wafer, polished wafer, etching wafer.

The silicon wafer manufacturing process is crystal pulling, silicon wafer dicing, silicon wafer grinding, chamfering, etching, polishing, cleaning and inspection, among which crystal pulling, silicon wafer polishing and inspection are the core links of silicon wafer manufacturing. As the basic semiconductor substrate, silicon wafers must have high standards of purity, surface flatness, cleanliness, and impurity contamination to maintain the original designed functions of the chip. The high-specification requirements of semiconductor silicon wafers make its manufacturing process complicated. The four core steps include polysilicon purification and polysilicon ingot casting, single crystal silicon wafer growth, and silicon wafer cutting and shaping. As a raw material for wafer fab, the quality of silicon wafers directly determines the stability of the silicon wafer application process. Large-size silicon wafers have become the future development trend of silicon wafers. In order to improve production efficiency and reduce costs, more and more large-size silicon wafers are used.

웨이퍼 제품

웨이퍼 제조

PAM-하문은 포토 레지스트와 포토 마스크와 포토 레지스트 판을 제공하고, 나노 리소그래피 (포토 리소그래피) 제공, 포토 레지스트 적용, 부드러운 빵을, 정렬은, 노광, 현상, 하드 베이크는, 검사 개발 에칭, 포토 레지스트 제거 (스트립), 최종 검사를 표면 준비.

  • 12 "국무 학년 실리콘 웨이퍼

    PAM-XIAMEN offer 300mm bare silicon wafers (12 inch) in prime grade, n type or p type, and the 300mm silicon wafer thickness is 775±15. Compared to other silicon wafer suppliers, Powerway Wafer’s silicon wafer price is more competitive with higher quality. 300mm silicon wafers have a higher yield per wafer than pervious large diameter silicon wafers.

  • 12 "실리콘 웨이퍼 300mm TOX (열 산화 실리콘 웨이퍼)

    PAM-XIAMEN offers 300mm silicon oxide wafer and dioxide wafer. Thermal oxide silicon wafer or silicon dioxide wafer is a bare silicon wafer with oxide layer grown by dry or wet oxidation process. The thermal oxide layer of the silicon wafer is usually grown in a horizontal tube furnace, and the silicon wafer oxide temperature range is generally 900 ℃ ~ 1200 ℃. Compared with CVD oxide layer, silicon wafer oxide layer has higher uniformity, better compactness, higher dielectric strength and better quality.

  • 12 "테스트 학년 실리콘 웨이퍼

    PAM-XIAMEN offers 300mm bare silicon wafers (12 inch) dummy, test grade, n type or p type. Compared to other silicon wafer suppliers, Powerway Wafer offers professional service with competitive prices.

  • 레이저 다이오드에 대한 에피 웨이퍼

    GaAs based LD epitaxy wafer, which can generate stimulate emission, is widely used for fabricating laser diode since the superior GaAs epitaxial wafer properties make the device a low energy consumption, high efficiency, long lifetime and etc. In addition to gallium arsenide LD epi wafer, commonly used semiconductor materials are cadmium sulfide (CdS), indium phosphide (InP), and zinc sulfide (ZnS).

  • 플로트 존 단결정 실리콘

    PAM-XIAMEN은 Float Zone 방식으로 얻은 Float Zone 실리콘 웨이퍼를 제공할 수 있습니다. 단결정 실리콘 막대는 플로트 영역 성장을 통해 얻은 다음 단결정 실리콘 막대를 플로트 영역 실리콘 웨이퍼라고하는 실리콘 웨이퍼로 처리합니다. 존 용융된 실리콘 웨이퍼는 플로팅 존 실리콘 공정 동안 석영 도가니와 접촉하지 않기 때문에, 실리콘 재료는 부유 상태에 있다. 따라서 실리콘의 플로팅 존 용융 과정에서 오염이 적습니다. 탄소 함량과 산소 함량이 낮고 불순물이 적고 저항이 높습니다. 전원 장치 및 특정 고전압 전자 장치의 제조에 적합합니다.

  • 웨이퍼 파운드리 서비스

    PAM-XIAMEN provides wafer foundry services with advanced semiconductor process technology and benefit from our upstream experiences of substrate and wafer expaxy, 

    PAM-XIAMEN is to be the most advanced wafer technology and foundry services for fabless companies,IDMs and researchers.

     

  • 테스트 웨이퍼 모니터 웨이퍼 더미 웨이퍼

    PAM-XIAMEN은 더미 웨이퍼 제조사로서 실리콘 더미 웨이퍼/테스트 웨이퍼/모니터 웨이퍼를 제공하며, 이는 생산 공정 초기에 안전성을 향상시키기 위해 생산 장치에 사용되며 납기 확인 및 공정 형태 평가에 사용됩니다. 더미 실리콘 웨이퍼는 실험 및 테스트에 자주 사용되기 때문에 크기와 두께가 대부분의 경우 중요한 요소입니다. 100mm, 150mm, 200mm 또는 300mm 더미 웨이퍼를 사용할 수 있습니다.

  • CZ 단결정 실리콘

    PAM-XIAMEN, a monocrystalline bulk silicon producer, can offer <100>, <110> and <111> monocrystalline silicon wafers with N&P dopant in 76.2~200 mm, which are grown by CZ method. The Czochralski method is a crystal growth method, referred to as the CZ method. It is integrated in a straight-tube heat system, heated by graphite resistance, melts the polysilicon contained in a high-purity quartz crucible, and then inserts the seed crystal into the surface of the melt for welding. After that, the rotating seed crystal is lowered and melted. The body is infiltrated and touched, gradually raised, and finished or pulled through the steps of necking, necking, shouldering, equal diameter control, and finishing.

  • 에피 택셜 실리콘 웨이퍼

    Silicon Epitaxial Wafer(Epi Wafer) is a layer of epitaxial silicon single crystal deposited onto a single crystal silicon wafer(note: it is available to grow a layer of poly crystalline Silicon layer on top of a highly doped Singly crystalline silicon wafer, but it needs buffer layer (such as oxide or poly-Si) in between the bulk Si substrate and the top epitaxial silicon layer. It also can be used for thin film transistor.

  • 광택 웨이퍼

    PAM-XIAMEN can offer polished wafer, n type or p type with orientation at <100>, <110> or <111>. FZ polished wafers, mainly for the production of silicon rectifier (SR), silicon controlled rectifier (SCR), Giant Transistor (GTR), thyristor (GRO)

  • 에칭 웨이퍼

    The etching silicon wafers offered by PAM-XIAMEN are N type or P type etching wafers, which have low roughness, low reflectivity and high reflectivity. The etching wafer has the characteristics of low roughness, good glossiness and relatively low cost, and directly substitutes the polished wafer or epitaxial wafer which has relatively high cost to produce the electronic elements in some fields, reducing the costs.

  • 나노 제조 포토 레지스트

    PAM-하문은 포토 레지스트와 포토 레지스트 판을 제공