High-quality sapphire wafers are available from 2 inch to 8 inch with A, C, M or R plane. Monocrystal sapphire wafer is a very difficult material to process, so it is often used as a material for optoelectronic components. At present, the quality of ultra-high-brightness white/blue LEDs depends on the material quality of gallium nitride epitaxy (GaN), and the quality of LED GaN epitaxy is closely related to the surface processing quality of the sapphire substrate wafer. The lattice constant mismatch rate between C-plane sapphire and the II-V and II-VI group deposited films is small, and it meets the high temperature resistance requirements in the GaN epitaxial process, making the sapphire wafer a key material for the production of white/blue/green LEDs. As one of sapphire wafer suppliers, PAM-XIAMEN offers you following sapphire wafer specifications:

2 SAPPHIRE WAFER A-PLANE 11-20 단일 크리스탈 AL2O3

재료 : 고순도> 99.996 %, 단결정 Al2O3
치수 : Φ50.8 mm ± 0.1 mm
두께 : 0.50 mm 표준
격자 매개 변수 : a = 4.785 A, c = 12.991 A
밀도 : 3.98 g / cm3
방향 : A면 (11-20) 0.2 ± 0.1도 꺼짐.
기본 평면 방향 : C 평면
기본 평면 길이 : 16.0 ± 1 mm
총 두께 변화 : <10 μm
활 : <10 μm
뒤틀림 : <10 μm
연마 : 단면 연마 Ra <0.5 nm (AFM), 요청에 따라 이중 크기 연마가 가능합니다.

2 SAPPHIRE WAFER M-PLANE 10-10 단결정 AL2O3

재료 : 고순도> 99.996 %, 단결정 Al2O3
치수 : Φ50.8 mm ± 0.1 mm
두께 : 0.43 mm 표준
격자 매개 변수 : a = 4.785 A, c = 12.991 A
밀도 : 3.98 g / cm3
방향 : M 평면 (10-10) 0.2 ± 0.1도 꺼짐.
기본 평면 방향 : C 평면 [11-20] +/- 0.2 °
기본 평면 길이 : 16.0 ± 1 mm
총 두께 변화 : <10 μm
활 : <10 μm
뒤틀림 : <10 μm
연마 : 단면 연마 Ra <0.5 nm (AFM), 요청에 따라 이중 크기 연마가 가능합니다.

2 SAPPHIRE WAFER R-PLANE 1-102 단일 크리스탈 AL2O3

재료 : 고순도> 99.996 %, 단결정 Al2O3
치수 : Φ50.8 mm ± 0.1 mm
두께 : 0.43 mm 표준
격자 매개 변수 : a = 4.785 A, c = 12.991 A
밀도 : 3.98 g / cm3
방향 : R- 평면 (1-102) 0.2 ± 0.1도 꺼짐.
기본 평면 방향 : 투영 된 C 축 45 +/- 2도
기본 평면 길이 : 16.0 ± 1 mm
총 두께 변화 : <10 μm
활 : <10 μm
뒤틀림 : <10 μm
연마 : 단면 연마 Ra <0.5 nm (AFM), 요청에 따라 이중 크기 연마가 가능합니다.

2 인치 SAPPHIRE WAFER C-PLANE 싱글 또는 더블 사이드 폴리쉬 AL2O3 싱글 크리스탈

재료 : 고순도> 99.99 %, 단결정 Al2O3
치수 : Φ50.8 mm ± 0.1 mm
두께 : SSP의 경우 430 um ± 25 um, DSP의 경우 400 um ± 25 um (요청시 다른 두께 제공)
격자 매개 변수 : a = 4.785 A, c = 12.991 A
밀도 : 3.98 g / cm3
방향 : C 평면 (0001) ~ M (1-100) 0.2 ± 0.1도 꺼짐.
기본 평면 방향 : A면 [11-20] +/- 0.2 °
기본 평면 길이 : 16.0 ± 1.0 mm
총 두께 변화 (TTV) : <5 μm
활 : <10 μm
뒤틀림 : <10 μm
연마 : 단면 연마 (SSP) 전면 에피 준비 표면 Ra <0.3 nm (AFM), 후면 미세 연마 Ra = 0.8 ~ 1.2 um 또는 양면 연마 (DSP) 전면 및 후면 에피 준비 표면 Ra <0.3nm (AFM)

3 인치 SAPPHIRE WAFER C-PLANE 단일 또는 양면 광택 AL2O3 단일 결정

재료 : 고순도> 99.99 % 단결정 Al2O3
직경 : Φ76.2 mm ± 0.1 mm
두께 : 650 um ± 25 um (SSP), 600 또는 430 um ± 25 um (DSP)
격자 매개 변수 : a = 4.785 A, c = 12.991 A
밀도 : 3.98 g / cm3
방향 : C 평면 (0001) ± 0.3도, R 평면 (1-102), A 평면 (11-20), M 평면 (10-10)을 사용할 수 있습니다.
기본 평면 방향 : A면 ± 0.3도
기본 평면 길이 : 22.0 mm ± 1 mm
총 두께 변화 (TTV) : <15 μm
활 : <15 μm
뒤틀림 : <15 μm
연마 : 단면 연마 (SSP) 전면 에피 준비 표면 Ra <0.5 nm (AFM), 후면 미세 연마 Ra = 0.8 ~ 1.2 um 또는 양면 연마 (DSP) 전면 및 후면 에피 준비 표면 Ra <0.5nm (AFM)

4 인치 SAPPHIRE WAFER C-PLANE 싱글 또는 더블 사이드 폴리쉬 AL2O3 싱글 크리스탈

재료 : 고순도,> 99.99 %, 단결정 Al2O3
치수 : Φ100.0 mm ± 0.1 mm
두께 : 650 um ± 25 um (SSP), 600 um ± 25 um (DSP)
격자 매개 변수 : a = 4.785 A, c = 12.991 A
밀도 : 3.98 g / cm3
방향 : M 평면 0.2 ± 0.1도에서 C 평면 사파이어 (0001), R 평면 (1-102), A 평면 (11-20), M 평면 (10-10)을 사용할 수 있습니다.
기본 평면 방향 : A면 ± 0.2도
기본 평면 길이 : 30.0 ± 1 mm
총 두께 변화 (TTV) : <20 μm
활 : <20 μm
뒤틀림 : <20 μm
연마 : 단면 연마 (SSP) 전면 에피 준비 표면 Ra <0.5 nm (AFM), 후면 미세 연마 Ra = 0.8 ~ 1.2 um 또는 양면 연마 (DSP) 전면 및 후면 에피 준비 표면 Ra <0.5nm (AFM)

6 inch C-plane (0001) Sapphire Substrate (PAM210910-S)

Sapphire Wafer 200mm (PAM210910-S)

C- 비행기 사파이어 기판

SSP가 포함 된 R- 평면 사파이어 기판

자세한 내용은 이메일로 문의해 주세요.victorchan@powerwaywafer.com 과 powerwaymaterial@gmail.com.