구현 및 얇은 사파이어 단결정 게르마늄 막 특성화

구현 및 얇은 사파이어 단결정 게르마늄 막 특성화

우리는 성공적으로 생산하고 얇은 특징으로 한 단결정 사파이어 기판 (지오스)에서의 Ge 막. 이러한 이벤트는 지오스에게 단지 얇은 (<2 μm의) 게르마늄 층은 장치의 동작에 필요한 응용 프로그램을위한 벌크 게르마늄 기판에 대한 비용 효율적인 대안을 템플릿. GEOS 템플릿은 스마트 컷을 사용하여 실현되었다TM기술. 100mm 직경 GEOS 템플릿 제작과를 비교하기 위해 특성화되었다 벌크와 게르마늄 박막 특성. 표면 결함 검사, SEM, AFM은 결함 에칭, XRD와 라만 분광법 모두 수행 하였다. 사용 된 각각의 특성화 기술에 대해 얻어진 결과는 이전의 Ge 박막 필름의 물성이 매우 가까운 벌크 게르마늄의 기준들에 있다고 강조. GEOS는 전형적인 장치 구현에서 발생하는 조건 하에서 템플릿의 안정성을 입증하기 위해 템플릿 위에 에피 택셜의 AlGaInP / GaInP로 / AlGaInP의 이중 헤테로 성장시켰다. 이 에피 택셜 구조의 광 발광 동작은 벌크 게르마늄 기판 상에 성장 된 유사 구조의 것과 거의 동일 하였다. 지오스 템플릿 따라서 동작 박막 구조와 호환 장치의 제조에 벌크 게르마늄 기판에 대한 대안을 제공한다.

출처 : IOPscience

자세한 내용은 저희 웹 사이트를 방문하십시오 :https://www.powerwaywafer.com,
에서 우리에게 이메일을 보내sales@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com

이 게시물을 공유하기