제품

  • GaN 템플릿

    PAM-XIAMEN의 템플릿 제품은 사파이어 위에 증착된 (질화갈륨)GaN 템플릿, (질화알루미늄)AlN 템플릿, (알루미늄질화알루미늄질화물) AlGaN 템플릿 및 (인듐갈륨질화물) InGaN 템플릿의 결정층으로 구성됩니다.
  • GaN 기반 LED 에피택셜 웨이퍼

    PAM-XIAMEN’s GaN(gallium nitride)-based LED epitaxial wafer is for ultra high brightness blue and green light emitting diodes (LED) and laser diodes (LD) application.

  • GaN HEMT 에피택셜 웨이퍼

    Gallium Nitride (GaN) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) are the next generation of RF power transistor technology. Thanks to GaN technology, PAM-XIAMEN now offer AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer on sapphire or Silicon, and AlGaN/GaN on sapphire template.

  • SiC 웨이퍼 기판

    이 회사는 결정 성장, 결정 처리, 웨이퍼 처리, 연마, 세척 및 테스트를 통합하는 완전한 SiC(탄화 규소) 웨이퍼 기판 생산 라인을 보유하고 있습니다. 현재 우리는 축상 또는 축외에서 반절연 및 전도성을 갖춘 상용 4H 및 6H SiC 웨이퍼를 공급하고 있으며 사용 가능한 크기는 5x5mm2,10x10mm2, 2",3",4", 6" 및 8"입니다. 결함억제, 종자결정 가공 및 급속 성장으로 탄화규소 에피택시, 소자 등에 관한 기초 연구개발을 추진합니다.

     

  • SiC 에피택시

    당사는 탄화규소 장치 개발을 위해 6H 또는 4H 기판에 맞춤형 박막(탄화규소)SiC 에피택시를 제공합니다. SiC 에피 웨이퍼는 주로 쇼트키 다이오드, 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터, 접합 전계 효과에 사용됩니다.
  • SiC 웨이퍼 회수

    PAM-XIAMEN is able to offer the following SiC reclaim wafer services.

  • SIC 애플리케이션

    Due to SiC physical and electronic properties,Silicon Carbide based device are well suitable for short wavelength optoelectronic, high temperature, radiation resistant, and high-power/high-frequency electronic devices,compared with Si and GaAs device